【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种存储器、存储器系统及存储器的操作方法。
技术介绍
1、目前，随着三维闪存(augmented reality，3d nand)的不断发展，存储单元的密度越来越高，为了提高产品的性能，厂商希望在编程时，编程时间越短越好。然而互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor)电路设计的尺寸也在不断缩小，由于外围电路面积的缩小限制了阵列电压的驱动能力，导致编程时间增加。编程操作需要在规定的时间内将电压逐渐增加到目标值，以对存储单元进行正确的编程。如果阵列电压的上升速度不足，编程时间就会增加。
2、因此如何在存储单元的密度越来越高，而cmos电路设计的尺寸越来越小的情况下，减少编程时间，是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开公开的实施例提供一种存储器、存储器系统及存储器的操作方法，旨在解决在存储单元的密度越来越高的情况下，编程时间越来越长的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，提供一种存储器，包括：多个存储串，存储串包括源极层、底部选择管层和栅极层，底部选择管层位于源极层和栅极层之间，其中，底部选择管层包括多个底部选择管；
4、第一存储串的底部选择管与第二存储串的底部选择管连接同一条底部选择栅线。
5、本公开提供的存储器，底部选择管层没有底部栅极选择切口将其进行分隔，不同指存储区对应的底部选择管连接
6、在一些实施例中，存储串包括第一底部选择管与第二底部选择管，第二底部选择管设置于第一底部选择管与源极层之间，第一存储串的第一底部选择管与第二存储串的第一底部选择管连接第一底部选择栅线。及第一存储串的第二底部选择管以及第二存储串的第二底部选择管连接第二底部选择栅线。
7、在一些实施例中，位于第一存储串的第一底部选择管的阈值电压大于位于第二存储串的第一底部选择管的阈值电压。及位于第一存储串的第二底部选择管的阈值电压小于位于第二存储串的第二底部选择管的阈值电压。
8、本公开的实施例提供的存储器，为不同的底部选择管层、不同存储串上的底部选择管设置不同的阈值电压，从而可以在编程验证阶段，通过施加不同的导通电压，从而实现对底部选择管的选择性关断。因此在对存储单元的编程验证过程中，通过减小非编程存储串的寄生rc效应对编程存储串的影响，可以减少信号传输延迟，从而减少编程时间。
9、在一些实施例中，存储串还包括第三底部选择管，第一存储串的第三底部选择管以及第二存储串的第三底部选择管连接第三底部选择栅线，第三底部选择管设置在第二底部选择管和存储器的源极层之间，第三底部选择栅线所连接的第三底部选择管的阈值电压相同。
10、在一些实施例中，第一底部选择管的阈值电压、第二底部选择管的阈值电压小于第三底部选择管的阈值电压。
11、本公开的实施例提供的存储器，第三底部选择管的阈值电压高于第一底部选择管和第二底部选择管的阈值电压，从而在对底部选择管层中的第一底部选择管和第二底部选择管进行编程时，起到关断作用。
12、在一些实施例中，多个底部选择管还包括虚拟选择管，至少一个虚拟选择管设置于任意两个阈值电压不同的底部选择管之间，第一存储串的虚拟选择管以及第二存储串的虚拟选择管连接伪字线。
13、本公开的实施例提供的存储器，通过设置虚拟选择管来对电势差进行缓冲，从而降低热载流子注入问题发生的可能性，进而提高选择管的寿命。
14、在一些实施例中，存储串中第一底部选择管、第二底部选择管的数量为一个或多个。
15、在一些实施例中，存储串中的第三底部选择管的数量为一个或多个。
16、在一些实施例中，第一存储串和第二存储串位于不同的指存储区。
17、本公开的实施例提供的存储器，可以以指存储区或存储串为最小单位，实现对底部选择管层的选择性分隔。
18、第二方面，提供一种存储器的操作方法，方法包括：
19、对第一底部选择管、第二底部选择管进行编程，以使第一底部选择管、第二底部选择管编程至不同的目标阈值电压；
20、向第一底部选择栅线、第二底部选择栅线施加不同的电压，其中，第一底部选择栅线与第一底部选择管耦接，第二底部选择栅线与第二底部选择管耦接。
21、在一些实施例中，位于第一存储串的第一底部选择管的阈值电压大于位于第二存储串的第一底部选择管的阈值电压，位于第一存储串的第二底部选择管的阈值电压小于位于第二存储串的第二底部选择管的阈值电压，向第一底部选择栅线、第二底部选择栅线施加不同的电压包括：
22、向第一底部选择栅线施加第一电压，向第二底部选择栅线施加第二电压，或者向第一底部选择栅线施加第二电压，向第二底部选择栅线施加第一电压，其中第一电压大于第二电压。
23、在一些实施例中，方法还包括：
24、向第三底部选择栅线施加第三电压，其中，第三底部选择栅线与第三底部选择管耦接；
25、向伪字线施加通过电压，其中，伪字线与虚拟选择管耦接。
26、在一些实施例中，对第一底部选择管、第二底部选择管进行编程，以使第一底部选择管、第二底部选择管编程至不同的目标阈值电压，包括：
27、当向第一底部选择栅线施加第一编程电压时，对第一存储串的第一底部选择管、第二存储串的第一底部选择管进行编程，当向第一底部选择栅线施加第二编程电压时，对第一存储串的第一底部选择管进行编程，并阻止对第二存储串的第一底部选择管进行编程。
28、在一些实施例中，对第一存储串的第一底部选择管、第二存储串的第一底部选择管进行编程，包括：
29、向第一顶部选择栅线、第二顶部选择栅线施加导通电压，其中，第一顶部选择栅线耦接至第一存储串的顶部选择管，第二顶部选择栅线耦接至第二存储串的顶部选择管。
30、在一些实施例中，对第一存储串的第一底部选择管进行编程，并阻止对第二存储串的第一底部选择管进行编程，包括：
31、向第一顶部选择栅线施加导通电压，向第二顶部选择栅线施加关断电压，其中，第一顶部选择栅线耦接至第一存储串的顶部选择管，第二顶部选择栅线耦接至第二存储串的顶部选择管。
32、第三方面，提供一种存储器系统，存储器系统包括存储控制器和上述第一方面中的存储器，存储控制器被配置为控制存储器。
33、第四方面，提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令；计算机可执行指令被执行后，能够实现上述第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：多个存储串，所述存储串包括源极层、底部选择管层和栅极层，所述底部选择管层位于所述源极层和所述栅极层之间，其中，所述底部选择管层包括多个底部选择管；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储串包括第一底部选择管与第二底部选择管，所述第二底部选择管设置于所述第一底部选择管与所述源极层之间；
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，位于所述第一存储串的所述第一底部选择管的阈值电压大于位于所述第二存储串的所述第一底部选择管的阈值电压；及
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储串还包括第三底部选择管，所述第一存储串的所述第三底部选择管以及所述第二存储串的所述第三底部选择管连接第三底部选择栅线；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一底部选择管的阈值电压、所述第二底部选择管的阈值电压小于所述第三底部选择管的阈值电压。
6.根据权利要求1-5任一项所述的存储器，其特征在于，所述多个底部选择管还包括虚拟选择管，至少一个所述虚拟选择管设置于任意两个阈值电压不同的
7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储串中第一底部选择管、所述第二底部选择管的数量为一个或多个。
8.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储串中的第三底部选择管的数量为一个或多个。
9.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一存储串和所述第二存储串位于不同的指存储区。
10.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，位于所述第一存储串的所述第一底部选择管的阈值电压大于位于所述第二存储串的所述第一底部选择管的阈值电压，位于所述第一存储串的所述第二底部选择管的阈值电压小于位于所述第二存储串的所述第二底部选择管的阈值电压，所述向所述第一底部选择栅线、所述第二底部选择栅线施加不同的电压包括：
12.根据权利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：
13.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述对第一底部选择管、第二底部选择管进行编程，以使所述第一底部选择管、所述第二底部选择管编程至不同的目标阈值电压，包括：
14.根据权利要求13所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述对所述第一存储串的第一底部选择管、所述第二存储串的第一底部选择管进行编程，包括：
15.根据权利要求13所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述对所述第一存储串的第一底部选择管进行编程，并阻止对所述第二存储串的第一底部选择管进行编程，包括：
16.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括存储控制器与存储器，所述存储控制器与所述存储器耦合；所述存储器包括多个存储串，所述存储串包括源极层、底部选择管层和栅极层，所述底部选择管层位于所述源极层和所述栅极层之间，其中，所述底部选择管层包括多个底部选择管；
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：多个存储串，所述存储串包括源极层、底部选择管层和栅极层，所述底部选择管层位于所述源极层和所述栅极层之间，其中，所述底部选择管层包括多个底部选择管；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储串包括第一底部选择管与第二底部选择管，所述第二底部选择管设置于所述第一底部选择管与所述源极层之间；
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，位于所述第一存储串的所述第一底部选择管的阈值电压大于位于所述第二存储串的所述第一底部选择管的阈值电压；及
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储串还包括第三底部选择管，所述第一存储串的所述第三底部选择管以及所述第二存储串的所述第三底部选择管连接第三底部选择栅线；
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一底部选择管的阈值电压、所述第二底部选择管的阈值电压小于所述第三底部选择管的阈值电压。
6.根据权利要求1-5任一项所述的存储器，其特征在于，所述多个底部选择管还包括虚拟选择管，至少一个所述虚拟选择管设置于任意两个阈值电压不同的所述底部选择管之间，所述第一存储串的所述虚拟选择管以及所述第二存储串的所述虚拟选择管连接伪字线。
7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储串中第一底部选择管、所述第二底部选择管的数量为一个或多个。
8.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储串中的第三底部选择管的数量为一个或多个。
9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾建权，赵向南，许锋，闵园园，崔莹，李晨辉，祁卫，王均保，靳磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。