【技术实现步骤摘要】
公开了半导体纳米颗粒、制造半导体纳米颗粒的方法以及包括半导体纳米颗粒的电子装置。
技术介绍
1、半导体纳米颗粒可表现出与具有基本相同组成的对应块体材料不同的方面、特性或性质。例如，半导体纳米颗粒可具有基于纳米结构的不同物理性质(例如，带隙能量、发光性质等)。半导体纳米颗粒可被构造为在被入射光或施加的电压激发时发射光。发光纳米结构可适用于各种装置(例如，显示面板或包括显示面板的电子装置)。从环境角度看，期望的是：开发不包含诸如镉的有害重金属的发光纳米颗粒，并且还实现一种或多种发光或光学性质上的改善。
技术实现思路
1、一方面涉及包括半导体纳米颗粒的颜色转换面板，所述半导体纳米颗粒能够发射光并且表现出改善的光学性质(例如，相对高的激发光吸光度或窄的半峰全宽)和改善的稳定性(例如，工艺稳定性和/或化学稳定性)。
2、一方面涉及半导体纳米颗粒的群体。
3、一方面涉及制造半导体纳米颗粒的方法。
4、一方面涉及包括半导体纳米颗粒的颜色转换面板。
5、一方面涉及包括半导体纳米颗粒的组合物(例如，油墨组合物)。
6、一方面涉及包括半导体纳米颗粒或颜色转换面板的电子装置(例如，显示装置)。
7、一方面，半导体纳米颗粒包括银、铟、镓和硫，其中，半导体纳米颗粒被构造为发射绿光。
8、半导体纳米颗粒具有如等式1定义的大于或等于约0.25至小于或等于约0.9的锌的相对摩尔值：
9、等式1
10、锌的相
11、其中，在等式1中，
12、[ag]、[in]、[ga]和[zn]分别是半导体纳米颗粒中的银、铟、镓和锌的摩尔量，并且
13、其中，镓与铟的摩尔比(ga:in)为大于约2.5:1且小于约5.6:1，或者小于或等于约5:1。
14、在实施例中，半导体纳米颗粒可具有由以下等式2表示的大于或等于约0.8、大于或等于约0.9、大于或等于约0.93且小于或等于约1.4、小于或等于约1.35、或者小于或等于约1.1的电荷平衡值：
15、等式2
16、电荷平衡值＝{[ag]+3([in]+[ga])+2[zn]}/2[s]
17、其中，在等式2中，[ag]、[in]、[ga]、[zn]和[s]分别是半导体纳米颗粒中银、铟、镓、锌和硫的摩尔量。
18、在半导体纳米颗粒中，锌的相对摩尔值可大于或等于约0.28、大于或等于约0.35，且小于或等于约0.48、小于或等于约0.43、小于或等于约0.33、或小于或等于约0.31。
19、在半导体纳米颗粒中，锌的相对摩尔值可大于约0.48、或大于或等于约0.6，且小于或等于约0.75、或小于或等于约0.67。
20、在半导体纳米颗粒中，镓与铟的摩尔比(ga:in)可大于或等于约2.9:1、或大于或等于约3.5:1。在半导体纳米颗粒中，镓与铟的摩尔比(ga:in)可小于或等于约5:1、小于或等于约4.5:1、小于或等于约4:1、或小于或等于约3.9:1。
21、在半导体纳米颗粒中，镓与铟和镓的总和的摩尔比(ga:(in+ga))可大于约0.72:1、或大于或等于约0.73:1，且小于或等于约0.84:1或小于或等于约0.8:1。
22、在半导体纳米颗粒中，锌与铟的摩尔比(zn:in)可大于或等于约2.7:1，且小于或等于约10.5:1或小于或等于约5.9:1。
23、在半导体纳米颗粒中，硫与铟的摩尔比(s:in)可大于或等于约7.5:1、或大于或等于约9:1，且小于或等于约17:1或小于或等于约12:1。
24、在半导体纳米颗粒中，银与铟的摩尔比(ag:in)可大于或等于约1.1:1或大于或等于约2.1:1，且小于或等于约5:1或小于或等于约3.1:1。
25、在半导体纳米颗粒中，镓与银的摩尔比(ga:ag)可大于或等于约1.1:1或大于或等于约1.4:1，且小于或等于约3:1或小于或等于约2.8:1。
26、在半导体纳米颗粒中，镓与镓、铟和银的总和的摩尔比(ga:(ga+in+ag))可大于或等于约0.45:1或大于或等于约0.48:1，且小于或等于约0.7:1或小于或等于约0.6:1。
27、在半导体纳米颗粒中，锌与硫的摩尔比(zn:s)可大于或等于约0.1:1。在半导体纳米颗粒中，锌与硫的摩尔比(zn:s)可小于或等于约0.8:1。
28、在半导体纳米颗粒中，铟和镓的总和与硫的摩尔比((in+ga):s)可大于或等于约0.1:1或大于或等于约0.25:1。铟和镓的总和与硫的摩尔比((in+ga):s)可小于或等于约0.8:1或小于或等于约0.5:1。
29、在半导体纳米颗粒中，银与硫的摩尔比(ag:s)可大于或等于约0.1:1。银与硫的摩尔比(ag:s)可小于或等于约0.5:1或小于或等于约0.33:1。
30、在半导体纳米颗粒中，银与银、铟和镓的总和的摩尔比(ag:(ag+in+ga))可大于或等于约0.2:1或大于或等于约0.3:1。在半导体纳米颗粒中，银与银、铟和镓的总和的摩尔比(ag:(ag+in+ga))可小于或等于约0.5:1或小于或等于约0.4:1。
31、在半导体纳米颗粒中，硫与银、铟和镓的总和的摩尔比(s:(ag+in+ga))可大于或等于约1:1。在半导体纳米颗粒中，硫与银、铟和镓的总和的摩尔比(s:(ag+in+ga))可小于或等于约2.5:1。
32、在半导体纳米颗粒中，硫与银、铟、镓和锌的总和的摩尔比(s:(ag+in+ga+zn))可大于或等于约0.8且小于或等于约1.3:1。
33、在半导体纳米颗粒中，铟和镓的总和与银的摩尔比((in+ga):ag)可大于或等于约1.4:1且小于或等于约3.7:1。
34、半导体纳米颗粒可包括包含银、铟、镓和硫的第一颗粒，以及设置在第一颗粒上并包括锌和硫的半导体纳米晶体层。
35、第一颗粒可包括第一半导体纳米晶体并且可选地包括第二半导体纳米晶体。第一半导体纳米晶体可包括银、铟、镓和硫。
36、第一半导体纳米晶体或第一颗粒可不包括锌。
37、在半导体纳米颗粒中，第二半导体纳米晶体可设置在第一半导体纳米晶体上或者可围绕第一半导体纳米晶体的至少一部分。第二半导体纳米晶体可包括镓、硫并且可选地包括银。半导体纳米晶体层可包括包含锌和硫的第三半导体纳米晶体。第二半导体纳米晶体可具有与第一半导体纳米晶体和第三半导体纳米晶体不同的组成。第三半导体纳米晶体可包括硫化锌。第三半导体纳米晶体可具有与第一半导体纳米晶体不同的组成。半导体纳米晶体层或第三半导体纳米晶体可提供半导体纳米颗粒的最外层。
38、在半导体纳米颗粒中，第二半导体纳米晶体可设置在第一半导体纳米晶体与半本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体纳米颗粒，包括银、铟、镓和硫，其中，所述半导体纳米颗粒被构造为发射绿光，
2.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体纳米颗粒，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，绿光的峰值发射波长大于或等于500nm且小于或等于580nm，并且
10.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
11.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
12.一种制造根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒的方法，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
15.根据权利要求12所述的方法
16.一种复合物，包括基质和分散在基质中的根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒。
17.根据权利要求16所述的复合物，其中，
18.一种颜色转换结构，包括：
19.一种电子装置，包括根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米颗粒，包括银、铟、镓和硫，其中，所述半导体纳米颗粒被构造为发射绿光，
2.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体纳米颗粒，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体纳米颗粒，其中，绿光的峰值发射波长大于或等于500nm且小于或等于580nm，并且
10.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：权秀暻，杨承林，曹雅罗，金善英，元那渊，李准浩，林美惠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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