【技术实现步骤摘要】
本公开涉及芯片存储，尤其涉及一种控制方法、参数计算方法、存储器及存储系统。
技术介绍
1、存储系统包括存储器。该存储器可以为闪存(nand)。闪存中的存储单元可以用于存储数据。而存储单元的性能和寿命受数据处理次数的影响会发生变化。数据处理次数包括数据写入次数、数据擦除次数等。当存储单元的性能发生变化后，对该存储单元进行数据处理所基于的处理参数也会变化。
2、为了保证闪存的可靠性，在存储器的数据处理过程中，需要对每次数据处理操作进行记录，并存储相关存储单元的数据处理次数，以根据对应的数据处理次数，调整数据处理的处理参数。但在这种实施方式下，对数据处理次数的记录操作会占用程序的处理时间，降低存储器的处理性能。除此以外，记录这些数据处理次数也会占用存储器一定存储空间。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种控制方法、参数计算方法、存储器及存储系统，在提供闪存的可靠性和使用寿命的同时，降低了对程序处理时间和存储空间的占用。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，本公开的实施例提供了一种控制方法，该控制方法基于存储。存储器包括多个存储单元和多个第一晶体管。多个存储单元与多个第一晶体管对应。该控制方法，包括：基于第一验证读电压读取多个第一晶体管，获取第一读取失败数。第一读取失败数的取值与存储器的不同产品阶段对应。多个第一晶体管中存储有第一电压。第一电压与第一验证读电压的电压值相等。产品阶段与多个存储单元的数据处理次数相关。根据
4、在本公开的实施例中，可以通过一次验证读取操作，实现对存储单元m所处的产品阶段的确认。通过为不同的产品阶段选择对应的表项。可以在存储器的生命初期阶段提高数据处理性能(例如加快循环编程的处理速度)，在生命末期阶段提高数据处理的可靠性(例如读取数据的可靠性)。通过第一验证读电压对多个第一晶体管进行验证读取，得到第一读取失败数。第一读取失败数的取值与多个存储单元的数据处理次数相关。因此，可以通过第一读取失败数的取值为多个存储单元划分不同的产品阶段，并设计对应的表项。通过不同的表项承载在不同产品阶段下对存储单元进行数据处理操作的处理参数。在存储器后续的工作中，只需对第一晶体管进行读取验证操作，即可确认多个存储单元当前所处的产品阶段。本公开的实施例无需在每次数据处理操作后记录数据处理次数，并存储数据处理次数，可以提高存储器的处理性能，减少存储器的处理时间，并避免记录数据处理次数对存储空间的占用。
5、在一些可能的实施方式中，上述根据第一读取失败数的取值，从多个表项中选取目的表项，包括：如果第一读取失败数小于或等于第一数值，则从多个表项中选取第一目的表项。第一目的表项对应多个存储单元的第一产品阶段。如果第一读取失败数大于第一数值，则从多个表项中选取第二目的表项。第二目的表项对应多个存储单元的第二产品阶段。在本公开的实施例中，可以设置第一数值，第一数值为判断读取失败数的基准值。在第一验证读电压相同的情况下，通过读取失败数来划分第一产品阶段和第二产品阶段。根据第一产品阶段和第二产品阶段分别设计对应的表项。在实际的编程中，通过第一验证读电压进行一次读取验证操作，获取到对应的第一读取失败数，根据第一读取失败数与预设的第一数值进行比较。当第一读取失败数小于或等于第一数值时，代表存储器此时处于第一产品阶段，可以获取第一产品阶段所对应的第一目标表项。当第一读取失败数大于第一数值时，代表存储器此时处于第二产品阶段，可以获取第二产品阶段所对应的第二目标表项。
6、在一些可能的实施方式中，第一验证读电压为根据第一电压集合得到的电压取值；第一电压集合包括多个阈值电压；多个阈值电压为：在多个不同的编程次数下，多个第一晶体管对应的阈值电压。在本公开的实施例中，第一晶体管的性能变化与存储单元的数据处理次数正相关。第一验证电压用于：在对多个存储单元进行数据处理后，对多个存储单元进行读取验证。第一晶体管的性能变化与存储单元的数据处理次数正相关。因此，可以在存储单元在不同数据处理次数下时，根据非存储单元的第一晶体管的性能变化，得到第一验证电压。基于该第一验证电压去验证读取存储单元，得到的第一读取失败数的取值也可以指示存储单元的数据处理次数。
7、在一些可能的实施方式中，第一验证读电压的电压大小在第一阈值电压和第二阈值电压之间。第一阈值电压为在第一编程次数下第一晶体管对应的阈值电压。第一编程次数属于第一产品阶段对应的编程次数。第二阈值电压为在第二编程次数下第一晶体管对应的阈值电压。第二编程次数属于第二产品阶段对应的编程次数。在本公开的实施例中，通过第一验证读电压读取多个第一晶体管以划分第一产品阶段和第二产品阶段，则第一验证读电压可以选取为第一阈值电压和第二阈值电压之间的电压。其中，第一阈值电压为第一产品阶段对应的某个第一编程次数下的阈值电压。第二阈值电压为第二产品阶段对应的某个第二编程次数下的阈值电压。
8、在一些可能的实施方式中，第一编程次数为第二编程次数的十分之一。在本公开的实施例中，通过可以将第一产品阶段的起始编程次数设置为第二产品阶段的起始编程次数的十分之一。当以第一产品阶段的起始编程次数作为第一编程次数，以第二产品阶段的起始编程次数作为第二编程次数时，结合第一编程次数和第二编程次数获取到的第一验证电压，该第一验证电压用于验证读取多个第一晶体管时，可以得到的第一读取失败数更加精确地划分出第一产品阶段和第二产品阶段。
9、在一些可能的实施方式中，第一晶体管为编程选择晶体管或dummy存储晶体管。在本公开的实施例中，第一晶体管的性能受数据处理次数的增加而变化。在实际的存储器中，编程选择晶体管或dummy存储晶体管的性能都会受到数据处理次数的增加的影响。因此，编程选择晶体管或dummy存储晶体管都可以作为第一晶体管。在一些示例中，编程选择晶体管可以为tsg晶体管、bsg晶体管等。
10、在一些可能的实施方式中，偏移电压值包括编程偏移电压值和/或读取偏移电压值。处理参数还包括编程起始电压值和/或验证起始电压值。该控制方法还包括：输出多个编程电压和/或多个验证读电压。多个编程电压的最低电压值为编程起始电压值。多个验证读电压以读取偏移电压值为步进单位控制多个验证读电压的最低电压值为验证起始电压值。在本公开的实施例中，存储单元的阈值电压同样会随着数据处理次数的增加而变化。当存储单元的阈值电压发生变化时，其数据处理的参数也会发生变化。例如，在循环编程的方法中，进行编程的编程起始电压值，以及编程后的验证起始电压值等都需要适应调整。同时，循环编程中的多次编程之间的编程偏移电压值和多次验证操作之间的读取偏移电压值等都需要适应性调整。通过确定产品阶段后，选择适应的目标表项进行循环编程，可以提高编程的处理速度，并提高读取的可靠性。
11、第二方面，本公开的实施例提供了一种参数计算本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种控制方法，其特征在于，基于存储器；所述存储器包括多个存储单元和多个第一晶体管；所述多个存储单元与所述多个第一晶体管对应；所述控制方法，包括：
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，根据所述第一读取失败数的取值，从多个表项中选取目的表项，包括：
3.根据权利要求2所述的参数计算方法，其特征在于，所述第一验证读电压为根据第一电压集合得到的电压取值；所述第一电压集合包括多个阈值电压；所述多个阈值电压为：在多个不同的编程次数下，所述多个第一晶体管对应的阈值电压。
4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一验证读电压的电压大小在第一阈值电压和第二阈值电压之间；所述第一阈值电压为在第一编程次数下所述第一晶体管对应的阈值电压；所述第一编程次数属于所述第一产品阶段对应的编程次数；所述第二阈值电压为在第二编程次数下所述第一晶体管对应的阈值电压；所述第二编程次数属于所述第二产品阶段对应的编程次数。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述第一编程次数为所述第二编程次数的十分之一。
6.根据权利要求3所述
7.根据权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，所述偏移电压值包括编程偏移电压值和/或读取偏移电压值；所述处理参数还包括编程起始电压值和/或验证起始电压值；所述控制方法还包括：
8.一种参数计算方法，其特征在于，基于至少一个存储器；每个所述存储器包括多个存储单元和多个第一晶体管；所述多个存储单元与所述多个第一晶体管对应；所述参数计算方法，包括：
9.根据权利要求8所述的参数计算方法，其特征在于，所述根据所述第一读取失败数的取值，为所述至少一个存储器的所述存储单元划分不同产品阶段并得到对应的多个表项，包括：
10.根据权利要求9所述的参数计算方法，其特征在于，所述根据所述第一晶体管得到第一验证读电压，包括：
11.根据权利要求10所述的参数计算方法，其特征在于，所述第一验证读电压的电压大小在第一阈值电压和第二阈值电压之间；所述第一阈值电压为在第一编程次数下所述多个第一晶体管对应的所述阈值电压；所述第一编程次数属于所述第一产品阶段对应的编程次数；所述第二阈值电压为在第二编程次数下所述多个第一晶体管对应的阈值电压；所述第二编程次数属于所述第二产品阶段对应的编程次数。
12.根据权利要求8-11任一项所述的参数计算方法，其特征在于，所述多个第一晶体管为编程选择晶体管或dummy存储晶体管。
13.一种存储器，其特征在于，包括控制电路、寄存器、驱动电路、读取验证电路、多个存储单元和多个第一晶体管；所述多个第一晶体管与所述多个第一晶体管对应；所述寄存器中存储有多个表项；
14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述控制电路还用于：
15.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述偏移电压值包括编程偏移电压值和/或读取偏移电压值；所述处理参数还包括编程起始电压值和/或验证起始电压值；所述控制电路还用于：
16.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括控制器和如权利要求13-15任一项所述的存储器；所述控制器与所述存储器耦合。
...【技术特征摘要】
1.一种控制方法，其特征在于，基于存储器；所述存储器包括多个存储单元和多个第一晶体管；所述多个存储单元与所述多个第一晶体管对应；所述控制方法，包括：
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，根据所述第一读取失败数的取值，从多个表项中选取目的表项，包括：
3.根据权利要求2所述的参数计算方法，其特征在于，所述第一验证读电压为根据第一电压集合得到的电压取值；所述第一电压集合包括多个阈值电压；所述多个阈值电压为：在多个不同的编程次数下，所述多个第一晶体管对应的阈值电压。
4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一验证读电压的电压大小在第一阈值电压和第二阈值电压之间；所述第一阈值电压为在第一编程次数下所述第一晶体管对应的阈值电压；所述第一编程次数属于所述第一产品阶段对应的编程次数；所述第二阈值电压为在第二编程次数下所述第一晶体管对应的阈值电压；所述第二编程次数属于所述第二产品阶段对应的编程次数。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述第一编程次数为所述第二编程次数的十分之一。
6.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一晶体管为编程选择晶体管或dummy存储晶体管。
7.根据权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，所述偏移电压值包括编程偏移电压值和/或读取偏移电压值；所述处理参数还包括编程起始电压值和/或验证起始电压值；所述控制方法还包括：
8.一种参数计算方法，其特征在于，基于至少一个存储器；每个所述存储器包括多个存储单元和多个第一晶体管；所述多个存储单元与所述多个第一晶体管对应；...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦三珊，储凌，魏华征，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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