【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。
技术介绍
1、近年来，半导体集成电路行业经历了快速发展。随着半导体制造工艺的不断进步，半导体器件的特征尺寸不断缩小，存储器的集成密度也越来越高，其性能也越来越强大，可应用于海量的数据处理。例如，时间相关性检测。
2、时间相关性检测通常基于传统冯·诺依曼架构，即存算分离的架构，其利用存储器存储原始数据、中间数据和运算结果，并利用处理器对各种数据进行运算。然而，现有的时间相关性检测存在输入信息量级较小，难以对大量随机事件进行检测，以及耗时较长等问题。
技术实现思路
1、本公开提供一种存储器及其操作方法、存储器系统。
2、第一方面，本公开提供一种存储器，包括：
3、存储单元阵列，包括：以多行和多列布置的多个存储单元；其中，位于同一行的所述存储单元耦接至一条字线，位于同一列的所述存储单元耦接至一条位线；
4、外围电路，通过多条所述字线和多条所述位线耦接至所述存储单元阵列；所述外围电路被配置为：
5、接收时间序列的至少一组随机数据；其中，所述时间序列包括l个随机事件，l为大于1的整数；所述随机数据用于指示l个所述随机事件的当前状态；l个所述随机事件中的每个所述随机事件和位于同一行的l个所述存储单元中的每个所述存储单元一一对应；
6、对耦接至l个所述存储单元的所述字线施加字线编程脉冲，对耦接至l个所述存储单元中选定的存储单元的位线施加位线编程脉
7、根据所述存储单元的阈值电压分布，确定多个所述随机事件的相关程度；其中，所述相关程度用于预测l个所述随机事件的未来状态。
8、在一些实施例中，所述外围电路还被配置为：
9、接收所述时间序列；
10、根据多个所述随机事件在预设时间的所述当前状态生成一组所述随机数据；其中，所述随机数据包括第一逻辑值和第二逻辑值中的至少一个；所述当前状态包括第一当前状态和第二当前状态；所述第一逻辑值用于指示多个所述随机事件中第一随机事件在所述预设时间的所述第一当前状态，所述第二逻辑值用于指示多个所述随机事件中第二随机事件在所述预设时间的所述第二当前状态；所述第二当前状态和所述第一当前状态不同，所述第二逻辑值和所述第一逻辑值不同。
11、在一些实施例中，所述外围电路还被配置为：
12、根据所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的一个确定l个所述存储单元中选定的所述存储单元，将所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的一个写入选定的所述存储单元；
13、根据所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的另一个确定l个所述存储单元中未选定的所述存储单元，将所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的另一个写入未选定的所述存储单元。
14、在一些实施例中，所述外围电路还被配置为：确定在所述预设时间内选定的所述位线的数量；其中，选定的所述位线耦接至l个所述存储单元中选定的所述存储单元；
15、根据选定的所述位线的数量，调节所述字线编程脉冲的脉宽和/或所述字线编程脉冲的峰值。
16、在一些实施例中，所述存储器还包括：
17、公共源极线，分别与所述存储单元阵列中的多个存储串和所述外围电路耦接；其中，所述存储串包括串联的多个所述存储单元，位于同一列的所述存储串耦接至一条所述位线；
18、所述外围电路具体被配置为：根据所述公共源极线的电流，确定在所述预设时间内选定的所述位线的数量。
19、在一些实施例中，所述存储串还包括：
20、顶部选择晶体管，耦接在所述位线与串联的多个所述存储单元之间；
21、底部选择晶体管，耦接在所述公共源极线与串联的多个所述存储单元之间；
22、所述外围电路还被配置为：
23、对所述顶部选择晶体管的栅极、所述底部选择晶体管的栅极以及多条所述字线均施加字线通过脉冲；对选定的所述位线施加所述位线编程脉冲以及对未选定的所述位线施加位线禁止编程脉冲；对所述公共源极线施加所述位线禁止编程脉冲；其中，所述未选定的所述位线耦接至l个所述存储单元中未选定的所述存储单元；
24、测量所述公共源极线的电流。
25、在一些实施例中，所述存储单元被配置为存储m个比特位的数据，多个所述存储单元具有2m个阈值电压区间，m为正整数；所述相关程度包括2m个相关级别；其中，所述2m个相关级别中的每个所述相关级别和所述2m个阈值电压区间中的每个所述阈值电压区间一一对应；
26、所述外围电路还具体被配置为：
27、根据所述存储单元所在的阈值电压区间，确定与所述存储单元对应地所述随机事件的相关级别。
28、在一些实施例中，所述2m个相关级别至少包括：相关和非相关。
29、在一些实施例中，所述存储器包括快闪存储器、相变存储器或阻变式存储器。
30、第二方面，本公开提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括：存储单元阵列和外围电路；所述存储单元阵列包括：以多行和多列布置的多个存储单元；其中，位于同一行的所述存储单元耦接至一条字线，位于同一列的所述存储单元耦接至一条位线；所述外围电路通过多条所述字线和多条所述位线耦接至所述存储单元阵列；所述操作方法包括：
31、接收时间序列的至少一组随机数据；其中，所述时间序列包括l个随机事件，l为大于1的整数；所述随机数据用于指示l个所述随机事件的当前状态；l个所述随机事件中的每个所述随机事件和位于同一行的l个所述存储单元中的每个所述存储单元一一对应；
32、对耦接至l个所述存储单元的所述字线施加字线编程脉冲，对耦接至l个所述存储单元中选定的存储单元的位线施加位线编程脉冲，以将所述随机数据分别写入与所述随机事件对应地所述存储单元；
33、根据所述存储单元的阈值电压分布，确定多个所述随机事件的相关程度；其中，所述相关程度用于预测l个所述随机事件的未来状态。
34、在一些实施例中，所述操作方法还包括：
35、接收所述时间序列；
36、根据多个所述随机事件在预设时间的所述当前状态生成一组所述随机数据；其中，所述随机数据包括第一逻辑值和第二逻辑值中的至少一个；所述当前状态包括第一当前状态和第二当前状态；所述第一逻辑值用于指示多个所述随机事件中第一随机事件在所述预设时间的所述第一当前状态，所述第二逻辑值用于指示多个所述随机事件中第二随机事件在所述预设时间的所述第二当前状态；所述第二当前状态和所述第一当前状态不同，所述第二逻辑值和所述第一逻辑值不同。
37、在一些实施例中，所述方法还包括：
38、根据所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的一个确定l个所述存储单元中选定的所述存储单元，将所述第一逻辑值和所述第二逻辑值中的一个写入选定的所述存储单元；
39、根据本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：确定在所述预设时间内选定的所述位线的数量；其中，选定的所述位线耦接至L个所述存储单元中选定的所述存储单元；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储串还包括：
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元被配置为存储M个比特位的数据，多个所述存储单元具有2M个阈值电压区间，M为正整数；所述相关程度包括2M个相关级别；其中，所述2M个相关级别中的每个所述相关级别和所述2M个阈值电压区间中的每个所述阈值电压区间一一对应；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述2M个相关级别至少包括：相关和非相关。
9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器包
10.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括：存储单元阵列和外围电路；所述存储单元阵列包括：以多行和多列布置的多个存储单元；其中，位于同一行的所述存储单元耦接至一条字线，位于同一列的所述存储单元耦接至一条位线；所述外围电路通过多条所述字线和多条所述位线耦接至所述存储单元阵列；所述操作方法包括：
11.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括：
12.根据权利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：
13.根据权利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括：
14.根据权利要求13所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括分别与所述存储单元阵列中的多个存储串和所述外围电路耦接的公共源极线；其中，所述存储串包括串联的多个所述存储单元，位于同一列的所述存储串耦接至一条所述位线；
15.根据权利要求14所述的操作方法，其特征在于，所述存储串还包括顶部选择晶体管和底部选择晶体管；所述顶部选择晶体管耦接在所述位线与串联的多个所述存储单元之间；所述底部选择晶体管耦接在所述公共源极线与串联的多个所述存储单元之间；所述操作方法还包括：
16.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述存储单元被配置为存储M个比特位的数据，多个所述存储单元具有2M个阈值电压区间，M为正整数；所述相关程度包括2M个相关级别；其中，所述2M个相关级别中的每个所述相关级别和所述2M个阈值电压区间中的每个所述阈值电压区间一一对应；所述操作方法还包括：
17.根据权利要求16所述的操作方法，其特征在于，所述2M个相关级别至少包括：相关和非相关。
18.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述存储器包括快闪存储器、相变存储器或阻变式存储器。
19.一种存储器系统，其特征在于，包括：
20.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求19所述的存储器系统。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：确定在所述预设时间内选定的所述位线的数量；其中，选定的所述位线耦接至l个所述存储单元中选定的所述存储单元；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储串还包括：
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元被配置为存储m个比特位的数据，多个所述存储单元具有2m个阈值电压区间，m为正整数；所述相关程度包括2m个相关级别；其中，所述2m个相关级别中的每个所述相关级别和所述2m个阈值电压区间中的每个所述阈值电压区间一一对应；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述2m个相关级别至少包括：相关和非相关。
9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括快闪存储器、相变存储器或阻变式存储器。
10.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括：存储单元阵列和外围电路；所述存储单元阵列包括：以多行和多列布置的多个存储单元；其中，位于同一行的所述存储单元耦接至一条字线，位于同一列的所述存储单元耦接至一条位线；所述外围电路通过多条所述字线和多条所述位线耦接至所述存储单元阵列；所述操作方法包括：
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：周稳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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