【技术实现步骤摘要】
本公开的一些实施例的各方面涉及显示装置和可穿戴电子装置。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)为具有宽视角、优异的对比度、轻量且纤薄的轮廓、快速的响应时间并且能够进行低电压驱动的有源发光显示装置。
2、一个像素可具有其中堆叠有发射层的结构。发射层可跨像素内的子像素公共地且连续地延伸。
3、在此
技术介绍
部分中所公开的上述信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此其可包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、在显示装置(例如，超高分辨率显示装置)中，子像素之间的间距可为窄的。相应地，在相邻的子像素之间可能通过公共发射层发生泄漏电流(或横向泄漏电流现象)，并且子像素可能无法以期望的亮度发射光。换言之，显示品质可能劣化。
2、本公开的一些实施例的一些方面提供了具有提高的显示品质的显示装置(例如，可穿戴电子装置)。
3、本公开的目的不限于上述的目的，并且本领域普通技术人员从下面的描述将清楚地理解本文中未提及的其它目的。
4、根据本公开的一些实施例，提供了显示装置，显示装置包括限定沟槽的基础层以及在沟槽的相对侧处的第一子像素和第二子像素，第一子像素和第二子像素中的每个包括第一电极、第一发射结构、第一中间层、第二发射结构和第二电极，第一电极在基础层上，第一发射结构在第一电极上并且配置成发射光，第一发射结构包括第一空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层，第一空穴传输层的厚度小于沟槽的深度，第一中间层在第一发射结构上，第二发射结构在
5、沟槽可包括在平面图中围绕第一子像素的第一沟槽以及在平面图中围绕第二子像素的第二沟槽，并且第一沟槽和第二沟槽可彼此间隔开。
6、沟槽的深度可为约至约沟槽的宽度可为约至约第一空穴传输层的厚度可为约至约并且第二空穴传输层的厚度可为约至约
7、第一空穴传输层可包括与第二空穴传输层的材料不同的材料。
8、第二空穴传输层的玻璃化转变温度可比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约10％至约30％。
9、第二空穴传输层的玻璃化转变温度可比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约15℃至约35℃。
10、第二电极的厚度可为约至约
11、第二电极在沟槽上的台阶可为约或更小。
12、第一发射结构的厚度可小于沟槽的深度，并且第二发射结构的厚度可大于沟槽的深度。
13、第一发射结构的厚度可小于或等于沟槽的深度的约70％，并且第二发射结构的厚度可大于或等于沟槽的深度的约160％。
14、沟槽的深度可为约至约沟槽的宽度可为约至约第一发射结构的厚度可为约至约并且第二发射结构的厚度可为约至约
15、第一子像素的第一发射结构和第一中间层可与第二子像素的第一发射结构和第一中间层在沟槽处间隔开，并且第一子像素的第二发射结构的至少一部分可与第二子像素的第二发射结构的至少一部分在沟槽上是连接的。
16、第一子像素和第二子像素各自还可包括定位在第一电极与第一发射结构之间并且配置成发射光的第三发射结构以及定位在第三发射结构与第一发射结构之间的第二中间层，第一子像素的第三发射结构和第二中间层可与第二子像素的第三发射结构和第二中间层在沟槽处间隔开。
17、第一发射结构可配置成发射第一颜色的光，并且第二发射结构可配置成发射与第一颜色不同的第二颜色的光。
18、第一发射结构和第二发射结构可配置成发射相同颜色的光。
19、根据本公开的其它实施例，提供了显示装置，显示装置包括第一电极、第一发射结构、中间层、第二发射结构和第二电极，第一电极在基础层上，第一发射结构在第一电极上并且配置成发射光，第一发射结构包括第一空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层，中间层在第一发射结构上，第二发射结构在中间层上并且配置成发射光，第二发射结构包括第二空穴传输层、第二发射层和第二电子传输层，第二空穴传输层的玻璃化转变温度比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约10％至约30％，第二电极在第二发射结构上。
20、第二空穴传输层的玻璃化转变温度可比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约15℃至约35℃。
21、根据本公开的其它实施例，提供了可穿戴电子装置，可穿戴电子装置包括配置成发射光的显示面板以及在显示面板上的至少一个透镜，显示面板包括限定沟槽的基础层以及在沟槽的相对侧处的第一子像素和第二子像素，第一子像素和第二子像素中的每个包括第一电极、第一发射结构、中间层、第二发射结构和第二电极，第一电极在基础层上，第一发射结构在第一电极上并且配置成发射光，第一发射结构包括第一空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层，第一空穴传输层的厚度小于沟槽的深度，中间层在第一发射结构上，第二发射结构在中间层上并且配置成发射光，第二发射结构包括第二空穴传输层、第二发射层和第二电子传输层，第二空穴传输层的厚度大于沟槽的深度，第二电极在第二发射结构上。
22、第二空穴传输层的玻璃化转变温度可比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约10％至约30％。
23、第二空穴传输层的玻璃化转变温度可比第一空穴传输层的玻璃化转变温度高约15℃至约35℃。
24、一些其它实施例的各方面包括在详细描述和附图中。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽包括：
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的所述深度为至所述沟槽的宽度为至
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一空穴传输层包括与所述第二空穴传输层的材料不同的材料。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二空穴传输层的玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的玻璃化转变温度高10％至30％。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二空穴传输层的所述玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的所述玻璃化转变温度高15℃至35℃。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极的厚度为至
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述沟槽上的台阶为或更小。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射结构的厚度小于所述沟槽的所述深度，以及
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一发射结构的所述厚度小于或等于所述沟槽的所述深度的70％，以及
11.如
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素的所述第一发射结构和所述第一中间层与所述第二子像素的所述第一发射结构和所述第一中间层在所述沟槽处间隔开，以及
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素各自还包括：
14.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射结构配置成发射第一颜色的光，以及
15.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射结构和所述第二发射结构配置成发射相同颜色的光。
16.一种显示装置，包括：
17.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二空穴传输层的所述玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的所述玻璃化转变温度高15℃至35℃。
18.一种可穿戴电子装置，包括：
19.如权利要求18所述的可穿戴电子装置，其中，所述第二空穴传输层的玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的玻璃化转变温度高10％至30％。
20.如权利要求18所述的可穿戴电子装置，其中，所述第二空穴传输层的玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的玻璃化转变温度高15℃至35℃。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽包括：
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽的所述深度为至所述沟槽的宽度为至
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一空穴传输层包括与所述第二空穴传输层的材料不同的材料。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二空穴传输层的玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的玻璃化转变温度高10％至30％。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二空穴传输层的所述玻璃化转变温度比所述第一空穴传输层的所述玻璃化转变温度高15℃至35℃。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极的厚度为至
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述沟槽上的台阶为或更小。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发射结构的厚度小于所述沟槽的所述深度，以及
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一发射结构的所述厚度小于或等于所述沟槽的所述深度的70％，以及
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述沟槽的所述深度...
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