【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种封装基板结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺技术的飞速发展，人工智能、服务器、可穿戴设备对集成电路的要求向着便携化、小型化以及多功能化转变，这就使得芯片在实现高集成度的同时要有更小的体积。然而由于硅材料的物理限制，晶体管实现5纳米以下的技术节点将需要更高的研发成本投入，“摩尔定律”逐渐走向尽头。先进封装利用硅通孔(through silicon via，tsv)、微凸点(μbump)、重布线层(redistribution layer，rdl)、中介层(interposer)等技术实现多芯片的封装互连，是延续“摩尔定律”的一种可行方案。
2、为了保证芯片的电源完整性和信号完整性，一般会在封装基板表面贴装电容、电阻等无源器件阵列。通常情况下，无源器件会占据cpu/gpu封装基板pin(引脚)面上约30％的表面积，覆盖约300～500个pin的位置(常规尺寸载板上约1100～2000个pin)。在如今电子产品尺寸越来越小、集成度越来越高的情况下，这种表面贴装电容的方式已经无法满足需求，影响多芯片的封装互连。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的，不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种封装基板结构
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种封装基板结构的制备方法，所述制备方法包括：
3、步骤1：提供一封装基板，所述封装基板包括芯板层、线路层和第一介电层，两层所述线路层分别设置于所述芯板层相对设置的两个表面上，两层所述线路层贯穿所述芯板层实现相互连接，所述第一介电层分别覆盖所述线路层及所述芯板层显露出的上表面，所述线路层中包括阻挡结构；
4、步骤2：提供一硅基中间层，所述硅基中间层包括相对设置的无源面和有源面，所述硅基中间层的无源面上设置有无源器件，所述硅基中间层包括互连层，所述互连层位于所述硅基中间层靠近所述有源面的一侧；
5、步骤3：在所述封装基板的所述第一介电层上形成盲槽结构，所述盲槽结构下方显露出所述线路层中的阻挡结构，所述盲槽结构平行于所述芯板层的截面面积大于所述阻挡结构平行于所述芯板层的截面面积；
6、步骤4：在所述硅基中间层的无源面设置有机黏膜，将所述硅基中间层通过所述有机黏膜设置到所述盲槽结构内；
7、步骤5：在设置所述硅基中间层后的所述封装基板的上表面和下表面分别设置多层互连结构，所述多层互连结构与所述硅基中间层的所述互连层、所述封装基板的所述线路层均形成有效电连接；
8、步骤6：在设置所述多层互连结构后的所述封装基板的上表面和下表面分别设置阻焊层，至此得到包括所述硅基中间层的所述封装基板结构。
9、可选地，所述无源器件包括硅基电容、硅基电阻或/和硅基电感中的一个或一个以上的任意组合。
10、可选地，所述硅基中间层的制备方法包括：
11、提供第一衬底，所述第一衬底的下表面作为所述硅基中间层的无源面，于所述第一衬底上设置第一氧化层；
12、设置深孔贯穿所述第一氧化层并延伸至所述第一衬底内；
13、于所述第一氧化层上设置第一电极层，所述第一电极层覆盖所述第一氧化层及所述深孔显露出的表面；于所述第一电极层上设置第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第一电极层表面；于所述第二介电层上设置第二电极层，所述第二电极层覆盖所述第二介电层表面并填充所述深孔；
14、对所述第二电极层进行平坦化，设置第一通孔贯穿所述第二电极层和所述第二介电层；于第二电极层上设置第二氧化层，所述第二氧化层填充所述第一通孔；于第二氧化层上设置第二通孔，所述第二通孔设置于所述第一通孔内并贯穿所述第一通孔，所述第二通孔与所述第二电极层、所述第二介电层之间通过所述第二氧化层进行隔离；于所述第二氧化层上设置第三通孔，所述第三通孔设置于未设置所述第一通孔的位置，所述第三通孔贯穿所述第二电极层；于所述第二氧化层上设置第一金属层，所述第一金属层通过所述第二通孔与所述第一电极层相连，所述第一金属层通过所述第三通孔与所述第二电极层相连；
15、图形化所述第一金属层，于所述第一金属层图形化的空隙填充第三介电层，所述第一金属层和所述第三介电层组成第一互连层，所述第一互连层的上表面作为所述硅基中间层的有源面。
16、可选地，所述硅基中间层的制备方法包括：
17、提供第二衬底，于所述第二衬底上设置第三氧化层；
18、于所述第三氧化层上设置电阻金属层；
19、于所述电阻金属层上设置第四介电层，于所述第四介电层上设置第四通孔，所述第四通孔位于所述电阻金属层上方并贯穿所述第四介电层；
20、于所述第四介电层上设置第二金属层；
21、图形化所述第二金属层并于所述第二金属层图形化的间隙填充第五介电层，所述第二金属层和所述第五介电层组成第二互连层。
22、本专利技术还提供一种封装基板结构的制备方法，所述制备方法包括：
23、步骤1：提供一封装基板，所述封装基板包括芯板层、线路层和第一介电层，两层所述线路层设置于所述芯板层相对设置的两个表面上并贯穿所述芯板层进行连接，所述第一介电层分别覆盖所述线路层及所述芯板层显露出的上表面，所述封装基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述芯板层的上表面；
24、步骤2：提供一硅基中间层，所述硅基中间层包括相对设置的无源面和有源面，所述硅基中间层的无源面上设置有无源器件层，所述硅基中间层包括互连层，所述互连层位于所述硅基中间层靠近所述有源面的表面；
25、步骤3：在所述封装基板设置通槽结构，所述通槽结构贯穿所述封装基板，所述通槽结构平行于所述芯板层的截面面积大于所述硅基中间层平行于所述芯板层的截面面积；
26、步骤4：减薄位于所述封装基板的第二表面的第一介电层以显露所述线路层；
27、步骤5：于所述封装基板减薄后的所述第二表面压合阻挡层；
28、步骤6：将所述硅基中间层的所述有源面设置于所述封装基板的所述通槽结构中的所述阻挡层上；
29、步骤7：在设置所述硅基中间层后的所述封装基板上压合第六介电层；
30、步骤8：去除所述阻挡层，显露出所述硅基中间层的互连层和所述封装基板的所述线路层；
31、步骤9：在去除所述阻挡层后的所述封装基板的第一表面和第二表面分别设置多层互连结构，所述多层互连结构与所述硅基中间层的所述互连层、所述封装基板的所述线路层均形成有效电连接；
32、步骤10：在设置所述多层互连结构后的所述封装基板的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述无源器件包括硅基电容、硅基电阻或/和硅基电感中的一个或一个以上的任意组合。
3.根据权利要求1所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述硅基中间层的制备方法包括：
4.根据权利要求1所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述硅基中间层的制备方法包括：
5.一种封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
6.根据权利要求5所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述无源器件包括硅基电容、硅基电阻或/和硅基电感中的一个或一个以上的任意组合。
7.根据权利要求5所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述硅基中间层的制备方法包括：
8.根据权利要求5所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述硅基中间层的制备方法包括：
9.根据权利要求5所述的封装基板结构的制备方法，其特征在于，所述封装基板的所述第一介电层的材料为半透明有机物。
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