【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆吸附，特别涉及一种晶圆吸附及掩膜版承载装置。
技术介绍
1、在掩膜版的生产过程中，通常使用石英玻璃作为基底（当然也存在其他基底材料），并在其上镀上一层金属铬和感光胶，从而形成一种感光材料，即所谓的空白掩膜版。随后已设计好的电路图形会通过电子激光设备曝光在感光胶上，被曝光的区域会显影出来，进而在金属铬上形成电路图形。最后，通过洗去不需要的金属层和胶层，即可得到掩膜版产品。
2、在晶圆的处理时，掩膜版被用于光刻工艺中，该工艺是半导体器件制造中的核心步骤。掩膜版上的精细电路图像会被印制在晶圆上，掩膜版的质量和精度直接影响到光刻的质量，因此，它也是决定下游产品精度和质量的关键因素之一。
3、但是在传统技术中，超薄晶圆由于其厚度极小，本身的机械强度就相对较低。意味着它们更容易受到外力影响而发生形变，包括在制造过程中的各种机械操作和热处理步骤中。晶圆的翘曲也会导致晶圆表面不平整，进而影响其与掩膜版之间的接触均匀性和稳定性。
4、为此，提出一种晶圆吸附及掩膜版承载装置。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术实施例希望提供一种晶圆吸附及掩膜版承载装置，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，即如何优化吸附具有翘曲的晶圆及承载掩膜版，并对此至少提供一种有益的选择；
2、本技术实施例的技术方案是这样实现的：一种晶圆吸附及掩膜版承载装置，包括传统技术形式中的机架4及设于其上的用于吸附及承载晶圆的气槽吸盘1，与传统技术不同的是，本技术方案的改进点在
3、中心区101，所述中心区101对所述晶圆的中心产生定心吸附力；
4、环绕于所述中心区101外的中间扇形区103，所述中间扇形区103自所述晶圆圆心为内，对所述晶圆的“中心-外缘”之间的结构产生自内向外依次增大的吸附力；
5、环绕于所述中间扇形区103的外侧环形区102，所述外侧环形区102对所述晶圆的外缘产生吸附力；
6、环绕于所述外侧环形区102的充气缓冲区2，所述充气缓冲区2对掩膜版执行承载作用。
7、该优化晶圆吸附及掩膜版承载装置在实施时，首先通过中心区101对晶圆的中心进行定心吸附，确保晶圆在吸附过程中的初步稳定性和位置准确性。
8、随后，中间扇形区103开始工作，这一区域设计为扇形并环绕中心区101，它的作用是从晶圆中心向外缘逐渐增大吸附力，这样的设计可以适应晶圆可能存在的翘曲，通过逐渐增大的吸附力来更好地贴合晶圆表面。接着，外侧环形区102对晶圆的外缘进行吸附，减小晶圆的边沿翘曲，同时进一步固定晶圆，防止其在后续处理过程中发生位移。最后，充气缓冲区2环绕外侧环形区102，对掩膜版执行承载作用，确保在处理过程中掩膜版不会因外部冲击或振动而受损。
9、其中在一种实施方式中：中间扇形区103并非是一个连续的区域，而是由多个独立的吸附单元组成的。这些吸附单元以中心区101的中心点为轴线，呈阵列式排列。每个吸附单元都具有独立的吸附能力，可以根据实际需要独立控制其吸附力的大小。这样的设计使得中间扇形区103能够更加灵活地适应晶圆的翘曲情况，通过不同位置的吸附单元施加不同的吸附力，从而更好地贴合晶圆表面。
10、其中在一种实施方式中：每个吸附单元都包含了三种不同的气槽：内气槽1031、中气槽1032和外气槽1033。这些气槽的设计是为了通过真空吸附来固定晶圆。内气槽1031最靠近中心区101，主要负责对晶圆靠近中心的部分进行吸附；外气槽1033则位于吸附单元的最外侧，负责对晶圆的外缘部分进行吸附；而中气槽1032则位于内气槽和外气槽之间，起到过渡和辅助吸附的作用。每个吸附单元中，内气槽1031和外气槽1033各有一个，而中气槽1032则有两个。
11、其中在一种实施方式中：中间扇形区103的吸附单元内的气槽设计具有特定的尺寸关系。
12、其中，中气槽1032和外气槽1033的直径是相等的，这意味着它们在吸附晶圆时能够提供相同面积的接触面。而内气槽1031的直径则大于中气槽1032，这表示内气槽具有更大的接触面积来对晶圆进行吸附。
13、其中在一种实施方式中：充气缓冲区2特别设计了一个由橡胶材料制成的v形圈201。这个v形圈从气槽吸盘1的表面开始，向掩膜版的方向逐渐扩大，形成一个空心锥形结构。当掩膜版被放置在气槽吸盘上时，v形圈201会抵顶在掩膜版的表面上。由于橡胶材料的弹性和柔软性，v形圈可以紧密地贴合在掩膜版的表面上，从而形成一个稳定的支撑和缓冲结构。
14、其中在一种实施方式中：除了v形圈201外，还增设了内压环202、充气垫圈204和外压环203。这三个部件均为环形，且直径依次由小到大套设，充气垫圈204是由橡胶材料制成，具有良好的弹性和耐用性。
15、内压环202和外压环203分别连接在充气垫圈204的内外侧，它们的存在实现了对充气垫圈204的弹性蓄力。这意味着，当充气垫圈204处于非充气状态时，内外压环会对其施加一定的压力，使其保持紧密的贴合状态。
16、其中在一种实施方式中：还包括安装于所述气槽吸盘1底部的、且用于防止气体泄漏与杂质进入的密封组件3。
17、所述密封组件3包括安装于所述气槽吸盘1底面的密封板302，所述密封板302和所述气槽吸盘1的底面通过密封圈301密封连接。
18、密封板302位于装置的底部，用于防止气体泄漏和外部杂质进入。密封圈301则位于装置的关键连接部位，能够有效地防止气体泄漏，确保装置的吸附性能稳定可靠。
19、密封板302被安装在气槽吸盘1的底面，作为一个物理屏障，它的主要功能是防止气体从装置的底部泄漏出去，同时也能阻止外部的杂质，如尘埃、水汽等，进入装置内部。这样，密封板302就起到了一个保护和维持装置内部环境稳定的作用。
20、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
21、一、灵活性与适应性：本技术通过中间扇形区的阵列吸附单元，使得吸附系统能够根据不同晶圆的具体翘曲情况灵活调整吸附力。中心区、中间扇形区和环绕中心区的协同作用，既可以确保晶圆在吸附过程中的初步稳定性和位置准确性，还可以从晶圆中心向外缘逐渐增大吸附力以适应晶圆可能存在的翘曲，还可以协同的进一步支撑与适配掩膜版，防止其在后续处理过程中发生位移。
22、二、吸附稳定性：本技术通过充气缓冲区的设计，特别是v形圈和充气垫圈，本技术提供的技术方案显著提高了掩膜版的连接稳定性。充气垫圈能够在充气后突出于吸附面，与掩膜版形成软接触，这不仅减少了掩膜版在吸附过程中可能发生的滑动或偏移，还降低了掩膜版受到的物理应力。
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1.一种晶圆吸附及掩膜版承载装置，包括机架（4）及设于其上的用于吸附及承载晶圆的气槽吸盘（1），其特征在于：所述气槽吸盘（1）在与所述晶圆接触时，通过所述气槽吸盘（1）吸附面的，
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于：所述中间扇形区（103）是有若干个以所述中心区（101）的中心点作轴线，阵列有若干个吸附单元组成的。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于：在每个所述吸附单元中，使所述中间扇形区（103）对所述晶圆的外缘产生吸附力是通过气槽单元的开设形成的；所述气槽单元包括，
4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于：所述中气槽（1032）和所述外气槽（1033）的直径相等，所述内气槽（1031）的直径大于所述中气槽（1032）。
5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于：所述充气缓冲区（2）包括橡胶材料制成的V形圈（201），所述V形圈（201）自所述气槽吸盘（1）的一面至掩膜版的相对一面呈自小至大的空心锥形结构，所述V形圈（201）抵顶于掩膜版。
6.根据权利要求1、2或5所述的承载装置，其特征
7.根据权利要求1、2或5所述的承载装置，其特征在于：还包括安装于所述气槽吸盘（1）底部的、且用于防止气体泄漏与杂质进入的密封组件（3）。
8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于：所述密封组件（3）包括安装于所述气槽吸盘（1）底面的密封板（302），所述密封板（302）和所述气槽吸盘（1）的底面通过密封圈（301）密封连接。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附及掩膜版承载装置，包括机架（4）及设于其上的用于吸附及承载晶圆的气槽吸盘（1），其特征在于：所述气槽吸盘（1）在与所述晶圆接触时，通过所述气槽吸盘（1）吸附面的，
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于：所述中间扇形区（103）是有若干个以所述中心区（101）的中心点作轴线，阵列有若干个吸附单元组成的。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于：在每个所述吸附单元中，使所述中间扇形区（103）对所述晶圆的外缘产生吸附力是通过气槽单元的开设形成的；所述气槽单元包括，
4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于：所述中气槽（1032）和所述外气槽（1033）的直径相等，所述内气槽（1031）的直径大于所述中气槽（1032）。
5.根据权利要求1所述的承载装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆生，李中秋，赵元军，
申请(专利权)人：苏州盛拓半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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