【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及显示，尤其涉及一种显示模组及制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着5g通信技术的广泛应用，产生了元宇宙概念。在硬件设备方面，元宇宙需要用到增强现实技术(augmented reality，ar)、虚拟现实技术(virtual reality，vr)等近眼显示设备(near-eye display，ned)。
2、然而，常规显示设备的亮度、像素分辨率难以满足需求。
3、量子点发光二极管(quantum light-emitting diode，qled)包括高亮度、高色纯度、高发光效率的优点，但实现微米级、亚微米级像素密度存在一定工艺难度。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种显示模组及制备方法、电子设备，实现量子点发光二极管中发光子像素的小型化。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请的第一方面，提供一种显示模组，包括：衬底，以及设置在衬底上的多个发光子像素；该多个发光子像素包括：第一电极层、绝缘掩膜板、发光层和第二电极层；该第一电极层、该绝缘掩膜板和该第二电极层沿远离衬底的方向依次层叠设置；该发光层包括发光材料，该绝缘掩膜板包括多个像素化通孔，该发光材料分别设置于该多个像素化通孔中；该多个像素化通孔与该多个发光子像素一一对应；该多个像素化通孔的孔径为10nm-5um。由此，孔的尺寸为微米级、亚微米级别，发光材料填充在该多个像素化通孔中，作为发光层，该多个像素化通孔和该多个发光子像素一一对应。实现
4、一种可选的实现方式中，量子点材料包括：三维量子点、二维量子片或一维量子棒结构，可以进一步收缩量子点发光二极管器件的出光光角，提高近眼显示设备的性能。
5、一种可选的实现方式中，该绝缘掩膜板采用阳极氧化铝掩膜板或介质掩膜板。由此，阳极氧化铝掩膜板和介质掩膜板均可以用于发光层中，实现纳米到微米级的像素化显示。
6、一种可选的实现方式中，该阳极氧化铝掩膜板由铝膜在酸性溶液中通过阳极电化学氧化工艺腐蚀形成。由此，铝膜在酸性溶液中发生阳极电化学反应，形成包括多个像素化通孔的阳极氧化铝掩膜板，通过电化学氧化工艺参数调节，例如通过调整像素化通孔的孔径、深度、密度，可以对应实现对发光子像素的大小、厚度及密度可控调节。
7、一种可选的实现方式中，该介质掩膜板由介质膜光刻、刻蚀形成。由此，可以无需借助铝膜的电化学氧化反应，规避了复杂的电化学工艺调控步骤，并且结合光刻-刻蚀等微纳加工工艺，所形成的像素排列、形状更多样可控。
8、一种可选的实现方式中，该介质膜的材质包括：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、硅氮烷聚合物、硫化锌、氮氧化硅。由此，采用上述材料的介质膜绝缘，且能够通过光刻、刻蚀工艺形成多个像素化通孔，材料选择更多。
9、一种可选的实现方式中，该显示模组包括：多个像素区域，每个像素区域包括至少三个相邻且分别用于显示三原色的发光子像素；该多个像素区域的发光层由分区域注入至所述绝缘掩膜板的所述多个像素化通孔中的不同颜色的所述发光材料形成，该发光材料的颜色与该发光子像素显示的颜色相对应。由此，可以形成包括红绿蓝三色发光子像素的全彩量子点显示模组。
10、一种可选的实现方式中，该显示模组还包括：空穴注入层和空穴传输层，该空穴注入层位于该第一电极层远离该驱动背板的一侧，该空穴传输层位于该空穴注入层和该发光层之间，该空穴注入层和该空穴传输层位于该绝缘掩膜板的多个像素化通孔中。由此，可以使得空穴注入层和空穴传输层均通过像素化填充工艺成型。
11、一种可选的实现方式中，该显示模组还包括：电子传输层，该电子传输层位于该发光层和该第二电极层之间，该电子传输层位于该绝缘掩膜板的多个像素化通孔中。由此，可以使得电子传输层通过像素化填充工艺成型。
12、一种可选的实现方式中，该第二电极层位于该绝缘掩膜板的多个像素化通孔中。由此，可以使得第二电极层通过像素化填充工艺成型。
13、一种可选的实现方式中，该量子点材料通过喷墨打印、旋涂、滴涂、光刻或电化学沉积工艺注入至该多个像素化通孔中。由此，该量子点材料的填充工艺包括极高的适配性，降低了工艺难度。
14、本申请的第二方面，提供一种显示模组，包括：衬底，以及设置在衬底上的多个发光子像素；该多个发光子像素包括：第一电极层、铝膜、介质膜、多个阳极氧化铝掩膜板、发光层和第二电极层，该第一电极层、该铝膜、该介质膜和该第二电极层沿远离衬底的方向依次层叠设置；该多个阳极氧化铝掩膜板设置于该铝膜中，该发光层包括发光材料，该阳极氧化铝掩膜板包括多个通孔，该发光材料分别设置于该多个通孔中；该介质膜包括多个像素化通孔，该多个像素化通孔的孔径为10nm-5um，该多个阳极氧化铝掩膜板与该多个像素化通孔一一对应，且该多个像素化通孔与该多个发光子像素一一对应。由此，与上述的显示模组相比，可以仅在介质膜像素化通孔位置形成阳极氧化铝绝缘掩膜板，阳极氧化铝绝缘掩膜板中形成尺寸为亚微米、纳米级别的量子点的柱形量子点填充材料，在其他位置保留铝膜结构，铝膜可作为金属挡墙，在铝膜形成的保护层作用下，可减少像素串扰，优化出光光形。此外，铝金属的高反射界面可形成反射杯结构，优化出光光形，使得光形收窄，有利于量子点发光器件与波导模组的耦合，增大整体系统的出光效率，降低功耗，提升近眼显示设备的性能。
15、一种可选的实现方式中，该阳极氧化铝掩膜板由铝膜在酸性溶液中通过阳极电化学氧化工艺腐蚀形成。
16、一种可选的实现方式中，该介质膜上的多个像素化通孔通过光刻、刻蚀的工艺形成。
17、一种可选的实现方式中，显示模组包括：多个像素区域，每个像素区域包括至少三个相邻且分别用于显示三原色的发光子像素；多个像素区域的发光层由多个像素化通孔分区域注入至所述绝缘掩膜板的多个通孔中的不同颜色的所述发光材料形成。
18、一种可选的实现方式中，该显示模组还包括：空穴注入层和空穴传输层，该空穴注入层位于该第一电极层远离该衬底的一侧，该空穴传输层位于该空穴注入层和该发光层之间。
19、一种可选的实现方式中，该显示模组还包括：电子传输层，该电子传输层位于该发光层和该第二电极层之间。
20、本申请的第三方面，提供一种显示装置的制备方法，该方法包括：在衬底上形成第一电极层；在该第一电极层远离该衬底的一侧设置绝缘掩膜板，该绝缘掩膜板包括多个像素化通孔，该多个像素化通孔的孔径为10nm-5um；将发光材料注入该绝缘掩膜板的该多个像素化通孔中，得到发光层；该第一电极层、该发光层和该第二电极层形成多个发本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示模组，其特征在于，包括：衬底，以及设置在衬底上的多个发光子像素；所述多个发光子像素包括：第一电极层、绝缘掩膜板、发光层和第二电极层；
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述绝缘掩膜板采用阳极氧化铝掩膜板或介质掩膜板。
3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述阳极氧化铝掩膜板由铝膜在酸性溶液中通过阳极电化学氧化工艺腐蚀形成。
4.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述介质掩膜板由介质膜光刻、刻蚀形成。
5.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，所述介质膜的材质包括：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、硅氮烷聚合物、硫化锌、氮氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：多个像素区域，每个像素区域包括至少三个分别用于显示三原色的所述发光子像素；
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：电子传输层，所述电子传输层位于所述发光层和所述第二电极层之间，所述电子传输层设置于所述多个像素化通孔中。
9.根据权利要求8所述的显示模组，其特征在于，所述第二电极层位于所述绝缘掩膜板的多个像素化通孔中。
10.根据权利要求1-9任一项所述的显示模组，其特征在于，所述量子点材料的填充工艺包括：喷墨打印、旋涂、滴涂、光刻或电化学沉积工艺。
11.根据权利要求1-10任一项所述的显示模组，其特征在于，所述绝缘掩膜板的多个像素化通孔的内侧壁设有保护层。
12.一种显示模组，其特征在于，包括：衬底，以及设置在衬底上的多个发光子像素；所述多个发光子像素包括：第一电极层、铝膜、介质膜、多个阳极氧化铝掩膜板、发光层和第二电极层，所述第一电极层、所述铝膜、所述介质膜和所述第二电极层沿远离衬底的方向依次层叠设置；
13.根据权利要求12所述的显示模组，其特征在于，所述阳极氧化铝掩膜板由所述铝膜在酸性溶液中通过阳极电化学氧化工艺腐蚀形成。
14.根据权利要求12或13所述的显示模组，其特征在于，所述介质膜上的多个像素化通孔通过光刻、刻蚀的工艺形成。
15.根据权利要求12-14任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：多个像素区域，每个像素区域包括至少三个分别用于显示三原色的所述发光子像素；
16.根据权利要求12-15任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：空穴注入层、空穴传输层和电子传输层，所述空穴注入层位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述电子传输层位于所述发光层和所述第二电极层之间。
17.根据权利要求12-16任一项所述的显示模组，其特征在于，所述阳极氧化铝掩膜板的多个通孔的内侧壁设有保护层。
18.一种显示模组的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
19.一种显示模组的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
20.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和如权利要求1-17任一项所述的显示模组，所述处理器用于控制所述显示模组显示图像。
21.根据权利要求20所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为近眼显示设备。
...【技术特征摘要】
1.一种显示模组，其特征在于，包括：衬底，以及设置在衬底上的多个发光子像素；所述多个发光子像素包括：第一电极层、绝缘掩膜板、发光层和第二电极层；
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述绝缘掩膜板采用阳极氧化铝掩膜板或介质掩膜板。
3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述阳极氧化铝掩膜板由铝膜在酸性溶液中通过阳极电化学氧化工艺腐蚀形成。
4.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述介质掩膜板由介质膜光刻、刻蚀形成。
5.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，所述介质膜的材质包括：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、硅氮烷聚合物、硫化锌、氮氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：多个像素区域，每个像素区域包括至少三个分别用于显示三原色的所述发光子像素；
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述空穴注入层和所述空穴传输层设置于所述多个像素化通孔中。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：电子传输层，所述电子传输层位于所述发光层和所述第二电极层之间，所述电子传输层设置于所述多个像素化通孔中。
9.根据权利要求8所述的显示模组，其特征在于，所述第二电极层位于所述绝缘掩膜板的多个像素化通孔中。
10.根据权利要求1-9任一项所述的显示模组，其特征在于，所述量子点材料的填充工艺包括：喷墨打印、旋涂、滴涂、光刻或电化学沉积工艺。
11.根据权利要求1-10任...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，杨以娜，张利，张峰梅，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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