【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及真空阀门、沉积系统及其清洁方法。
技术介绍
1、相关技术中，半导体薄膜沉积系统一般包括反应装置以及与反应装置连接的负压泵和尾气处理装置。在反应装置与负压泵之间还可以设置真空阀门以调节负压泵的抽吸。在沉积过程中，尾气的排放会导致真空阀门内沉积薄膜，容易造成真空阀门的封堵。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供真空阀门、沉积系统及其清洁方法，能够减少真空阀门在使用时产生封堵。
2、第一方面，本申请实施例提供一种真空阀门。真空阀门包括气流管道、活动件和线圈。活动件于气流管道内活动设置。线圈绕设于气流管道外周，用于向气流管道内施加交变磁场。
3、可选地，线圈的直径为1mm-3mm，线圈的匝数在50匝以上。
4、可选地，气流管道包括延伸方向不同的第一管道和第二管道，第一管道和第二管道之间通过连接管道连接，活动件于连接管道活动设置，线圈绕设于第一管道、第二管道和连接管道。
5、可选地，气流管道的至少部分由绝缘材料制成。
6、可选地，线圈绕设于由绝缘材料制成的气流管道外周。
7、可选地，活动件可以相对气流管道移动、转动或者摆动。
8、第二方面，本申请实施例提供一种沉积系统。沉积系统包括依次串联的反应装置、负压泵和尾气处理装置，沉积系统还包括上述的真空阀门，真空阀门串联于反应装置与负压泵之间，沉积系统还包括射频装置，射频装置与真空阀门的线圈匹配连接。
9、第三方面，本申请实施
10、可选地，载气为氩气，反应气体包括氮气、氧气和三氟化氮。
11、可选地，氩气通入速率为100-2000sccm，氮气的通入速率为100-500sccm，氧气的通入速率为1000-7000sccm，三氟化氮的通入速率为100-2000sccm。
12、本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，通过在气流管道外周设置线圈，使得在射频电流流经线圈时会在真空阀门内部产生交变磁场，交变磁场经电感耦合能够产生足以使清洁气体离子化的电场。清洁气体被电离后，能够对真空阀门内沉积的薄膜进行刻蚀，从而减少真空阀门内因薄膜引起的堵塞。
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1.一种真空阀门，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空阀门，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的真空阀门，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一项所述的真空阀门，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的真空阀门，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的真空阀门，其特征在于：
7.一种沉积系统，其特征在于，包括：
8.一种沉积系统的清洁方法，其特征在于，包括
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种真空阀门，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空阀门，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的真空阀门，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一项所述的真空阀门，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的真空阀门，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨康，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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