【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体存储器结构及其形成方法，且特别是关于动态随机存取存储器及其形成方法。
技术介绍
1、为了增加动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)装置内的器件密度以及改善其整体表现，目前dram装置的制造技术持续朝向器件尺寸的微缩化而努力。因此，改进dram装置的制造方法是目前必须面对的重要课题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供半导体存储器结构的形成方法。此方法包含形成底电极层于主动区之上，沉积第一高介电常数介电材料于底电极层之上，沉积第二高介电常数介电材料于第一高介电常数介电材料之上，对第一高介电常数介电材料和第二高介电常数介电材料进行退火工艺，在退火工艺之后，沉积第三高介电常数介电材料于第二高介电常数介电材料之上；以及形成顶电极层于第三高介电常数介电材料之上。
2、本专利技术实施例提供半导体存储器结构。此半导体存储器结构包含设置于基底之上的晶体管、设置于晶体管之上且电连接至晶体管的第一源极/漏极区的底电极层、以及电容介电膜。电容介电膜包含依序设置于底电极层之上的第一氧化锆层、氧化铝层、以及第二氧化锆层。氧化锆层的晶粒具有第一平均尺寸，第二氧化锆层的晶粒具有第二平均尺寸，且第一平均尺寸大于第二平均尺寸。此半导体存储器结构还包含设置于电容介电膜之上的顶电极层。
3、本专利技术可以降低电容器之间发生短路的风险，从而改善半导体存储器装置的制造良品率。
【技术保护点】
1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，在该退火工艺期间，该第一高介电常数介电材料中的锆原子扩散至该第二高介电常数介电材料中。
3.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，在该退火工艺之前的该第一高介电常数介电材料的晶粒具有一第一平均尺寸，且该退火工艺之后该第一高介电常数介电材料的晶粒具有一第二平均尺寸，该第二平均尺寸大于该第一平均尺寸。
4.如权利要求3所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，该第三高介电常数介电材料的晶粒具有一第三平均尺寸，该第三平均尺寸小于该第二平均尺寸。
5.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，沉积该第一高介电常数介电材料与沉积该第二高介电常数介电材料是在同一沉积设备中连续进行。
6.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，该退火工艺是在一热处理设备中进行，且在该退火工艺期间，该第二高介电常数介电材料的表面暴露于一工艺气氛。
7.如权利要求1所述
8.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，形成该第一高介电常数介电材料包括：采用一第一沉积循环进行一第一原子层沉积，形成该第三高介电常数介电材料包括：采用一第二沉积循环进行一第二原子层沉积，该第一沉积循环的次数比该第二沉积循环的次数多。
9.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，在一平面图中，该底电极层具有一环形轮廓。
11.如权利要求10所述的半导体存储器结构，其特征在于，该电容介电膜延伸于该底电极层的该环形轮廓的一内侧表面以及一外侧表面。
12.如权利要求10所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：
13.如权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，该氧化铝层含锆且具有：
14.如权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：
15.如权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，该第一氧化锆层具有一第一结晶度，且该第二氧化锆层具有小于该第一结晶度的一第二结晶度。
16.如权利要求9所述的半导体存储器结构，其特征在于，更包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，在该退火工艺期间，该第一高介电常数介电材料中的锆原子扩散至该第二高介电常数介电材料中。
3.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，在该退火工艺之前的该第一高介电常数介电材料的晶粒具有一第一平均尺寸，且该退火工艺之后该第一高介电常数介电材料的晶粒具有一第二平均尺寸，该第二平均尺寸大于该第一平均尺寸。
4.如权利要求3所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，该第三高介电常数介电材料的晶粒具有一第三平均尺寸，该第三平均尺寸小于该第二平均尺寸。
5.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，沉积该第一高介电常数介电材料与沉积该第二高介电常数介电材料是在同一沉积设备中连续进行。
6.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，该退火工艺是在一热处理设备中进行，且在该退火工艺期间，该第二高介电常数介电材料的表面暴露于一工艺气氛。
7.如权利要求1所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，更包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：林佶民，陈品宏，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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