【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器设备。
技术介绍
1、易失性存储器在断电时通常不能存储数据。出于该原因，在易失性存储器设备的一些区域中，可设置一次性可编程(otp)元件。通过对otp元件执行电熔丝和反熔丝操作，需要基本上存储的信息作为熔丝信息存储在otp元件中。
2、一种考虑到制造方法、集成程度等而将反熔丝单元阵列设置在存储器设备中且使用反熔丝单元的氧化物击穿特性以反熔丝方式存储熔丝信息的方法正被使用。
技术实现思路
1、本公开涉及存储器设备，包括可存储更多熔丝信息且其中反熔丝单元阵列占据小面积的存储器设备、具有较小芯片大小的存储器设备、对反熔丝单元具有经改进操作可靠性的存储器设备及对反熔丝单元具有经改进操作速度的存储器设备。
2、在一些实施方式中，一种存储器设备包括存储器单元区域及外围电路区域，存储器单元区域包括被配置为存储数据的存储器单元阵列及包括反熔丝单元的反熔丝单元阵列，外围电路区域包括以平面方式与存储器单元区域重叠的至少一部分，并且包括被配置为输出存储在反熔丝单元中的一次性可编程(otp)数据的反熔丝感测放大器。
3、在一些实施方式中，一种存储器设备包括存储器单元区域及外围电路区域，存储器单元区域包括被配置为存储数据的存储器单元阵列及反熔丝单元阵列，反熔丝单元阵列包括多个反熔丝位线、多个反熔丝字线及电耦合到多个反熔丝位线中的第一反熔丝位线且彼此并联耦合的多个编程晶体管，外围电路区域包括被配置为输出存储在多个编程晶体管中的一次性可编程(otp)数据
4、在一些实施方式中，一种存储器设备包括存储器单元区域及外围电路区域，存储器单元区域包括多个位线、多个字线和反熔丝单元阵列、存储器单元阵列，存储器单元阵列包括垂直于多个字线在多个位线的上表面上延伸的方向延伸的存储器垂直沟道层，反熔丝单元阵列包括反熔丝单元，外围电路区域包括以平面方式与存储器单元区域重叠的至少一部分，并且包括被配置为输出存储在反熔丝单元中的一次性可编程(otp)数据的反熔丝感测放大器。
5、在一些实施方式中，一种存储器设备包括：存储器单元区域，包括被配置为存储数据的存储器单元阵列及不以平面方式与存储器单元阵列重叠的反熔丝单元阵列，反熔丝单元阵列包括反熔丝单元；外围电路区域，包括被配置为输出存储在反熔丝单元中的一次性可编程(otp)数据的反熔丝感测放大器；及接触插塞，从设置在存储器单元区域的上表面上的外部焊盘延伸，穿过存储器单元区域的至少一部分，并且电耦合到外围电路区域的电路元件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中
9.一种存储器设备，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中
11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中
12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中
13.根据权利要求9所述的存储器设备，其中
14.一种存储器设备，包括：
15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中
16.根据权利要求15所述的存储器设备，其中
17.根据权利要求16所述的存储器设备，其中，所述反熔丝单元阵列包括：
18.根据权利要求16所述的存储器设备，其中
19.根据权
20.根据权利要求14所述的存储器设备，其中
...【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中
8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中
9.一种存储器设备，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中
11.根据权利要求9所述的存...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。