System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及涉及电子电路,具体涉及一种新型的可提高隔离电压和共模瞬态抑制比的集成变压器,为一种新型集成变压器结构。
技术介绍
1、集成变压器是磁隔离器件中的重要元件。隔离电压和共模瞬态抑制比是衡量磁隔离器件的两个重要指标,且均与集成变压器的介质层厚度直接相关。介质层越厚,集成变压器的耐压也越高;同时,集成变压器的源边和副边之间的寄生电容也越小,可有效减少共模瞬态噪声,提高共模瞬态抑制比。然而,介质层越厚,所需的加工工艺就越复杂,成本也越高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种新型集成变压器结构,没有改变工艺流程,增加工艺难度,却能实现耐压能力提高100%,共模噪声电流减小50%,共模抑制比提高100%。
2、为实现上述目的,本专利技术的技术方案是设计一种新型集成变压器结构,包括依次设置的介质层与衬底层,介质层上设有位于介质层同一高度处的第一初级线圈与第二初级线圈,衬底层上设有位于衬底层同一高度处的第一次级线圈与第二次级线圈;第一初级线圈上设有第一焊盘和第二焊盘;第二初级线圈上设有第三焊盘和第四焊盘;第一初级线圈与第二初级线圈在垂直于介质层高度的方向上设有间距。两个线圈(指第一初级线圈与第二初级线圈)互不连接,且由于间距较大,两个线圈之间没有磁耦合。
3、进一步的技术方案是,第一次级线圈与第二次级线圈通过金属线串联或并联;第一初级线圈与第一次级线圈相对设置;第二初级线圈与第二次级线圈相对设置。
4、进一步的
5、进一步的技术方案为,第一初级线圈与第二初级线圈之间存在一个直流高压hv或交流高压hv时,电压分布于第一初级线圈与第一次级线圈之间的寄生电容以及第二初级线圈与第二次级线圈之间的寄生电容上。由于两个寄生电容之间为串联关系,当两者相等时,其上电压仅0.5hv,故耐压能力加倍。
6、进一步的技术方案为,当第一初级线圈与第二初级线圈之间存在斜率为dv/dt的共模瞬态变化时,第一初级线圈与第一次级线圈之间的寄生电容与第二初级线圈与第二次级线圈之间的寄生电容相等时,产生的共模噪声电流icm减半。
7、本专利技术的优点和有益效果在于:
8、1.源边和副边之间的等效隔离距离加倍,使得耐压能力提高100%;
9、2.源边和副边之间的等效寄生电容减小50%,使得共模噪声电流减小50%,共模抑制比提高100%;
10、3.在取得上述优势的情况下,没有改变工艺流程,增加工艺难度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种新型集成变压器结构,其特征在于,包括依次设置的介质层与衬底层,介质层上设有位于介质层同一高度处的第一初级线圈与第二初级线圈,衬底层上设有位于衬底层同一高度处的第一次级线圈与第二次级线圈;第一初级线圈上设有第一焊盘和第二焊盘;第二初级线圈上设有第三焊盘和第四焊盘;第一初级线圈与第二初级线圈在垂直于介质层高度的方向上设有间距。
2.根据权利要求1所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,所述第一次级线圈与第二次级线圈通过金属线串联或并联;第一初级线圈与第一次级线圈相对设置;第二初级线圈与第二次级线圈相对设置。
3.根据权利要求2所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,输入信号从第一初级线圈或第二初级线圈输入后,第一初级线圈或第二初级线圈产生第一磁场,第一磁场的部分磁感线穿过第一次级线圈或第二次级线圈,在第一次级线圈或第二次级线圈中感应出感应电流,感应电流流过第二次级线圈或第一次级线圈后产生第二磁场,第二磁场的部分磁感线穿过第二初级线圈或第一初级线圈后感应出输出电压。
4.根据权利要求3所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,第一初级线圈
5.根据权利要求4所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,当第一初级线圈与第二初级线圈之间存在斜率为dv/dt的共模瞬态变化时,第一初级线圈与第一次级线圈之间的寄生电容与第二初级线圈与第二次级线圈之间的寄生电容相等时,产生的共模噪声电流Icm减半。
...【技术特征摘要】
1.一种新型集成变压器结构,其特征在于,包括依次设置的介质层与衬底层,介质层上设有位于介质层同一高度处的第一初级线圈与第二初级线圈,衬底层上设有位于衬底层同一高度处的第一次级线圈与第二次级线圈;第一初级线圈上设有第一焊盘和第二焊盘;第二初级线圈上设有第三焊盘和第四焊盘;第一初级线圈与第二初级线圈在垂直于介质层高度的方向上设有间距。
2.根据权利要求1所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,所述第一次级线圈与第二次级线圈通过金属线串联或并联;第一初级线圈与第一次级线圈相对设置;第二初级线圈与第二次级线圈相对设置。
3.根据权利要求2所述的一种新型集成变压器结构,其特征在于,输入信号从第一初级线圈或第二初级线圈输入后,第一初级线圈或第二初级线圈产生第一磁场,第一磁场的部分磁感...
【专利技术属性】
技术研发人员:毛方玉,刘天奇,
申请(专利权)人:莱特葳芯半导体无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。