【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，特别涉及一种晶圆刻蚀处理方法、装置、设备和存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，湿法刻蚀是一种常用金属刻蚀的工艺，是将待刻蚀的材料浸泡在特定的刻蚀液中，通过刻蚀液与材料之间的化学反应，将未被光刻胶或其他掩蔽材料覆盖的部分去除，从而达到刻蚀的目的。
2、一些技术中，在湿法刻蚀过程中，通过增加刻蚀时间，以减少晶圆发生金属残留的情况。然而，由于不同工艺中晶圆金属膜层的厚度不同、实际图形设计不一样的问题，即使增加刻蚀时间晶圆仍容易出现金属残留的问题，如此，对制作出的芯片的性能以及可靠性造成严重影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于至少提供一种晶圆刻蚀处理方法、装置、设备和存储介质，至少可以解决由于不同工艺中晶圆金属膜层的厚度不同、实际图形设计不一样的问题，即使增加刻蚀时间晶圆仍容易出现金属残留的问题，如此，对制作出的芯片的性能以及可靠性造成严重影响的技术问题，至少可以达到改变刻蚀液对初始线路层的冲击力以及刻蚀面的侵蚀性，增加刻蚀效率，且减少刻蚀的金属残留，让刻蚀液更加容易腐蚀晶圆内的金属膜层，增加金属膜层表面刻蚀液的置换能力，减少因为反应附着物阻碍金属膜层的刻蚀效率，减少湿法刻蚀中晶圆存在金属残留的情况的发生概率。
2、为解决上述技术问题，本申请的至少一个实施例提供了一种晶圆刻蚀处理方法，包括：
3、提供装有刻蚀液的药液槽，其中，所述刻蚀液在执行刻蚀过程中沿第一方向流动；
4、将晶圆置入所述刻蚀液内
5、通过控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层。
6、本申请的至少一个实施例还提供了一种晶圆刻蚀处理装置，包括：
7、供给模块，用于提供装有刻蚀液的药液槽，其中，所述刻蚀液在执行刻蚀过程中沿第一方向流动；
8、角度调节模块，用于将晶圆置入所述刻蚀液内，所述晶圆的表面设置有待刻蚀的初始线路层，所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角呈非90度；
9、刻蚀模块，用于通过控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层。
10、本申请的至少一个实施例还提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述的晶圆刻蚀处理方法。
11、本申请的至少一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的晶圆刻蚀处理方法。
12、本申请的实施例提供的晶圆刻蚀处理方法，将晶圆置入药液槽的刻蚀液内，晶圆的表面的初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角呈非90度，通过控制刻蚀液沿第一方向流动，对初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层。如此，改变刻蚀液对初始线路层的冲击力以及刻蚀面的侵蚀性，增加刻蚀效率，且减少刻蚀的金属残留，让刻蚀液更加容易腐蚀晶圆内的金属膜层，增加金属膜层表面刻蚀液的置换能力，减少因为反应附着物阻碍金属膜层的刻蚀效率，减少湿法刻蚀中晶圆存在金属残留的情况的发生概率。
13、在一些可选的实施例中，所述初始线路层位于所述晶圆的刻蚀面上，且所述初始线路层上的线路布局方向与所述刻蚀面平行；
14、所述将晶圆置入所述刻蚀液内，包括：
15、调整待置入所述刻蚀液内的所述晶圆呈第一状态，所述第一状态为所述晶圆的所述刻蚀面与所述第一方向的夹角呈非90度；
16、将所述晶圆以维持所述第一状态的情形置入所述刻蚀液内；
17、或者，
18、所述将晶圆置入所述刻蚀液内，包括：
19、将所述晶圆以任意状态置入所述刻蚀液内；
20、调整已置入所述刻蚀液内的所述晶圆呈第二状态，所述第二状态为所述晶圆的所述刻蚀面与所述第一方向的夹角呈非90度。
21、通过在将晶圆置入刻蚀液前或将晶圆置入刻蚀液后调整初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角，改变刻蚀液对初始线路层的冲击力以及刻蚀面的侵蚀性，增加刻蚀效率，且减少刻蚀的金属残留，让刻蚀液更加容易腐蚀晶圆内的金属膜层。
22、在一些可选的实施例中，所述初始线路层包括金属膜层；
23、所述将晶圆置入所述刻蚀液内之前，还包括：
24、获取所述晶圆的设计参数，其中，所述晶圆的设计参数包括材质、所述金属膜层的厚度与线路设计参数；
25、根据所述晶圆的材质、所述金属膜层的厚度与线路设计参数，确定所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角。
26、通过根据晶圆的设计参数确定初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角，使得获得的初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角更为精确，能够有效地增强晶圆的刻蚀速率。
27、在一些可选的实施例中，所述根据所述晶圆的材质、所述金属膜层的厚度与线路设计参数，确定所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角之后，还包括：
28、根据所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角，计算得到对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀的刻蚀速率；
29、根据所述刻蚀速率，计算得到对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀的刻蚀时间；
30、所述通过控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层，包括：
31、基于所述刻蚀时间，控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到所述线路层。
32、通过计算刻蚀液对晶圆的初始线路层的刻蚀时间，使得后续在刻蚀时间结束后将晶圆从刻蚀液内取出，以便于进行后续的操作。
33、在一些可选的实施例中，所述方法还包括：
34、检测所述金属膜层的厚度是否大于预设膜层厚度；
35、当所述金属膜层的厚度大于预设膜层厚度时，对已置入所述刻蚀液内的所述晶圆进行提拉处理，以将所述晶圆提拉出所述刻蚀液的液面后再置入所述刻蚀液。
36、通过检测金属膜层的厚度是否大于预设膜层厚度，当所述金属膜层的厚度大于预设膜层厚度时，对已置入所述刻蚀液内的所述晶圆进行提拉处理，以将所述晶圆提拉出所述刻蚀液的液面后再置入所述刻蚀液。如此，在重力的作用下，反应附着物很快脱离晶圆表面，使得金属膜层的底层的金属的化学反应速率(也就是刻蚀速率)增加。
37、在一些可选的实施例中，所述通过控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层之后，还包括：
38、检测所述金属膜层的厚度是否大于预设膜层厚度；
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【技术保护点】
1.一种晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述初始线路层位于所述晶圆的刻蚀面上，且所述初始线路层上的线路布局方向与所述刻蚀面平行；
3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述初始线路层包括金属膜层；
4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述根据所述晶圆的材质、所述金属膜层的厚度与线路设计参数，确定所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述通过控制所述刻蚀液沿所述第一方向流动，对所述初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层之后，还包括：
7.根据权利要求5或6所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述对已置入所述刻蚀液内的所述晶圆进行提拉处理，包括：
8.一种晶圆刻蚀处理装置，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述初始线路层位于所述晶圆的刻蚀面上，且所述初始线路层上的线路布局方向与所述刻蚀面平行；
3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述初始线路层包括金属膜层；
4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述根据所述晶圆的材质、所述金属膜层的厚度与线路设计参数，确定所述初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀处理方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘方，祁亚锋，秦羽，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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