【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及升压电路的，更具体地说，它涉及一种可层叠的整流升压电路结构。
技术介绍
1、在隔离式开关驱动器中，稳定的保护功能至关重要，传统上这类保护功能通常采用机械继电器或光耦合器来实现隔离。
2、虽然机械继电器可以实现电路隔离，但其体积较大、机械响应速度慢、寿命有限，且在频繁切换的工作环境下易产生机械疲劳，影响稳定性和耐久性。
3、光耦合器可以通过光电转换实现隔离，具有较快的响应速度和相对较高的隔离效果。然而，光耦合器对工作温度、噪声敏感，且容易受到环境因素影响，导致保护功能的稳定性不足，此外，光耦合器一般只能提供有限的隔离电压，并不能实现高电压浮动的稳压电源输出。
4、基于上述不足，本技术设计了一种新型电路结构，以提高隔离式开关驱动器的保护功能稳定性，且能在无额外偏置电源的情况下提供相对更高电压的浮动稳压电源轨。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于变压器耦合和电荷泵升压的可层叠的整流升压电路结构。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
3、一种可层叠的整流升压电路结构，包括输入信号源和升压电路单元，
4、所述升压电路单元由至少两个层叠的升压单元组成，每个升压单元包括二极管、储能电容、mos器件和限流电阻；
5、每层升压单元的输出端与下一层升压单元的输入端逐层级联连接，形成层叠式升压结构，以便输出更高的电压。
6、本专利技术进一步
7、本专利技术进一步设置为：所述输入信号源（vl1）连接二极管（d1）的一端，该二极管（d1）的另一端连接储能电容（c1）和mos器件（m1）的源极；
8、所述输入信号源（vl2）连接二极管（d2）的一端，该二极管（d2）的另一端连接储能电容（c2）和mos器件（m2）的源极；
9、所述二极管（d1）和二极管（d2）构成第一级整流器，用于将交变电压整流为峰值直流电压。
10、本专利技术进一步设置为：mos器件（m1）的栅极通过限流电阻（r1）连接到输入信号源（vl1），源极连接到储能电容（c1），漏极连接二极管（d3）；
11、mos器件（m2）的栅极通过限流电阻（r2）连接到输入信号源（vl2），其源极连接到到储能电容（c2）。
12、本专利技术进一步设置为：在第一级升压单元叠加有第二级升压单元，第二升压单元包括和mos器件（m1）的漏极连接的二极管（d3）、和mos器件（m2）的漏极连接的二极管（d4）、mos器件（m3）及mos器件（m4）；
13、所述二极管（d3）另一端连接储能电容（c3），二极管（d4）另一端连接储能电容（c4）；
14、mos器件（m3）的栅极通过限流电阻（r3）连接输入信号源（vl1），其源极连接储能电容（c3），漏极连接二极管（d5），
15、mos器件（m4）的栅极通过限流电阻（r4）连接到输入信号源（vl2），源极连接储能电容（c4），漏极连接二极管（d6）。
16、对比现有技术的不足，本专利技术的有益效果为：
17、通过电感线圈和变压器原理实现隔离，通过多层级联的升压单元实现高电压输出，最终提供一个浮动的、稳压的高压输出电源。
18、通过多层级联升压设计，结合限流电阻的控制，使得电容充电过程中的电流增速得到了有效抑制，从而大幅提升了输出电压的稳定性。该特性确保了驱动器在工作过程中，能持续提供稳定的浮动高电压，为保护功能提供了更可靠的电源支持。
19、通过增减层数灵活调节输出电压。相比于现有技术中相对固定的输出电压，本专利技术的设计能够更好地适应不同电压等级需求的场景，具有更高的适用性和拓展性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种可层叠的整流升压电路结构，包括输入信号源和升压电路单元，其特征在于，
2.根据权利要求1所述一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，所述输入信号源（VL1、VL2）分别连接到第一层升压单元的二极管（D1、D2），第一层升压单元的MOS器件（M1、M2）用于控制储能电容（C1、C2）之间的电荷传递，并通过输入信号源的交变实现交替导通。
3.根据权利要求2所述一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，所述输入信号源（VL1）连接二极管（D1）的一端，该二极管（D1）的另一端连接储能电容（C1）和MOS器件（M1）的源极；
4.根据权利要求1所述的一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，在第一级升压单元叠加有第二级升压单元，第二升压单元包括和MOS器件（M1）的漏极连接的二极管（D3）、和MOS器件（M2）的漏极连接的二极管（D4）、MOS器件（M3）及MOS器件（M4）；
【技术特征摘要】
1.一种可层叠的整流升压电路结构，包括输入信号源和升压电路单元，其特征在于，
2.根据权利要求1所述一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，所述输入信号源（vl1、vl2）分别连接到第一层升压单元的二极管（d1、d2），第一层升压单元的mos器件（m1、m2）用于控制储能电容（c1、c2）之间的电荷传递，并通过输入信号源的交变实现交替导通。
3.根据权利要求2所述一种可层叠的整流升压电路结构，其特征在于，所述输入信号源（vl...
【专利技术属性】
技术研发人员：王超，钟政，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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