【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于多种电子器件中，诸如手机、笔记本电脑、台式机、平板电脑、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费电子产品。半导体器件通常包括半导体部分和形成在半导体部分内部的布线部分。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体主体；以及晶体管，所述晶体管包括：漏极区域，位于所述半导体主体中；第一掺杂区域，位于所述漏极区域中；源极区域，位于所述半导体主体中；第二掺杂区域，与所述源极区域相邻；和第三掺杂区域，位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，所述第三掺杂区域包括具有第一浓度的掺杂剂的第一部分、与所述第一部分相邻并且具有第二浓度的掺杂剂的第二部分、与所述第二部分相邻并且具有第三浓度的掺杂剂的第三部分以及与所述第三部分相邻并且具有第四浓度的掺杂剂的第四部分，其中，所述第三掺杂区域具有梯度，使得沿着延伸穿过所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分的第一线：所述第一浓度小于所述第二浓度；所述第二浓度大于所述第三浓度；并且所述第三浓度小于所述第四浓度。
2、本公开的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体主体中形成第一掺杂区域，其中，所述第一掺杂区域位于晶体管的漏极区域中；在所述半导体主体中形成第二掺杂区域，其中，所述第二掺杂区域与所述晶体管的源极区域相邻；在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的所述半导体主体中形成第三掺杂区域的第一部分；以及在所述第一掺杂区
3、本公开的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体主体；以及晶体管，所述晶体管包括：漏极区域，位于所述半导体主体中；第一掺杂区域，位于所述漏极区域中；源极区域，位于所述半导体主体中；第二掺杂区域，与所述源极区域相邻；和第三掺杂区域，位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，其中，所述第三掺杂区域具有非线性的侧壁，使得所述侧壁的第一部分与所述侧壁的第二部分由所述半导体主体的部分分隔开。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
10.一种半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨卓苍，蔡荣胜，许品宥，曾国隆，陈信吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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