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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置。
技术介绍
1、作为具有三维结构的nand型闪速存储器或dram的字线,例如有时使用钨(w)膜。另外,有时在该w膜与绝缘膜之间使用例如氮化钛(tin)膜作为阻挡膜。另外,要求电阻比该w膜低的膜。例如,有时使用钼(mo)膜(例如,国际公开wo2022/064549号公报)。
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在低电阻的膜的形成中,在使用缺乏反应性的反应气体作为第一处理气体进行成膜的情况下,有时使向处理容器内供给的反应气体的供给量增加。另一方面,在使反应气体的供给量增加的情况下,在将反应气体从处理容器通过泵向除害部排出时,需要大量的排出时间。
3、本公开提供一种缩短来自排气系统的气体的排出时间并提高处理生产率的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本公开的一个方式,提供一种基板处理方法的技术,其使用基板处理装置,所述基板处理装置具备:处理容器,其处理基板;第一排气管,其与所述处理容器和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气装置连接;第二排气管,其与所述第一排气管并排地连接到所述排气装置和所述处理容器;贮存部,其设置于所述第二排气管;供气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的供气侧;以及排气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的排气侧,所述基板处理方法具有如下工序:
6、(a)工序,在停止了所述处理容器内的气氛的排气的状态下,向所述处理容器内
7、(b)工序,在(a)之后,在关闭所述排气阀并打开了所述供气阀的状态下,将所述处理容器内的气氛向第一排气管和所述第二排气管的所述贮存部排气;
8、(c)工序,在(b)之后,在关闭所述供气阀并停止了由所述贮存部进行的所述处理容器内的气氛的排气的状态下,利用所述第一排气管对所述处理容器内的气氛进行排气;
9、(d)工序,在(c)之后,在关闭所述供气阀并停止了由所述贮存部进行的所述处理容器内的气氛的排气的状态下,向所述处理容器内供给第二处理气体;以及
10、(e)工序,进行(a)~(d),处理所述处理容器内的所述基板。
11、专利技术效果
12、根据本公开的一个方式,能够缩短来自排气系统的气体的排出时间,提高处理生产率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理方法,其使用基板处理装置,所述基板处理装置具备:处理容器,其处理基板;第一排气管,其与所述处理容器和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气装置连接;第二排气管,其与所述第一排气管并排地连接到所述排气装置和所述处理容器;贮存部,其设置于所述第二排气管;供气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的供气侧;以及排气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的排气侧,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
6.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
7.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
8.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
9.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
10.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
11.根据权利
12.一种半导体装置的制造方法,其使用基板处理装置,所述基板处理装置具备:处理容器,其处理基板;第一排气管,其与所述处理容器和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气装置连接;第二排气管,其与所述第一排气管并排地连接到所述排气装置和所述处理容器;贮存部,其设置于所述第二排气管;供气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的供气侧;以及排气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的排气侧,其特征在于,
13.一种程序,其通过计算机控制基板处理装置,所述基板处理装置具备:处理容器,其处理基板;第一排气管,其与所述处理容器和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气装置连接;第二排气管,其与所述第一排气管并排地连接到所述排气装置和所述处理容器;贮存部,其设置于所述第二排气管;供气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的供气侧;以及排气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的排气侧,其特征在于,
14.一种基板处理装置,其特征在于,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法,其使用基板处理装置,所述基板处理装置具备:处理容器,其处理基板;第一排气管,其与所述处理容器和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气装置连接;第二排气管,其与所述第一排气管并排地连接到所述排气装置和所述处理容器;贮存部,其设置于所述第二排气管;供气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的供气侧;以及排气阀,其设置于所述第二排气管中的所述贮存部的排气侧,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
6.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
7.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,
8.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
9.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
10.根据权利要求3所述的基板处理方...
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