【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种test key测试结构。
技术介绍
1、28nmhv芯片的良率损失主要与sram(静态随机存取存储器)相关，其中大部分是由于sram区域的接触孔(ct)电阻异常引起，接触孔异常情况包括ct open及nisi异常(nisi形成于接触孔内)。而且，wat ct rc无法反映sram接触孔的真实情况，而通过tem切片看到sram区域多晶硅之间的间距小，在这种情况下易导致工艺上存在弱点(weak point)。
2、test key测试结构是一种用于晶圆接收测试(wat)的特定测试结构，通常放置在划片槽内，通过测试探针扎到测试pad上进行测试，这种测试结构的设计旨在节省芯片设计的面积和成本，确保测试的一致性和硬件的重复利用。现有的测试接触孔rc的test key主要分为via chain和kelvin两种测试结构(如图1及图2所示)，然而，这两种测试结构均没有关于多晶硅poly的定义，均不能反映sram区域的接触孔的实际情况。而且，在进行接触孔制备的过程中，工艺波动容易造成sram接触孔异常而normal wat无法卡控出货。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种test key测试结构，用于解决现有的测试结构无法反映接触孔真实情况的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种test key测试结构，所述结构包括：有源区、接触孔及栅极结构，
3、所述有源区
4、多个间隔排列的所述栅极结构，其沿所述第二方向延伸，且均与所述有源区有重叠区域，其中，所述栅极结构包括第一边缘栅极结构、第二边缘栅极结构及位于二者之间的中间栅极结构；
5、所述接触孔形成于所述有源区，且相邻两个所述中间栅极结构之间的各第一区域内形成有至少两个沿第二方向间隔排列的中间接触孔，分别为第一中间接触孔及第二中间接触孔，在所述第一边缘栅极结构远离所述中间栅极结构的一侧形成有第一端接触孔，在所述第二边缘栅极结构远离所述中间栅极结构的一侧形成有第二端接触孔，其中，所述第一端接触孔位于s型所述有源区的起始端，所述第二端接触孔位于s型所述有源区的末端，且所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接，同一所述第一区域上的第二中间接触孔两两一组连接。
6、可选地，所述第一端接触孔、所述第二端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二中间接触孔在进行连接时，是通过金属层进行连接的。
7、可选地，所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接时，是从所述第一端接触孔开始两个一组，按照从左到右，再从右到左，直至接连到第二端接触孔。
8、可选地，所述接触孔的底部形成有硅化镍层。
9、可选地，所述栅极结构的数目为5。
10、可选地，所述第一区域的数目为5，所述第二区域的数目为4。
11、可选地，所述栅极结构包括多晶硅及形成于多晶硅两侧的侧墙。
12、可选地，所述test key测试结构形成于test key区域，用于反映sram器件区域接触孔电阻。
13、可选地，适用的技术节点包括28nm。
14、如上所述，本专利技术的test key测试结构，通过在测试结构中增加多晶硅图层，使得在wat测试时把多晶硅及侧墙对通孔的影响考虑在内，达到监控sram区域的接触孔电阻的目的。
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1.一种Test Key测试结构，其特征在于，所述结构包括：有源区、接触孔及栅极结构，所述有源区包括多个在第一方向延伸且在第二方向间隔排列的第一区域及多个在第二方向延伸的第二区域，其中，所述第一区域与第二区域连接以使得所述有源区呈S型分布；
2.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述第一端接触孔、所述第二端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二中间接触孔在进行连接时，是通过金属层进行连接的。
3.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接时，是从所述第一端接触孔开始两个一组，按照从左到右，再从右到左，直至接连到第二端接触孔。
4.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述接触孔的底部形成有硅化镍层。
5.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述栅极结构的数目为5。
6.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述第一区域的数目为5，所述第二区域的数目为
7.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅及形成于多晶硅两侧的侧墙。
8.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，所述Test Key测试结构形成于test key区域，用于反映SRAM器件区域接触孔电阻。
9.根据权利要求1所述的Test Key测试结构，其特征在于，适用的技术节点包括28nm。
...【技术特征摘要】
1.一种test key测试结构，其特征在于，所述结构包括：有源区、接触孔及栅极结构，所述有源区包括多个在第一方向延伸且在第二方向间隔排列的第一区域及多个在第二方向延伸的第二区域，其中，所述第一区域与第二区域连接以使得所述有源区呈s型分布；
2.根据权利要求1所述的test key测试结构，其特征在于，所述第一端接触孔、所述第二端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二中间接触孔在进行连接时，是通过金属层进行连接的。
3.根据权利要求1所述的test key测试结构，其特征在于，所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接时，是从所述第一端接触孔开始两个一组，按照从左到右，再从右到左，直至接连到第二端接触孔。
4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪炎铖，王奇伟，彭翔，程器，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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