【技术实现步骤摘要】
本申请属于红外探测器，尤其涉及一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法及霍尔器件测试方法。
技术介绍
1、为了制备高质量红外探测器件材料，需要进行霍尔测试，以利用霍尔效应，准确表征出载流子的电输运特性，从而通过优化碲镉汞材料中各种导电类型的载流子浓度和迁移率，降低暗电流，提高红外探测器件性能，因此用于霍尔测试的霍尔器件制备尤为关键。
2、传统用于碲镉汞霍尔测试的器件制备方法多为芯片四角引线焊接法，即，将芯片的四个角去除钝化层，然后焊接导线作为电极，通过四个霍尔电极测试器件的霍尔特性。但是此方法制备的霍尔器件形状简单，导致金属接触尺寸和位置引起的测试误差较大，测试信号低，测试灵敏度和测试精度较差；需要分开对纵向电阻和霍尔电阻进行测试，测试步骤多，测试时间长。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法及霍尔器件测试方法，用以至少解决传统制备方法制备的霍尔器件测试精度差和测试效率低的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法，包括：
3、在预处理后的碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶，所述预处理后的碲镉汞芯片包括钝化层和p型的碲镉汞层；
4、在光刻胶固化后，对碲镉汞芯片进行第一次光刻得到目标光刻图形；
5、将目标光刻图形中没有光刻胶保护的钝化层和p型的碲镉汞层腐蚀掉，得到霍尔棒的台面结构；
6、去除碲镉汞芯片表面的光刻胶；
7、重新在碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶
8、将镉汞芯片表面没有光刻胶保护的钝化层腐蚀掉；
9、在碲镉汞芯片表面生长金属电极；
10、对碲镉汞芯片表面进行划片，得到多个霍尔器件。
11、第二方面，本申请实施例提供一种霍尔器件测试方法，所述测试方法应用于通过如第一方面中任一实施例所述的用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法制备得到的霍尔器件；
12、所述测试方法包括：
13、将霍尔器件利用封装焊接，并在所述霍尔器件的目标区域引出金属线以焊接到样品托上，所述目标区域为所述霍尔器件的需要电学引出的金属区域；
14、利用样品托对所述霍尔器件进行霍尔测试，得到测试数据。
15、本申请实施例的用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法及霍尔器件测试方法，制备方法主要包括碲镉汞芯片表面一次光刻，腐蚀钝化层和碲镉汞层，将碲镉汞制备成霍尔棒的形状；碲镉汞芯片表面二次光刻，腐蚀钝化层，露出没有钝化层的碲镉汞表面，生长金属电极，最终得到霍尔棒结构器件。该方法制备的结构器件可以同时进行霍尔电阻和纵向电阻测试，测试步骤少，测试时间短，测试效率高；并且，该方法制备的结构器件设计尺寸精确，因此金属接触尺寸和位置引起的测试误差小，测试精度和测试灵敏度高，可以更加准确地得到碲镉汞材料的载流子浓度、载流子迁移率、霍尔系数等载流子的电输运特性。从而实现优化器件工艺，提高探测器性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预处理后的碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对带有钝化层的碲镉汞芯片进行热处理以形成P型的碲镉汞层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对碲镉汞芯片进行第一次光刻得到目标光刻图形，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在碲镉汞芯片表面生长金属电极之后，在对碲镉汞芯片表面进行划片之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为碲化镉膜层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属电极包括铬金属和金金属。
8.一种霍尔器件测试方法，其特征在于，所述测试方法应用于通过如权利要求1-7中任一项所述的用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法制备得到的霍尔器件；
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述测试数据至少包括：霍尔电阻、纵向电阻、载流子浓度和迁移率谱。>...
【技术特征摘要】
1.一种用于碲镉汞霍尔测试的器件制样方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预处理后的碲镉汞芯片表面涂覆光刻胶之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对带有钝化层的碲镉汞芯片进行热处理以形成p型的碲镉汞层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对碲镉汞芯片进行第一次光刻得到目标光刻图形，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在碲镉汞芯片表面生长金属电极之后...
【专利技术属性】
技术研发人员：王娇，戴永喜，李浩冉，刘世光，刘兴新，王鑫，吴卿，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。