【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆表面的有机污染物的检测方法及检测装置。
技术介绍
1、随着半导体产业的不断发展，半导体制作工艺已经进入纳米时代，对于半导体晶圓表面的质量要求也越来越高，要求晶圆表面为平坦光滑、不含污染物粒子的清洁表面。
2、现有膜厚测试设备很难在未知膜层成分的情况下对硅片表面潜在的有机污染膜进行表征，容易造成后续加工过程中的良率损失。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种晶圆表面的有机污染物的检测方法及检测装置，以有效检测出晶圆表面的有机污染物。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种晶圆表面的有机污染物的检测方法，晶圆包括衬底和功能层；所述检测方法包括：
3、对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第一厚度；
4、采用紫外光照射所述预设区域的所述功能层，对所述预设区域的所述功能层进行表面处理；
5、再次对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第二厚度；
6、将所述第一厚度和所述第二厚度的差值的绝对值与第一阈值进行比较，以判断所述晶圆的所述功能层的表面是否存在所述有机污染物。
7、可选的，采用椭偏仪，对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征；
8、所述第一阈值大于或等于所述椭偏仪的最大误差值。
9、可选的，对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第一厚度，包括：
10、根据所述衬底、所述功能层和过渡层，建立第一
11、对所述预设区域的所述功能层和所述过渡层进行检测，得到所述第一厚度和第一实际光谱；
12、根据所述第一厚度和所述第一扫描模型，得到第一理论光谱；
13、判断所述第一理论光谱与所述第一实际光谱的第一拟合度是否大于或等于第二阈值；
14、若所述第一拟合度大于或等于所述第二阈值，则输出所述第一厚度。
15、可选的，若所述第一拟合度小于所述第二阈值，则以第一预设规则修改所述第一预设占比，并返回执行根据所述衬底、所述功能层和过渡层，建立第一扫描模型的步骤。
16、可选的，再次对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第二厚度，包括：
17、根据所述衬底和所述功能层，建立第二扫描模型，并设置第二目标厚度；
18、对所述预设区域的所述功能层进行检测，得到所述第二厚度和第二实际光谱；
19、根据所述第二厚度和所述第二扫描模型，得到第二理论光谱；
20、判断所述第二理论光谱与所述第二实际光谱的第二拟合度是否大于或等于第二阈值；
21、若所述第二拟合度大于或等于所述第二阈值，则输出所述第二厚度。
22、可选的，若所述第二拟合度小于所述第二阈值，则根据所述衬底、所述功能层和过渡层，建立第二扫描模型，并设置第二目标厚度，返回执行对所述预设区域的所述功能层进行检测，得到所述第二厚度和第二实际光谱的步骤。
23、可选的，所述预设区域包括多个子区域；各所述子区域的所述第一厚度和所述第二厚度的差值的绝对值为各所述子区域的厚度变化值；
24、将所述第一厚度和所述第二厚度的差值的绝对值与第一阈值进行比较，以检测所述晶圆的所述功能层的表面是否存在所述有机污染物，包括：
25、将各所述子区域的所述厚度变化值与所述第一阈值进行比较，以判断所述晶圆的所述功能层的表面是否存在所述有机污染物。
26、根据本专利技术的又一方面，提供了一种晶圆表面的有机污染物的检测装置，晶圆包括衬底和功能层；所述检测装置用于执行本专利技术任一实施例所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法；所述检测装置包括：
27、第一检测模块，对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第一厚度；
28、表面处理模块，用于采用紫外光照射所述预设区域的所述功能层，对所述预设区域的所述功能层进行表面处理；
29、第二检测模块，用于再次对晶圆的预设区域的所述功能层的进行厚度表征，得到第二厚度；
30、判断模块，用于将所述第一厚度和所述第二厚度的差值的绝对值与第一阈值进行比较，以判断所述晶圆的所述功能层的表面是否存在所述有机污染物。
31、根据本专利技术的又一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
32、至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；
33、其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术任一实施例所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法。
34、根据本专利技术的又一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法。
35、本专利技术的技术方案，通过在紫外光照射之前对晶圆进行一次厚度表征，以及在紫外光之后再对晶圆进行一次厚度表面，可以得到紫外光照射前、后的厚度变化，实现对晶圆表面有机污染物的监控，有利于在生产过程中提前发现有机污染物，可以及时对存在有机污染物的晶圆进行处理，有利于提高产品的质量，减少良率损失；另外，在对晶圆表面有机污染物的监控过程中，不会对晶圆本身造成损伤，有利于后续工序对晶圆的生产加工。
36、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，晶圆包括衬底和功能层；所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，所述预设区域包括多个子区域；各所述子区域的所述第一厚度和所述第二厚度的差值的绝对值为各所述子区域的厚度变化值；
8.一种晶圆表面的有机污染物的检测装置，其特征在于，晶圆包括衬底和功能层；所述检测装置用于执行权利要求1-7中任一项所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法；所述检测装置包括：
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，晶圆包括衬底和功能层；所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的晶圆表面的有机污染物的检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的晶圆表面的有机污染物的检测方...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡浩，晁明明，王邃，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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