【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
1、掩膜工艺校正(mask process correction，即mpc)是在使用电子束曝光和蚀刻工艺制造掩膜时，对电子束曝光图案做校正，使得制造得到的最终掩膜图案与目标掩膜图案一致。大规模集成电路制造中光刻工艺使用的掩膜通常由电子束曝光和蚀刻工艺制造获得。由于电子束散射、蚀刻偏差等效应，制造获得的最终掩膜图案和电子束曝光图案之间存在差异。如图1-1所示，假设电子束曝光图案和目标掩膜图案完全相同，制造得到的最终掩膜图案与目标掩膜图案存在一定的偏差，如图1-2所示。因此，在先进的光刻工艺制程(28纳米及以下)引入了掩膜工艺校正(mask process correction，即mpc)技术。如图1-3所示，电子束曝光图案在目标掩膜图案的基础上进行了校正，使得获得的最终掩膜图案更接近目标掩膜图案，如图1-4所示。
2、掩膜工艺校正包括基于规则的和基于模型的两种。在基于模型的掩膜工艺校正中，首先需要建立掩膜工艺校正模型，该模型可以对给定的电子束曝光图案，预测其经过掩膜制造工艺后得到的最终掩膜图案。之后建立掩膜工艺校正程序，并对目标掩膜图案运行校正程序。如图2-1所示，在运行掩膜校正程序时，需对原始掩膜图案进行边缘段切分，并在边缘段上放置控制点。再根据掩膜工艺校正模型计算控制点的边缘放置误差(edgeplacement error，即epe)，最后基于边缘放置误差移动边缘段进行校正。边缘放误差的计算一般基于二维密集仿真网格进行
3、因此，如何兼顾掩膜工艺校正中的校正高精度与处理高速度，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质，以解决现有技术中的掩膜工艺校正无法兼顾校正精度与处理速度的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜工艺校正方法，包括：
3、接收原始掩膜图案及目标仿真图案；
4、对所述原始掩膜图案进行边缘段切分，将所述原始掩膜图案转换为多个边缘段围成的图形；
5、通过预训练的校正集约模型对所述原始掩膜图案进行仿真模拟，得到各个所述边缘段对应的掩膜工艺偏差值；所述校正集约模型为根据整体偏差、电子束曝光偏差及蚀刻偏差计算所述掩膜工艺偏差值的模型；
6、根据所述原始掩膜图案与所述目标仿真图案，确定各个所述边缘段的原始设计偏差值；
7、根据所述原始设计偏差值与所述掩膜工艺偏差值确定各个所述边缘段对应的边缘放置误差；
8、根据所述边缘放置误差对对应的边缘段的位置进行调整，得到校正掩膜图案。
9、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，所述校正集约模型通过下式计算所述边缘段的掩膜工艺偏差值：
10、b=c+eb(i0)+et(x,y)；
11、其中，b为所述掩膜工艺偏差值；c为所述整体偏差，所述整体偏差为常数；eb(i0)为所述电子束曝光偏差；et(x,y)为所述蚀刻偏差。
12、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，在计算各个所述边缘段的掩膜工艺偏差值之前，还包括：
13、判断各个所述边缘段的长度是否超过预设的临界长度；
14、相应地，通过预训练的校正集约模型对所述边缘段进行仿真模拟，得到对应的掩膜工艺偏差值包括：
15、当所述边缘段的长度超过所述临界长度时，通过预训练的一维校正集约模型对所述边缘段进行仿真模拟，得到对应的掩膜工艺偏差值；
16、当所述边缘段的长度没有超过所述临界长度时，通过预训练的二维校正集约模型对所述边缘段进行仿真模拟，得到对应的掩膜工艺偏差值。
17、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
18、所述一维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的电子束曝光偏差：
19、；
20、其中，i(eb)为以所述控制点为原点，在垂直于边缘段方向上的电子束能量分布，m(x)为以所述控制点为中心的一维掩膜图像，gi为高斯函数，*表试卷积操作，bi为对应的线性系数，i0为能量阈值；
21、和/或，所述一维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的蚀刻偏差：
22、；
23、其中，m(x)为以所述控制点为中心的一维掩膜图像，dj为基于m(x)的图形密度函数，cj为dj对应的线性系数。
24、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
25、所述二维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的电子束曝光偏差：
26、；
27、其中，i(eb)为以所述控制点为原点，在垂直于边缘段方向上的电子束能量分布，m(x,y)为以所述控制点为中心的掩膜图像gi为高斯函数，*表试卷积操作，bi为对应的线性系数，i0为能量阈值；
28、和/或，所述二维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的蚀刻偏差：
29、；
30、其中，m(x,y)为以所述控制点为中心的掩膜图像，dj为基于m(x,y)的图形密度函数，cj为dj对应的线性系数。
31、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，在得到校正掩膜图案之后，还包括：
32、步骤一，通过所述校正集约模型对所述校正掩膜图案进行仿真模拟，得到各个所述边缘段对应的校正工艺偏差值；
33、步骤二，根据所述校正掩膜图案与所述目标仿真图案，确定各个所述边缘段的校正设计偏差值；
34、步骤三，根据所述校正设计偏差值与所述校正工艺偏差值确定各个所述边缘段对应的校正阶段边缘放置误差；
35、步骤四，判断所述校正掩膜图案中是否存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段；
36、当所述校正掩膜图案中存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段时，根据所述校正阶段边缘放置误差对所述校正掩膜图案中的边缘段进行调整，并用调整后得到的图案更新所述校正掩膜图案，循环步骤一到步骤四，直至所述校正掩膜图案中不存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段。
37、可选地，在所述的掩膜工艺校正方法中，在步骤四，判断所述校正掩膜图案中是否存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段之后，还包括：
38、判断步骤一至步骤四的循环次数是否超过预设的迭代阈值；
39、当步骤一至步骤四的循环次数超过了预设的迭代阈值时，停止循环，输出所述校正掩膜图案。
40、一种掩膜工艺校正装置，包括：
【技术保护点】
1.一种掩膜工艺校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述校正集约模型通过下式计算所述边缘段的掩膜工艺偏差值：
3.如权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，在计算各个所述边缘段的掩膜工艺偏差值之前，还包括：
4.如权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
5.如权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
6.如权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，在得到校正掩膜图案之后，还包括：
7.如权利要求6所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，在步骤四，判断所述校正掩膜图案中是否存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段之后，还包括：
8.一种掩膜工艺校正装置，其特征在于，包括：
9.一种掩膜工艺校正设备，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜工艺校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，所述校正集约模型通过下式计算所述边缘段的掩膜工艺偏差值：
3.如权利要求1所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，在计算各个所述边缘段的掩膜工艺偏差值之前，还包括：
4.如权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
5.如权利要求3所述的掩膜工艺校正方法，其特征在于，各个所述边缘段的中点位置均设置有对应的控制点；
6.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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