System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置制造方法及图纸_技高网

反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置制造方法及图纸

技术编号:44408885 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-25 10:21
本发明专利技术公开了反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,包括,激光冲击加载靶组件,在外部加载激光束驱动下模拟高速撞击或爆轰过程中的冲击压缩和卸载拉伸过程;背光X射线靶组件,通过反射式衍射对单晶样品内部的晶格结构以及缺陷的演化进行瞬态成像;X射线成像组件,用于对反射式衍射图案的探测和成像;探测探头组件;本发明专利技术具有纳秒级时间分辨率和原子尺度晶体结构敏感的特点,具有超高的时间和空间分辨能力;具有高效利用脉冲X射线光束的特点,降低对X射线光束准直性的要求,因而更容易实现单发测量,不需要通过重复测量提高信噪比;具有反射式衍射测量的优点,相对于透射式衍射构型,降低了对单晶样品的厚度要求,提高了样品制样的成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶x射线衍射诊断,尤其涉及反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置。


技术介绍

1、传统的单晶x射线衍射仪主要是利用准直的准单色x射线入射单晶样品表面,通过旋转样品和探测器,得到单晶样品的反射式衍射图案。该技术受准直x射线的亮度和机械转动速度的限制,通常不具有时间分辨能力,仅可以针对静止的单晶做晶体结构和结构缺陷的表征,使得其应用领域难以扩展至高速运动、高应变率变形、急剧升温和强光、电、磁等脉冲刺激下晶体材料的结构特性变化研究。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,旨在解决现有的技术问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提供了反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,包括,

3、激光冲击加载靶组件,包括烧蚀层和单晶样品,在外部加载激光束驱动下模拟高速撞击或爆轰过程中的冲击压缩和卸载拉伸过程;

4、背光x射线靶组件,在外部诊断激光束驱动下产生非准直x射线点光源,通过反射式衍射对单晶样品内部的晶格结构以及缺陷的演化进行瞬态成像;

5、x射线成像组件,用于对反射式衍射图案的探测和成像;

6、探测探头组件,用于耦合激光干涉测速和辐射测温诊断;

7、其中,所述背光x射线靶组件与x射线成像组件分布在样品的同一侧。

8、进一步地,所述背光x射线靶组件包括,

9、背光x射线靶,通过与聚焦的诊断脉冲激光相互作用产生等离子体,以靶点为圆心,向四周空间发射准单色的特征x射线,在单晶样品表明形成反射式衍射;

10、背光x射线靶架,用于屏蔽来自背光x射线靶产生的x射线。

11、进一步地,所述x射线成像组件包括,

12、屏蔽层,用于过滤杂散x射线、低能x射线、以及其他带电粒子对x射线成像板的干扰。

13、x射线成像板,用于对反射式x射线衍射图案进行成像。

14、进一步地,所述屏蔽层包括碳氢材料屏蔽层和金属薄膜屏蔽层。

15、进一步地,还包括x射线屏蔽组件,用于阻挡和削弱背光x射线靶组件、激光冲击加载靶组件产生的x射线光束对衍射图像造成的背底干扰,所述x射线成像组件与背光x射线靶组件在单晶样品的同侧。

16、进一步地,所述x射线屏蔽组件包括屏蔽盖,用于削弱加载脉冲激光产生的低能x射线次级粒子或射线在x射线成像板上造成的背底。

17、进一步地,所述x射线屏蔽组件还包括反射式探测盒,用于固定x射线成像组件并且屏蔽杂散x射线对x射线成像板的干扰。

18、进一步地,还包括设于背光x射线靶上的镂空雕刻标识物,用于保证背光x射线靶组件中的背光x射线靶在激光打靶时诊断光的准确度。

19、进一步地,所述镂空雕刻标识物为两个间隔设置的镂空正三角形,两个所述镂空正三角形的中间位置作为诊断光瞄靶中心位置,用于诊断光定位。

20、进一步地,还包括样品靶架,用于固化背光x射线靶组件和激光冲击加载靶组件在反射式衍射构型中的具体位置,为脉冲激光的冲击加载过程和诊断激光聚焦产生等离子体光源提供靶架支撑。

21、本专利技术的有益效果体现在:

22、本专利技术具有纳秒级时间分辨率和原子尺度晶体结构敏感的特点,具有超高的时间和空间分辨能力;

23、本专利技术具有高效利用脉冲x射线光束的特点,降低对x射线光束准直性的要求,因而更容易实现单发测量,不需要通过重复测量提高信噪比;

24、本专利技术具有兼容传统冲击波测量技术的优点,为激光干涉测速仪器、辐射测温仪器等提供了通用适配接口,有效地实现技术兼容。

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【技术保护点】

1.反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:包括,

2.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述背光X射线靶组件(5)包括,

3.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述X射线成像组件(7)包括,

4.如权利要求3所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述屏蔽层包括碳氢材料屏蔽层和金属薄膜屏蔽层。

5.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:还包括X射线屏蔽组件,用于阻挡和削弱背光X射线靶组件、激光冲击加载靶组件产生的X射线光束对衍射图像造成的背底干扰,所述X射线成像组件与背光X射线靶组件在单晶样品的同侧。

6.如权利要求5所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述X射线屏蔽组件包括屏蔽盖(1),用于削弱加载脉冲激光产生的低能X射线次级粒子或射线在X射线成像板上造成的背底。

7.如权利要求5所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述X射线屏蔽组件还包括反射式探测盒(2),用于固定X射线成像组件并且屏蔽杂散X射线对X射线成像板的干扰。

8.如权利要求2所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:还包括设于背光X射线靶(10)上的镂空雕刻标识物,用于保证背光X射线靶组件(5)中的背光X射线靶(10)在激光打靶时诊断光的准确度。

9.如权利要求8所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:所述镂空雕刻标识物为两个间隔设置的镂空正三角形,两个所述镂空正三角形的中间位置作为诊断光瞄靶中心位置,用于诊断光定位。

10.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶X射线衍射靶装置,其特征在于:还包括样品靶架(4),用于固化背光X射线靶组件(5)和激光冲击加载靶组件(6)在反射式衍射构型中的具体位置,为脉冲激光的冲击加载过程和诊断激光聚焦产生等离子体光源提供靶架支撑。

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【技术特征摘要】

1.反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:包括,

2.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:所述背光x射线靶组件(5)包括,

3.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:所述x射线成像组件(7)包括,

4.如权利要求3所述的反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:所述屏蔽层包括碳氢材料屏蔽层和金属薄膜屏蔽层。

5.如权利要求1所述的反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:还包括x射线屏蔽组件,用于阻挡和削弱背光x射线靶组件、激光冲击加载靶组件产生的x射线光束对衍射图像造成的背底干扰,所述x射线成像组件与背光x射线靶组件在单晶样品的同侧。

6.如权利要求5所述的反射式时间分辨单晶x射线衍射靶装置,其特征在于:所述x射线屏蔽组件包括屏蔽盖(1),用于削弱加载脉冲激光产生的低能x射线次级粒子或射线在x射线成像板上造成的背底。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:李江涛胡建波吕超陈森周孟阳刘进何润之王为
申请(专利权)人:中国工程物理研究院流体物理研究所
类型:发明
国别省市:

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