【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法。本专利技术还涉及一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程中，由于工艺复杂，制程繁多，导致需求的制程机台种类众多。
2、现有半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法是采用人工手动分析，包括如下步骤：
3、步骤一、生产线产生问题。这主要是通过检测设备进行检测得到。人工对有生产问题对应的批次(lot)的具有缺陷的晶圆(wafer)的缺陷进行目视分类，同一类型的缺陷的来源往往相同。
4、步骤二、根据缺陷晶圆上的缺陷例如缺陷方向，人工根据经验怀疑工艺环中可能存在问题的机台，例如列举出10台机台。
5、步骤三、采用人工方式对所列举的10台机台中的相关角度数据进行逐一排查，来锁定嫌疑机台。机台的相关角度数据包括：机台对准(align)角度，与装载口(loadport)关联的角度，与工艺菜单(recipe)关联的角度，与气锁(airlock)腔关联的角度，与产品关联的角度，与制程编号关联的角度。所以，根据关联的情况，机台中通常包括多个角度，如角度1、角度2和角度3，角度1、角度2和角度3独立取值。现有方法中，需要通过人工对各相关角度数据进行逐一排查，工作量比较大。
6、所以，现有方法中，缺陷发生后人为去筛查工艺流程中产线机台角度变化，需要根据经验判断可能的站点，并去查看各机台端角度信息。此过程随着人为排查时间的递进，产线风险指数增大，会导致更大的产线事故的发
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，能根据晶圆上的缺陷方向的不同分析得到晶圆角度并从而得到缺陷所发生的站点和机台。为此，本专利技术还提供一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法包括如下步骤：
3、步骤一、收集半导体集成电路的生产线上各机台上的机台角度数据，机台角度为晶圆在所述机台上进行工艺时的晶圆角度。
4、步骤二、根据所述机台角度数据进行预测并形成被分析批次的各被分析晶圆在工艺过程中的角度轨迹图，所述角度轨迹图为所述被分析晶圆在工艺过程中的各站点对应的所述机台上的晶圆角度分布图。
5、步骤三、令缺陷晶圆为具有缺陷的所述被分析晶圆，按照缺陷种类对所述被分析批次中的所述缺陷晶圆进行第一次分组，所述第一次分组中，将具有相同缺陷种类的各所述缺陷晶圆归为相同的第一组。
6、步骤四、在所述第一次分组中选定一个所述第一组作为选定组，按照所述缺陷的方向对所述选定组中各所述缺陷晶圆进行第二次分组，所述第二次分组中，将所述选定组具有相同缺陷方向的各所述缺陷晶圆归为相同的第二组。
7、步骤五、计算各所述第二组的缺陷方向之间的方向差；结合所述方向差和所述选定组中各所述缺陷晶圆的所述角度轨迹图中的角度差来确定所述选定组中各所述缺陷晶圆的所述缺陷所发生的所述站点和所述机台。
8、进一步的改进是，步骤一中，所述机台角度数据中还包括所述机台角度的数据种类，所述数据种类采用与所述机台角度相关联的部分定义，与所述机台角度相关联的部分包括：晶圆装载口(loadport)、晶圆装载锁定腔(loadlock chamber)、气锁腔(airlockchamber)或工艺腔(chamber)。
9、进一步的改进是，所述数据种类中，与所述机台角度相关联的部分还包括：工艺菜单、产品或制程编号。
10、进一步的改进是，所述机台角度数据中还包括根据所述数据种类所赋予的规则判断，相同的所述数据种类所赋予的所述规则判断相同。
11、进一步的改进是，步骤一中，所述机台角度数据采用自动收集或者手动输入。
12、进一步的改进是，所述缺陷晶圆上的缺陷通过测试设备测试得到。
13、进一步的改进是，步骤三中，当所述第一组具有2个以上时，则重复步骤四和步骤五，依次实现对各所述第一组所述对应的所述缺陷所发生的所述站点和所述机台。
14、进一步的改进是，步骤二中，在所述角度轨迹图中，包括如下所述晶圆角度的变化：
15、动态变换的上下继承；
16、固定变化；
17、角度规律性增减角度；
18、镜像变化；
19、对角线变化。
20、为解决上述技术问题，本专利技术提供的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统包括：
21、机台角度数据收集模块，用于收集半导体集成电路的生产线上各机台上的机台角度数据，机台角度为晶圆在所述机台上进行工艺时的晶圆角度。
22、角度轨迹图预测模块，用于根据所述机台角度数据预测并形成被分析批次的各被分析晶圆在工艺过程中的角度轨迹图，所述角度轨迹图为所述被分析晶圆在工艺过程中的各站点对应的所述机台上的晶圆角度分布图。
23、第一缺陷分组模块，令缺陷晶圆为具有缺陷的所述被分析晶圆，所述第一缺陷分组模块按照缺陷种类对所述被分析批次中的所述缺陷晶圆进行第一次分组，所述第一次分组中，将具有相同缺陷种类的各所述缺陷晶圆归为相同的第一组。
24、第二缺陷分组模块，用于在所述第一次分组中选定一个所述第一组作为选定组，按照所述缺陷的方向对所述选定组中各所述缺陷晶圆进行第二次分组，所述第二次分组中，将所述选定组具有相同缺陷方向的各所述缺陷晶圆归为相同的第二组。
25、综合分析模块，用于计算各所述第二组的缺陷方向之间的方向差并结合所述方向差和所述选定组中各所述缺陷晶圆的所述角度轨迹图中的角度差来确定所述选定组中各所述缺陷晶圆的所述缺陷所发生的所述站点和所述机台。
26、进一步的改进是，所述机台角度数据中还包括所述机台角度的数据种类，所述数据种类采用与所述机台角度相关联的部分定义，与所述机台角度相关联的部分包括：晶圆装载口、晶圆装载锁定腔、气锁腔或工艺腔。
27、进一步的改进是，所述数据种类中，与所述机台角度相关联的部分还包括：工艺菜单、产品或制程编号。
28、进一步的改进是，所述机台角度数据中还包括根据所述数据种类所赋予的规则判断，相同的所述数据种类所赋予的所述规则判断相同。
29、进一步的改进是，所述机台角度数据采用自动收集或者手动输入。
30、进一步的改进是，所述缺陷晶圆上的缺陷通过测试设备测试得到。
31、进一步的改进是，所述角度轨迹图中，包括如下所述晶圆角度的变化：
32、动态变换的上下继承；
33、固定变化；
34、角度规律性增减角度；
35、镜像变化；
36、对角线变化。
37、本专利技术通过预先收集生产线上各机台上的机台角度数据，之后在机台角度数据的基础上预测得到对应的被分析晶圆的角度轨迹图，之后再根据缺本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于,包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于，步骤一中，所述机台角度数据中还包括所述机台角度的数据种类，所述数据种类采用与所述机台角度相关联的部分定义，与所述机台角度相关联的部分包括：晶圆装载口、晶圆装载锁定腔、气锁腔或工艺腔。
3.如权利要求2所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述数据种类中，与所述机台角度相关联的部分还包括：工艺菜单、产品或制程编号。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述机台角度数据中还包括根据所述数据种类所赋予的规则判断，相同的所述数据种类所赋予的所述规则判断相同。
5.如权利要求3所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：步骤一中，所述机台角度数据采用自动收集或者手动输入。
6.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述缺陷晶圆上的缺陷通过测试设备测试得到。
7.如权利要
8.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：步骤二中，在所述角度轨迹图中，包括如下所述晶圆角度的变化：
9.一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于,包括：
10.如权利要求9所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于，所述机台角度数据中还包括所述机台角度的数据种类，所述数据种类采用与所述机台角度相关联的部分定义，与所述机台角度相关联的部分包括：晶圆装载口、晶圆装载锁定腔、气锁腔或工艺腔。
11.如权利要求10所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于：所述数据种类中，与所述机台角度相关联的部分还包括：工艺菜单、产品或制程编号。
12.如权利要求11所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于：所述机台角度数据中还包括根据所述数据种类所赋予的规则判断，相同的所述数据种类所赋予的所述规则判断相同。
13.如权利要求11所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于：所述机台角度数据采用自动收集或者手动输入。
14.如权利要求9所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于：所述缺陷晶圆上的缺陷通过测试设备测试得到。
15.如权利要求9所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析系统，其特征在于：所述角度轨迹图中，包括如下所述晶圆角度的变化：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于,包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于，步骤一中，所述机台角度数据中还包括所述机台角度的数据种类，所述数据种类采用与所述机台角度相关联的部分定义，与所述机台角度相关联的部分包括：晶圆装载口、晶圆装载锁定腔、气锁腔或工艺腔。
3.如权利要求2所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述数据种类中，与所述机台角度相关联的部分还包括：工艺菜单、产品或制程编号。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述机台角度数据中还包括根据所述数据种类所赋予的规则判断，相同的所述数据种类所赋予的所述规则判断相同。
5.如权利要求3所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：步骤一中，所述机台角度数据采用自动收集或者手动输入。
6.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：所述缺陷晶圆上的缺陷通过测试设备测试得到。
7.如权利要求1所述的半导体集成电路制造中晶圆角度的分析方法，其特征在于：步骤三中，当所述第一组具有2个以上时，则重复步骤四和步骤五，依次实现对各所述第一组所述对应的所述缺陷所发生的所述站点和所述机台。
8.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔莹，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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