【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了具有p型高电阻区域的肖特基势垒二极管。该p型高电阻区域由离子注入mg或be并退火处理的β-ga2o3系单晶构成。此外，并不是仅仅因为
技术介绍
中有记载而被认为是现有技术。
2、专利文献1：日本专利公开2016-039194号公报
技术实现思路
1、本公开所要解决的课题在于，提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。
2、根据本公开的一个方案，半导体装置具备：耗尽层延伸的半导体层；和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有：第一区域，包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分；和第二区域，包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷。
3、根据本公开的一个方案，半导体装置的制造方法具备以下工序：形成半导体层，所述半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分且包括n型掺杂剂；将杂质元素从所述半导体层的上表面向所述半导体层的一部分进行离子注入；和不进行使所述离子注入的元素活化的处理而在所述半导体层上直接或隔着其他层形成电极。所述离子注入的工序形成第一区域和第二区域，并且在与所述半导体层的上表面垂直的截面中，将线状的晶体缺陷形成在所述第二区域中，所述第一区域包括含有镓的结晶性氧化物
4、根据本公开，可提供一种使用半导体区域或半导体层且在不使用p型的半导体区域或半导体层的情况下能够提高耐压性的半导体装置和这样的半导体装置的制造方法，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。
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1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域的晶体缺陷的密度为1.0×1019/cm3以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述俯视时的所述第二区域的晶体缺陷的面密度为5×1016/cm2以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域沿着所述上表面延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域的晶体缺陷的密度的最大值在距离所述半导体层的上表面的深度处的位置位于比所述第二区域的上端侧靠下端侧的位置处。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的厚度为1.5μm以上。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的至少一部分在俯视时与所述电极的下表面的周缘重叠。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，与所述下表面的周缘重叠的所述第二区域与所述下表面相接。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的至
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域包括质量数大于Mg的质量数的元素的单体。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述元素为Al。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的元素的浓度高于所述第一区域的元素的浓度。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物半导体具有刚玉结构。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物为非晶质。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物半导体包括铝和/或铟。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为二极管。
18.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为功率器件。
19.一种电力转换装置，其使用权利要求1所述的半导体装置。
20.一种控制系统，其使用权利要求1所述的半导体装置。
21.一种半导体装置的制造方法，具备以下工序：
22.根据权利要求21所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述离子注入的工序之后，直到形成所述电极的工序为止，使所述半导体层的温度小于800℃。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域的晶体缺陷的密度为1.0×1019/cm3以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述俯视时的所述第二区域的晶体缺陷的面密度为5×1016/cm2以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域沿着所述上表面延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述晶体缺陷区域的晶体缺陷的密度的最大值在距离所述半导体层的上表面的深度处的位置位于比所述第二区域的上端侧靠下端侧的位置处。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的厚度为1.5μm以上。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的至少一部分在俯视时与所述电极的下表面的周缘重叠。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，与所述下表面的周缘重叠的所述第二区域与所述下表面相接。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的至少一部分在俯视时与所述半导体层的周缘部重叠。
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：松原佑典，冲川满，安藤裕之，四户孝，
申请(专利权)人：株式会社FLOSFIA，
类型：发明
国别省市：
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