【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及shj电池微晶镀膜，具体涉及一种用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法。
技术介绍
1、传统的hjt电池结构首先在n型单晶硅片(c-si)的正面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和n型非晶硅薄膜(n-a-si:h)，然后在硅片的背面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和p型非晶硅薄膜(p-a-si:h)形成背表面场；再在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(tco)，最后在tco上制作金属电极。
2、目前市面n面技术方案为：载板进入腔体后，升温到200度左右，通入h2/sih4,再同入一定比率的掺杂气体ph3，开启合适的电源功率进行沉积，镀膜过程中载板静止，因为掺杂n需要梯度掺杂，沉积完n1后，腔体气体抽干净(防止气体进入下一个腔体)，打开腔体阀门，载板进入下一个腔体继续同样方法沉积n2、n3等。因为n层需要梯度掺杂，需要多腔进行工艺，增加设备成本和镀膜时间，市面上同一个腔无法实现整个n层梯度掺杂工艺。
3、因此，如何克服现有微晶镀膜工艺无法在单腔内进行多层梯度掺杂是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，以解决现有n层钝化工艺需多个腔室静止沉积的问题。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，包括如下步骤：步骤s1，将pecvd腔体的温度预设至200-260℃，将n型单晶硅片送入p
3、在一种可选的实施方式中，还包括：步骤s10，进行少子寿命测试，筛出少子寿命低于5000us的n层钝化的n型单晶硅片。
4、在一种可选的实施方式中，所述n1层的厚度为0.5-5nm。
5、在一种可选的实施方式中，所述n2层的厚度为0.5-5nm。
6、在一种可选的实施方式中，所述n3层的厚度为4-15nm。
7、第二方面，本公开实施例提供了一种线性连续镀膜装置，应用于采用如前所述的线性连续镀膜方法的pecvd镀膜设备对异质结电池片的镀膜中，所述线性连续镀膜装置包括：镀膜模块，设于pecvd腔体的内部上方，依次按照hpt电源和钝化电源间隔设置的方式进行pecvd沉积的同时进行电磁场引导，其中所述hpt电源与所述钝化电源内均设置有相位角设置为0°-180°的一对独立电源；传输模块，设于pecvd腔体的内部下方，用于通过滚轮将负载有n型单晶硅片的载板传输通过pecvd腔体。
8、在一种可选的实施方式中，所述hpt电源和钝化电源的数量均不低于三个。
9、在一种可选的实施方式中，所述hpt电源的功率为100-500w；所述钝化电源的功率为500-2000w。
10、在一种可选的实施方式中，所述镀膜模块的末端设置有至少一台工艺泵。
11、第三方面，本公开实施例提供了一种线性连续镀膜系统，包括如前所述的线性连续镀膜装置，以及异质结电池片，所述线性连续镀膜装置用于对所述异质结电池片沉积n层钝化膜。
12、本专利技术的有益效果是，本专利技术的用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法具有如下优点：
13、1、利用带有0°-180°相位角的电源形成电磁场，在控制沉积区域的同时也加快了镀膜速率，同时由于沉积区域受电磁场所控制，因此实现了n层梯度掺杂在单腔内实现的效果，大幅提高了工艺效率，也降低了n型单晶硅片进出各腔室所造成的气体损耗；
14、2、hpt电源的加入在增加氢原子注入的同时也可以刻蚀掉不合格的表明膜层，从而进一步提升少子寿命。
15、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
16、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的用于提高异质结电池N面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
6.一种线性连续镀膜装置，其特征在于，应用于采用如权利要求1-5任一项所述的线性连续镀膜方法的PECVD镀膜设备对异质结电池片的镀膜中，所述线性连续镀膜装置包括：
7.如权利要求6所述的线性连续镀膜装置，其特征在于，
8.如权利要求6所述的线性连续镀膜装置，其特征在于，
9.如权利要求6所述的线性连续镀膜装置，其特征在于，
10.一种线性连续镀膜系统，其特征在于，包括如权利要求6-9所述的线性连续镀膜装置，以及异质结电池片，所述线性连
...【技术特征摘要】
1.一种用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的用于提高异质结电池n面场钝化效应的线性连续镀膜方法，其特征在于，
6.一种线性连...
【专利技术属性】
技术研发人员：王迅，
申请(专利权)人：常州比太科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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