【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种使用氧化物半导体的半导体装置、存储装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种上述半导体装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不限定于上述。作为本专利技术的一个方式的的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器)、输入输出装置(例如，触摸面板)、上述装置的驱动方法或者上述装置的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。有时可以说显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等包括半导体装置。
技术介绍
1、近年来，已对半导体装置进行开发，lsi、cpu、存储器等主要用于半导体装置。cpu是包括将半导体晶片加工来形成芯片而成的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器)且形成有作为连接端子的电极的半导体元件的集合体。
2、lsi、cpu、存储器等的半导体电路(ic芯片)被安装在电路板(例如，印刷线路板)上，并被用作各种电子设备的构件之一。
3、此外，通过使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到注目。该晶体管被广泛地应用于集成电路(ic)、图像显示装置(简单地记载为显示装置)等电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注
4、另外，已知使用氧化物半导体的晶体管在非导通状态下泄漏电流极小。例如，专利文献1已公开了应用使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流小的特性的低功耗cpu等。另外，例如，专利文献2已公开了通过应用使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流小的特性可以长期保持存储内容的存储装置等。
5、另外，专利文献3已公开了以接触于氧化物半导体的顶面的方式设置有源电极层及漏电极层的微型结构的晶体管。
6、[先行技术文献]
7、[专利文献]
8、[专利文献1]日本专利申请公开第2012-257187号公报
9、[专利文献2]日本专利申请公开第2011-151383号公报
10、[专利文献3]国际专利申请公开第2016-125052号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种工作速度快的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有良好的电特性的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种通态电流大的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置的制造方法。
3、此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种存储容量大的存储装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种工作速度快的存储装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的存储装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的存储装置。
4、注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载抽出上述以外的目的。
5、解决技术问题的手段
6、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物；氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体；与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体；与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体；配置于第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第三导电体与第四导电体之间的区域的开口的第一绝缘体；配置于第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的其他一部分、第二导电体的顶面的其他一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体；配置于第一绝缘体的开口内且与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体；以及在第一绝缘体的开口内配置于第三绝缘体上且具有隔着第三绝缘体与氧化物重叠的区域的第五导电体，其中，第一导电体与第二导电体之间的距离比第三导电体与第四导电体之间的距离小，第二绝缘体包括第一层及第一层上的第二层，第一层包含氮化物绝缘体，并且，第二层包含氧化物绝缘体。
7、在上述半导体装置中，优选的是，第一层与第一导电体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第一绝缘体接触，并且第二层不与第一导电体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第一绝缘体接触。
8、在上述半导体装置中，第一层优选包含氮化硅。
9、在上述半导体装置中，第二层优选包含氧化硅。
10、在上述半导体装置中，第二层优选包含氧化铝。
11、在上述半导体装置中，第二层优选包含氧化铪。
12、在上述半导体装置中，第一导电体及第二导电体优选包含金属氮化物。
13、在上述半导体装置中，第一导电体及第二导电体优选包含氮化钽。
14、在上述半导体装置中，优选的是，第一导电体及第二导电体包含氮化钽，并且第三导电体及第四导电体包含钨。
15、另外，在上述半导体装置中，第三导电体和第四导电体之间的距离与第一导电体和第二导电体之间的距离之差优选与第二绝缘体的厚度的2倍一致或大致一致。
16、另外，在上述半导体装置中，在俯视时，第一绝缘体的开口的侧面优选与第三导电体的侧面及第四导电体的侧面对齐或大致对齐。
17、另外，本专利技术的另一个方式是一种包括上述半导体装置以及电容元件的存储装置，其中，电容元件的一个电极与半导体装置的第三导电体电连接。
18、专利技术效果
19、根据本专利技术的一个方式，可以提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种工作速度快的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种具有良好的电特性的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种通态电流大的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种功耗低的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的半导体装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的半导体装置的制本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，
6.根据权利要求3所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
12.一种存储装置，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，
6.根据权利要求3所述的半导体装置，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，方堂凉太，远藤俊弥，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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