【技术实现步骤摘要】
本技术涉及退火，特别涉及一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置。
技术介绍
1、在半导体行业中，对半导体材料进行热处理必不可少，其主要目的是释放内应力、增加材料的延展性、减少变形和裂纹趋势，同时也可以改变半导体材料表面或内部的晶相组织结构、消除缺陷等，获得所需的特定性能。
2、在实际生产中，退火处理是半导体材料热处理工艺中最常用的手段之一。
3、现有的退火装置内部容易产生灰尘和杂质等污染物，该类污染物在退火工作过程中会影响退火的效果，因此在退火工作前需要人工将机构的内部清洁干净，然而人力成本较大，且浪费时间，同时导致了工作效率降低的问题。
技术实现思路
1、基于此，本技术的目的是提供一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，可以有效解决现有的退火装置内部容易产生灰尘和杂质等污染物，在退火工作过程中会影响退火的效果的问题，以及在退火工作前需要人工清洁退火装置内部，人力成本较大、浪费时间以及工作效率降低的问题。
2、一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，包括圆柱形的退火结构以及缠绕在所述退火结构外表面上的制冷组件，在所述退火结构底部设置有加热组件，在所述退火结构的顶部设置有炉盖，在所述炉盖的底部连接有多个连接杆，在所述连接杆远离所述炉盖的一端连接有用于放置温控盘的承载盘，所述承载盘设于所述退火结构的内部，在所述炉盖的顶部设置有吸风组件，在所述退火结构的圆柱内表面设置有第一吸风结构，在所述第一吸风结构的圆柱内表面开设有多个第一吸灰孔，在所述第一吸风结构
3、进一步的，所述吸风组件包括设于所述炉盖顶部的储灰盒，在所述储灰盒的顶部设置有风机，在所述储灰盒和所述风机之间设有过滤网。
4、进一步的，所述伸缩软管连接在所述储灰盒的一侧，在所述储灰盒远离所述伸缩软管的一侧对称设置有滑槽，在所述滑槽内滑动设置有侧板。
5、进一步的，在所述退火结构的外侧设置有与所述炉盖相适配的保温壳，所述制冷组件以及所述加热组件设于所述保温壳与所述退火结构之间。
6、进一步的，所述制冷组件包括缠绕在所述退火结构外表面上的冷凝管以及设置在所述保温壳外表面上的制冷结构，所述冷凝管的两端贯穿所述保温壳连接在所述制冷结构上。
7、进一步的，在所述保温壳的外表面上对称设置有气缸，所述气缸设于所述制冷结构的两侧。
8、进一步的，在所述气缸顶部连接有伸缩杆。
9、进一步的，所述伸缩杆远离所述气缸的一端连接有固定块，所述固定块连接在所述炉盖圆柱外表面上。
10、与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过设置吸风组件，以使本技术在退火工作时吸风组件可以将退火结构内部的灰尘、杂质等污染物吸出；具体的，通过将需要退火处理的温控盘放置在承载盘中，通过吸风组件产生吸力，经过伸缩软管使得第一吸灰孔和第二吸灰孔将退火结构内部的灰尘、杂质等污染物吸出，通过加热组件对退火结构内部的温控盘进行均匀加热，吸风组件避免了杂质与灰尘在退火的过程中附着在温控盘的表面，保证了温控盘在加工的过程中的清洁，提升退火的效果，待温控盘加热完成后，通过制冷组件对退火结构内部的温控盘进行快速冷却，相比于传统的人工清洁方法，更快速、更彻底地完成清洁工作，极大的提高了退火的工作效率和生产效率。
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1.一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，包括退火结构以及缠绕在所述退火结构圆柱外表面上的制冷组件，在所述退火结构底部设置有加热组件，在所述退火结构的顶部设置有炉盖，在所述炉盖的底部连接有多个连接杆，在所述连接杆远离所述炉盖的一端连接有用于放置温控盘的承载盘，所述承载盘设于所述退火结构的内部，在所述炉盖的顶部设置有吸风组件，在所述退火结构的圆柱内表面设置有第一吸风结构，在所述第一吸风结构的圆柱内表面开设有多个第一吸灰孔，在所述第一吸风结构的底部连接有多个第二吸风结构，在所述第二吸风结构朝向所述退火结构中心的一侧上开设有多个第二吸灰孔，在所述第一吸风结构顶部连接有伸缩软管，所述伸缩软管贯穿所述炉盖与所述吸风组件连接，所述第一吸灰孔与所述第二吸灰孔以及所述伸缩软管的内孔相互贯通，以使所述吸风组件将所述退火结构内部产生的污染物吸出。
2.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，所述吸风组件包括设于所述炉盖顶部的储灰盒，在所述储灰盒的顶部设置有风机，在所述储灰盒和所述风机之间设有过滤网。
3.根据权利要求2所述的用于半导体
4.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，在所述退火结构的外侧设置有与所述炉盖相适配的保温壳，所述制冷组件以及所述加热组件设于所述保温壳与所述退火结构之间。
5.根据权利要求4所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，所述制冷组件包括缠绕在所述退火结构圆柱外表面上的冷凝管以及设置在所述保温壳外表面上的制冷结构，所述冷凝管的两端贯穿所述保温壳连接在所述制冷结构上。
6.根据权利要求5所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，在所述保温壳的外表面上对称设置有气缸，所述气缸设于所述制冷结构的两侧。
7.根据权利要求6所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，在所述气缸顶部连接有伸缩杆。
8.根据权利要求7所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，所述伸缩杆远离所述气缸的一端连接有固定块，所述固定块连接在所述炉盖圆柱外表面上。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，包括退火结构以及缠绕在所述退火结构圆柱外表面上的制冷组件，在所述退火结构底部设置有加热组件，在所述退火结构的顶部设置有炉盖，在所述炉盖的底部连接有多个连接杆，在所述连接杆远离所述炉盖的一端连接有用于放置温控盘的承载盘，所述承载盘设于所述退火结构的内部，在所述炉盖的顶部设置有吸风组件，在所述退火结构的圆柱内表面设置有第一吸风结构，在所述第一吸风结构的圆柱内表面开设有多个第一吸灰孔，在所述第一吸风结构的底部连接有多个第二吸风结构，在所述第二吸风结构朝向所述退火结构中心的一侧上开设有多个第二吸灰孔，在所述第一吸风结构顶部连接有伸缩软管，所述伸缩软管贯穿所述炉盖与所述吸风组件连接，所述第一吸灰孔与所述第二吸灰孔以及所述伸缩软管的内孔相互贯通，以使所述吸风组件将所述退火结构内部产生的污染物吸出。
2.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火装置，其特征在于，所述吸风组件包括设于所述炉盖顶部的储灰盒，在所述储灰盒的顶部设置有风机，在所述储灰盒和所述风机之间设有过滤网。
3.根据权利要求2所述的用于半导体镀膜设备温控盘...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡少辉，陈之峰，段良飞，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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