【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种高散热性的封装体及其制备方法。
技术介绍
1、对于一些封装结构产品，在芯片的一侧形成塑封层可以保护芯片内部的电路不受外界环境的影响。
2、对于该类产品，传统工艺通常是直接在芯片的一侧形成塑封材料，然后进行固化，形成塑封层。但是，采用该种方式形成的产品散热性能较差。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种能够提高产品散热性能的高散热性的封装体及其制备方法。
2、一种高散热性的封装体，包括：
3、基底；
4、芯片，位于所述基底的一侧；
5、塑封层，覆盖所述基底以及所述芯片，所述塑封层内设有至少一层散热通道，所述散热通道由所述塑封层的一侧贯通至所述塑封层的另一侧。
6、在其中一个实施例中，所述塑封层包括n层子塑封层，第i层所述子塑封层的远离所述基底的一侧具有第一凹槽，其中，n≥2，1≤i＜n，且n和i为正整数；
7、所述散热通道位于所述第一凹槽与第i+1层所述子塑封层之间。
8、在其中一个实施例中，第i+1层所述子塑封层靠近第i层所述子塑封层的一侧具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述基底上的正投影与所述第一凹槽在所述基底上的正投影存在交叠；
9、所述散热通道位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间。
10、在其中一个实施例中，所述塑封层还包括：
11、第一衬垫层，覆盖所述第一凹槽的内壁；
12、第二衬垫层，覆盖所述第二凹
13、在其中一个实施例中，所述塑封层还包括：
14、第一衬垫层，覆盖所述第一凹槽的内壁；
15、第一隔离膜，位于所述第一衬垫层的远离所述基底的一侧，且所述散热通道位于所述第一凹槽中的所述第一衬垫层与所述第一隔离膜之间。
16、在其中一个实施例中，所述塑封层还包括：
17、第三凹槽，位于所述第一凹槽的至少一侧，贯通所述第一隔离膜且暴露出部分第i层所述子塑封层；
18、第i+1层所述子塑封层填充所述第三凹槽并覆盖所述第i层所述子塑封层。
19、在其中一个实施例中，所述塑封层还包括第四衬垫层，第四衬垫层位于所述第一隔离膜与第i+1层所述子塑封层之间；
20、所述第三凹槽贯通所述第四衬垫层以及所述第一隔离膜。
21、在其中一个实施例中，所述第一衬垫层还覆盖所述第一凹槽之外的所述第i层所述子塑封层的远离所述基底的表面；
22、所述第三凹槽贯通所述第一隔离膜以及所述第一衬垫层。
23、在其中一个实施例中，所述塑封层还包括：
24、散热结构，位于所述散热通道内。
25、在其中一个实施例中，塑封层内设有碳纳米管，所述碳纳米管由所述塑封层的一侧延伸至所述塑封层的另一侧，所述散热通道位于所述碳纳米管内。
26、一种高散热性的封装体的制备方法，包括：
27、提供基底；
28、于所述基底的一侧形成芯片；
29、于所述基底的形成有所述芯片一侧形成第i层子塑封层，所述第i层所述子塑封层的远离所述基底的一侧具有第一凹槽；
30、于第i层所述子塑封层上形成第i+1层所述子塑封层，以在所述第一凹槽与第i+1层所述子塑封层之间形成散热通道，其中，1≤i＜n，n≥2，且n和i为正整数。
31、在其中一个实施例中，第一层子塑封层的厚度小于所述芯片的高度，形成第一层子塑封层之后，包括：
32、沿第一层所述子塑封层的远离所述基底的表面以及所述芯片表面贴附第二隔离膜；
33、于所述第二隔离膜上进行倒模处理，形成第一模具；
34、基于所述第一模具形成第二层子塑封层，所述第二层所述子塑封层上具有第二凹槽；
35、于第一层所述子塑封层的所述第一凹槽的内壁形成第一衬垫层；
36、于第二层所述子塑封层的所述第二凹槽的内壁形成第二衬垫层；
37、将第二层所述子塑封层倒置于第一层所述子塑封层上并进行复合。
38、在其中一个实施例中，所述于第i层所述子塑封层上形成第i+1层所述子塑封层之前，包括：
39、于第i层所述子塑封层的远离基底的一侧形成第一衬垫层；
40、于所述第一衬垫层的远离所述基底的一侧形成第一隔离膜，所述散热通道位于所述第一凹槽中的所述第一衬垫层与所述第一隔离膜之间；
41、于所述第一隔离膜的远离所述基底一侧形成第四衬垫层。
42、在其中一个实施例中，所述于所述第一隔离膜的远离所述基底一侧形成第四衬垫层之后，包括：
43、对所述第一凹槽的至少一侧进行刻蚀，以形成贯通所述第四衬垫层、所述第一隔离膜以及所述第一衬垫层，且暴露出部分第i层所述子塑封层的第三凹槽。
44、本申请提供的上述高散热性的封装体包括基底、芯片以及塑封层，塑封层覆盖基底与芯片。塑封层中设有至少一层散热通道，散热通道由塑封层的一侧贯通至塑封层的另一侧。由于散热通道是贯通塑封层的，所以可以通入气体或液体或散热更好的材料来将芯片产生的热量带走或导出，从而有效的增加产品的散热能力。
45、同时，本申请高散热性的封装体的制备方法，在第i层子塑封层与第i+1层所述子塑封层之间形成散热通道，可以获得至少一层散热通道。通过在散热通道中通入气体或液体或散热更好的材料来将芯片产生的热量带走或导出，从而达到提高产生散热性能的目的。
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1.一种高散热性的封装体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层包括n层子塑封层，第i层所述子塑封层的远离所述基底的一侧具有第一凹槽，其中，n≥2，1≤i＜n，且n和i为正整数；
3.根据权利要求2所述的高散热性的封装体，其特征在于，第i+1层所述子塑封层靠近第i层所述子塑封层的一侧具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述基底上的正投影与所述第一凹槽在所述基底上的正投影存在交叠；
4.根据权利要求3所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括：
5.根据权利要求2所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括：
6.根据权利要求5所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括：
7.根据权利要求6所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括第四衬垫层，第四衬垫层位于所述第一隔离膜与第i+1层所述子塑封层之间；
8.根据权利要求6所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述第一衬垫层还覆盖所述第一凹槽之外的所述第i层所述子塑封层的远离所述
9.根据权利要求1所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括散热结构，所述散热结构位于所述散热通道内；或者，
10.一种高散热性的封装体的制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高散热性的封装体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层包括n层子塑封层，第i层所述子塑封层的远离所述基底的一侧具有第一凹槽，其中，n≥2，1≤i＜n，且n和i为正整数；
3.根据权利要求2所述的高散热性的封装体，其特征在于，第i+1层所述子塑封层靠近第i层所述子塑封层的一侧具有第二凹槽，所述第二凹槽在所述基底上的正投影与所述第一凹槽在所述基底上的正投影存在交叠；
4.根据权利要求3所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑封层还包括：
5.根据权利要求2所述的高散热性的封装体，其特征在于，所述塑...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏江，李宗怿，唐彬杰，冯彬，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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