【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及坩埚制造，具体涉及一种坩埚熔融电极控制方法。
技术介绍
1、石英坩埚目前主要靠高温电弧法熔制，石英坩埚的生产工艺中，熔融工序是一个坩埚生产品质好坏的关键步骤，熔制坩埚方法是，熔制之前需要将一定配比高纯石英砂投入坩埚模具内表面，利用坩埚模具的离心力作用和和成型棒人工成型，而后设备将坩埚模具携带已成形的石英砂，移动到电极棒位置，当前工艺，电极数量为3个，熔融坩埚时将电极通入电流起弧，形成高温使石英砂融化，同时电极按照工艺参数下降至坩埚模具端口的位置，形成坩埚形状石英材料，当工艺结束后，经过冷却后取出，即完成一个石英坩埚的毛坯生产。
2、在熔融工艺的过程中，电极起到了关键的作用，电极的开闭大小以及电极的位置都会对熔制坩埚的大小厚度等产生影响，决定熔制坩埚的成功与否，传统熔融工艺会给定一个参数表，规定熔融电流的大小，时间，电极开闭的大小，电极的位置，因为电极开闭的大小及电极的位置会影响坩埚尺寸，所以当前的参数表只能给定一个相对的电极开闭大小以及电极的位置，在熔融过程中为了使打出的坩埚达到尺寸标准的要求，所以员工会对这两个参数进行实时调整控制。因此，传统的熔融工艺一方面需要人工实时对电极进行观察调整，耗费人力；另一方面人工观察电极会存在偏差或误差，不能精准调整电极，最终影响坩埚成品的尺寸。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种坩埚熔融电极控制方法，以解决采用人工调整电极存在耗费人力、不能精准调整电极的技术问题。
2、本专利技术解决其技术问题所采
3、一种坩埚熔融电极控制方法，包括以下步骤：
4、电极开始拉弧时，控制ccd装置进行拍照，所述ccd装置设置在坩埚模具的一侧，且设置高度在水冷板与外水套之间；
5、获取所述ccd装置拍摄的包括电极、水冷板下沿、外水套上沿的图像；
6、根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小。
7、优选地，根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小，包括：
8、从所述图像中读取电极的像素位置；
9、基于设定的参数获取电极的预设相对位置；
10、根据预先确定的电极位置计算公式、所述像素位置以及所述预设相对位置调整电极的位置。
11、优选地，所述电极位置计算公式的确定方法包括：
12、基于设定的参数获取水冷板下沿与外水套上沿之间的实际距离y；
13、从图像中读取水冷板下沿的y方向像素位置y1，以及外水套上沿的y方向像素位置y2；
14、根据所述实际距离y、所述y方向像素位置y1以及所述y方向像素位置y2得到图像的像素位置与实际距离的第一对应关系为k1=y/(y2-y1)；
15、根据所述第一对应关系得到电极位置计算公式。
16、优选地，所述电极位置计算公式为y3=k1*(y3-y1)；其中，y3为电极的相对位置，y3为电极的像素位置。
17、优选地，所述根据预先确定的电极位置计算公式、所述像素位置以及所述预设相对位置调整电极的位置，包括：
18、根据预先确定的电极位置计算公式，以及所述预设相对位置，计算得到电极的预设像素位置；
19、将所述预设像素位置与所述像素位置进行比较，根据比较结果调整电极的位置。
20、优选地，根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小，还包括：
21、从所述图像中读取两侧电极相邻的像素点边界位置；
22、基于设定的参数获取电极的预设开闭数据；
23、根据预先确定的电极开闭数据计算公式、所述像素点边界位置以及所述预设开闭数据调整电极的开闭大小。
24、优选地，所述电极开闭数据计算公式的确定方法包括：
25、基于设定的参数获取电极的直径d；
26、从图像中获取电极x方向两侧的像素点边界位置x1、x2；
27、根据所述直径d、所述像素点边界位置x1、x2得到图像的像素位置与实际距离的第二对应关系为k2=d/(x2-x1)；
28、根据所述第二对应关系得到电极开闭数据计算公式。
29、优选地，所述电极开闭数据计算公式为d=k2*(x4-x3)，其中d为电极间距，x3、x4为两侧电极相邻的像素点边界位置。
30、优选地，所述ccd装置靠近坩埚模具的一侧设置有水冷隔板、隔热及滤光玻璃。
31、优选地，控制ccd装置进行拍照时，调整光圈使ccd装置能清晰捕捉电极的边界位置，以及水冷板下沿、外水套上沿。
32、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
33、本专利技术通过采用ccd装置代替人眼对坩埚熔融过程中的电极进行观察及调整，起弧后电极的开闭大小以及电极位置，通过设定的参数进行实时精准的自动控制，达成生产坩埚的要求，从而无需人工干预，降低人工成本。
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1.一种坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小，包括：
3.根据权利要求2所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述电极位置计算公式的确定方法包括：
4.根据权利要求3所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述电极位置计算公式为Y3=k1*(y3-y1)；其中，Y3为电极的相对位置，y3为电极的像素位置。
5.根据权利要求4所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述根据预先确定的电极位置计算公式、所述像素位置以及所述预设相对位置调整电极的位置，包括：
6.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小，还包括：
7.根据权利要求6所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述电极开闭数据计算公式的确定方法包括：
8.根据权利要求7所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所
9.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述CCD装置靠近坩埚模具的一侧设置有水冷隔板、隔热及滤光玻璃。
10.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，控制CCD装置进行拍照时，调整光圈使CCD装置能清晰捕捉电极的边界位置、水冷板下沿以及外水套上沿。
...【技术特征摘要】
1.一种坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，根据所述图像、预先确定的计算公式以及设定的参数实时调整电极的位置及开闭大小，包括：
3.根据权利要求2所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述电极位置计算公式的确定方法包括：
4.根据权利要求3所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述电极位置计算公式为y3=k1*(y3-y1)；其中，y3为电极的相对位置，y3为电极的像素位置。
5.根据权利要求4所述的坩埚熔融电极控制方法，其特征在于，所述根据预先确定的电极位置计算公式、所述像素位置以及所述预设相对位置调整电极的位置，包括：
6.根据权利要求1所述的坩埚熔融电极控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵磊，王轩，李长苏，陈荣贵，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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