【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，更具体地说，是涉及一种连接结构及tc wafer测温系统。
技术介绍
1、化学气相沉积（chemical vapor deposition；cvd）是一种用于制备薄膜材料的技术，在半导体、光学、电子等领域有广泛的应用，cvd设备是采用化学气相沉积工艺在例如硅片等衬底表面生成高纯致密、高性能的涂层薄膜的热工设备，具有沉积速率高、成膜易控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、使用范围广、设备简单等优点，在诸如sic、tac、hfc、pyc等多种薄膜涂层制备制造领域应用广泛。
2、在cvd工艺中，温度的均匀性和准确性对薄膜涂层的形成质量、良率具有重要的影响作用，所以在cvd装机过程、校准测试过程或者异常原因分析过程需要测试cvd机台腔体内的温度，现有cvd腔体内的温度常通过热电偶晶圆（thermocouple wafer；tc wafer）测温系统对晶圆表面温度进行实时测量获得，tc wafer测温系统的原理是通过晶圆表面特定位置处的耐高温传感器获得晶圆特定位置的真实温度测量值以及整体晶圆的温度分布情况。这些温度数据可以帮助工程师评估cvd工艺的稳定性、追踪温度变化，以及调整工艺参数，从而保证产品的质量和性能。
3、现有tc wafer测温系统对cvd机台进行温度测试时，会出现tc wafer功能异常的情况，在tc wafer功能异常时，需要更换tc wafer，降低了tc wafer测温系统的使用寿命、增加了生产成本。
技术实现思路
1、
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术第一方面提供一种连接结构，应用于tc wafer测温系统，包括绝缘层、贯通带和多条引线；
3、每条所述引线均包括第一部分引线和第二部分引线，所述第一部分引线包裹于绝缘管内部，所述第二部分引线设置于所述贯通带上；
4、所述绝缘管靠近所述贯通带的一侧固定在所述绝缘层上，所述绝缘层与所述贯通带对接，所述贯通带与所述绝缘层不重叠，所述绝缘管和所述贯通带不重叠。
5、在一实施例中，还包括第一固定件，所述第一固定件用于固定所述贯通带和所述绝缘层的位置。
6、在一实施例中，所述第一固定件为牵引丝，所述牵引丝的一端固定于所述贯通带上，所述牵引丝的另一端固定于所述绝缘层上。
7、在一实施例中，所述牵引丝的数量为两条，所述牵引丝与所述引线平行设置，多条所述引线设置于两根所述牵引丝之间；
8、或者，所述牵引丝的数量大于两条，所述牵引丝间隔设置。
9、在一实施例中，所述牵引丝为耐高温金属线、陶瓷纤维丝或者石英纤维丝线。
10、在一实施例中，所述牵引丝和所述引线均为直径≤0.1mm的金属丝。
11、在一实施例中，所述绝缘层和绝缘管为陶瓷纤维、玻璃纤维或者石英纤维材料中的任意一种或者两种。
12、在一实施例中，所述贯通带为聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
13、在一实施例中，还包括第二固定件，所述第二固定件用于固定所述绝缘管和所述绝缘层的位置。
14、本专利技术第二方面提供一种tc wafer测温系统，包括晶圆、温度传感器、接头以及如上所述的连接结构，所述温度传感器的数量为多个，所述温度传感器用于获取所述晶圆表面待测点的温度，所述引线的第一部分引线与所述温度传感器连接，所述引线的第二部分引线与所述接头连接。
15、本专利技术提供的连接结构包括绝缘层、贯通带和多条引线，每条所述引线均包括第一部分引线和第二部分引线，第一部分引线包裹于绝缘管内部，第二部分引线设置于贯通带上，绝缘管靠近贯通带的一侧固定在绝缘层上，绝缘层与贯通带对接，贯通带与绝缘层不重叠，绝缘管和贯通带不重叠。该连接结构应用于tc wafer测温系统对cvd机台进行测试时，引线的第一部分引线与温度传感器连接，引线的第二部分引线与接头连接，由于连接结构中贯通带与绝缘层不重叠，绝缘管和贯通带不重叠，cvd腔体的密封圈压在绝缘层与贯通带对接处的贯通带上，耐高温且具有绝缘作用的绝缘层及绝缘管全部置于cvd腔体内部，贯通带位于cvd腔体外部，不会影响cvd腔体的密封效果，而且减少或者避免了贯通带进入cvd腔体被烧坏导致tc wafer测温系统功能异常的问题，提高了tc wafer测温系统的使用寿命，降低了成本。
16、本专利技术提供的tc wafer测温系统包括晶圆、温度传感器、接头以及如上所述的连接结构，所述温度传感器的数量为多个，温度传感器用于获取晶圆表面待测点的温度，该tcwafer测温系统的连接结构引线的第一部分引线与温度传感器连接，引线的第二部分引线与接头连接，由于连接结构中贯通带与绝缘层不重叠，绝缘管和贯通带不重叠，该tc wafer测温系统应用于cvd机台测试时，耐高温且具有绝缘作用的绝缘层及绝缘管全部置于cvd腔体内部，贯通带位于cvd腔体外部，不会影响cvd腔体的密封效果，而且减少或者避免了贯通带进入cvd腔体被烧坏导致tc wafer测温系统功能异常的问题，提高了tc wafer测温系统的使用寿命，降低了成本。
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1.一种连接结构，应用于TC wafer测温系统，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的连接结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
6.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：
9.根据权利要求1-8任一项所述的连接结构，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的连接结构，其特征在于：
11.一种TC wafer测温系统，其特征在于，包括：晶圆、温度传感器、接头以及如上权利要求1-10任一项所述的连接结构，所述温度传感器的数量为多个，所述温度传感器用于获取所述晶圆表面待测点的温度，所述引线的第一部分引线与所述温度传感器连接，所述引线的第二部分引线与所述接头连接。
【技术特征摘要】
1.一种连接结构，应用于tc wafer测温系统，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的连接结构，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
5.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
6.根据权利要求3所述的连接结构，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：
8.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志伟，童佳云，
申请(专利权)人：上海集迦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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