【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器，尤其涉及一种存储器系统的操作方法、存储器的操作方法及存储器系统。
技术介绍
1、在对三维存储器(例如，3d nand存储器)进行编程的过程中，存储单元中所有相邻两个编程态的阈值电压重叠部分的总和(记为esum)以及编程时间(记为tprog)是两个非常重要的指标。其中，esum决定了存储单元的编程质量，tprog决定了存储单元的编程性能。但是，编程质量和编程性能容易受到各种应用场景因素的动态影响。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种存储器系统的操作方法、存储器的操作方法及存储器系统，旨在解决编程过程三维存储器的编程质量和编程性能容易受各种应用场景因素影响的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，提供一种存储器系统的操作方法，该方法可以由存储器控制器执行。存储器控制器在执行时，可以先获取执行第一编程操作后，存储器发送的至少一个编程态对应的硬位数据和软位数据。该第一编程操作基于第一编程参数执行。然后，响应于硬位数据和软位数据，向存储器发送第一指示信息。其中，第一指示信息用于指示存储器执行第二编程操作时的第二编程参数的调整策略。第一编程参数和第二编程参数均包括增量阶跃脉冲编程参数以及编程验证电压。基于此，存储器控制器可以在执行一个编程操作后，根据至少一个编程态对应的硬位数据和软位数据动态调整后续编程操作的增量阶跃脉冲编程参数和编程验证电压等参数，平衡编程质量和编程性能，降低各种应用场景因素的动态影响。>
4、在一种可能的实施方案中，响应于硬位数据和软位数据，向存储器发送第一指示信息时，可以将硬位数据和软位数据进行对比，确定至少一个编程态的误码率。然后，根据误码率生成第一指示信息。基于此，存储器控制器可以根据检测到的误码率生成上述的第一指示信息，从而更为准确的指示存储器调整后续编程操作的编程参数。
5、在一种可能的实施方案中，当误码率低于第一阈值时，上述调整策略为：提高增量阶跃脉冲编程参数和编程验证电压中的至少一项。基于此，如果误码率低于设置的阈值(即误码率很低)，则可以通过提高增量阶跃脉冲编程参数或者增加编程验证电压，减少编程时间，提高编程性能。
6、在一种可能的实施方案中，当误码率高于第二阈值时，调整策略为：降低增量阶跃脉冲编程参数以及编程验证电压中的至少一项。基于此，如果误码率高于设置的阈值(即误码率过高)，则可以通过降低增量阶跃脉冲编程参数以及编程验证电压，降低误码率以提高编程质量。
7、在一种可能的实施方案中，第一阈值小于第二阈值。
8、在一种可能的实施方案中，当误码率位于第一阈值至第二阈值的范围时，调整策略为：保持第二编程参数不变。基于此，可以将误码率位于第一阈值至第二阈值的范围作为可接受范围，不调整第二编程参数。
9、在一种可能的实施方案中，第一阈值等于第二阈值。
10、在一种可能的实施方案中，当误码率等于第一阈值时，调整策略为：保持第二编程参数不变。基于此，也可以选择在误码率为第一阈值不调整第二编程参数。
11、在一种可能的实施方案中，第一编程操作和第二编程操作对应相同编程地址的不同编程态。基于此，在编程过程中，可以根据同一编程地址已编程的编程态所对应的误码率调整后续需要进行编程的编程态的编程参数。
12、在一种可能的实施方案中，第一编程操作和第二编程操作对应不同编程地址的相同编程态或不同编程态。基于此，可以根据前一个编程地址的误码率调整下一个编程地址的编程参数。
13、在一种可能的实施方案中，第一指示信息还用于指示根据调整策略进行编程得到的编程态的读取电压和擦除电压。基于此，还可以在调整后续的编程参数时，调整后续编程态的读取电压和擦除电压。
14、第二方面，提供了一种存储器的操作方法。其中，处理器在执行第一编程操作后，输出至少一个编程态对应的硬位数据和软位数据。其中，第一编程操作基于第一编程参数执行。然后，存储器接收响应于硬位数据和软位数据返回的第一指示信息。其中，第一指示信息用于指示存储器执行第二编程操作时的第二编程参数的调整策略。第二编程参数包括增量阶跃脉冲编程参数和编程验证电压。最后，存储器响应于第一指示信息，执行调整策略。
15、在一种可能的实施方案中，第一指示信息的生成方式时，存储器可以将硬位数据和软位数据进行对比，确定至少一个编程态的误码率。然后，根据误码率生成第一指示信息。
16、在一种可能的实施方案中，当误码率低于第一阈值时，上述调整策略为：提高增量阶跃脉冲编程参数以及编程验证电压中的至少一项。
17、在一种可能的实施方案中，当误码率高于第二阈值时，上述调整策略为：降低增量阶跃脉冲编程参数以及编程验证电压中的至少一项。
18、在一种可能的实施方案中，第一阈值小于第二阈值。
19、在一种可能的实施方案中，当误码率位于第一阈值和第二阈值之间时，调整策略为：保持第二编程参数不变。
20、在一种可能的实施方案中，第一阈值等于第二阈值。
21、在一种可能的实施方案中，当误码率等于第一阈值时，调整策略为：保持第二编程参数不变。
22、在一种可能的实施方案中，第一指示信息还用于指示根据调整策略进行编程得到的编程态的读取电压和擦除电压。
23、在一种可能的实施方案中，第一编程操作和第二编程操作对应相同编程地址的不同编程态。
24、在一种可能的实施方案中，第一编程操作和第二编程操作对应不同编程地址的相同编程态或不同编程态。
25、第三方面，提供了一种存储器系统。其中，该存储器系统包括一个或多个存储器；以及与存储器耦合的存储器控制器。存储器控制器被配置为：接收存储器执行第一编程操作后，发送的至少一个编程态对应的硬位数据和软位数据。其中，第一编程操作基于第一编程参数执行。然后，响应于硬位数据和软位数据，向存储器发送第一指示信息。其中，第一指示信息用于指示存储器执行第二编程操作时的第二编程参数的调整策略。第二编程参数包括增量阶跃脉冲编程参数和编程验证电压。
26、存储器被配置为：接收第一指示信息。响应于第一指示信息，执行调整策略。
27、第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机程序指令，计算机程序指令被处理器执行以实现上述第一方面或者上述第二方面任一项的方法。
28、第五方面，提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品被处理器执行以实现上述第一方面或者上述第二方面任一项的方法。
29、可以理解地，申请的上述实施例提供的第二方面至第五方面所能达到的有益效果可参考上文中第一方面的有益效果，此处不再赘述。
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1.一种存储器系统的操作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，响应于所述硬位数据和所述软位数据，向所述存储器发送第一指示信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述误码率低于第一阈值时，所述调整策略为：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述误码率高于第二阈值时，所述调整策略为：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阈值小于所述第二阈值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述误码率位于所述第一阈值至所述第二阈值的范围时，所述调整策略为：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阈值等于所述第二阈值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述误码率等于所述第一阈值时，所述调整策略为：
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作对应相同编程地址的不同编程态。
10.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一指示信息还用于指示根据所述调整策略进行编程得到的编程态的读取电压和擦除电压。
12.一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，第一指示信息的生成方式包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，当所述误码率低于第一阈值时，所述调整策略为：
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，当所述误码率高于第二阈值时，所述调整策略为：
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一阈值小于所述第二阈值。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，当所述误码率位于所述第一阈值和所述第二阈值之间时，所述调整策略为：
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一阈值等于所述第二阈值。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，当所述误码率等于所述第一阈值时，所述调整策略为：
20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一指示信息还用于指示根据所述调整策略进行编程得到的编程态的读取电压和擦除电压。
21.根据权利要求12-20任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作对应相同编程地址的不同编程态。
22.根据权利要求12-20任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作对应不同编程地址的相同编程态或不同编程态。
23.一种存储器系统，其特征在于，包括一个或多个存储器；以及与所述存储器耦合的存储器控制器；
24.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被处理器执行以实现如权利要求1-11任一项所述的方法，或者实现如权利要求12-22任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器系统的操作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，响应于所述硬位数据和所述软位数据，向所述存储器发送第一指示信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述误码率低于第一阈值时，所述调整策略为：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述误码率高于第二阈值时，所述调整策略为：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阈值小于所述第二阈值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述误码率位于所述第一阈值至所述第二阈值的范围时，所述调整策略为：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阈值等于所述第二阈值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述误码率等于所述第一阈值时，所述调整策略为：
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作对应相同编程地址的不同编程态。
10.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作对应不同编程地址的相同编程态或不同编程态。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一指示信息还用于指示根据所述调整策略进行编程得到的编程态的读取电压和擦除电压。
12.一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，第一指示信息的生成方式包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：朱致玖，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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