【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led，尤其涉及一种微型发光元件及发光设备。
技术介绍
1、发光元件在尺寸不断缩小的情况下边缘效应所占的比例提升，是导致目前微型发光元件外量子效率eqe%（external quantum efficiency）较低的主要原因之一。
2、那么，如何降低微型发光元件的边缘效应，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供了一种微型发光元件及发光设备，降低了微型发光元件的边缘效应，提升了微型发光元件的发光性能。具体方案如下：
2、本申请第一方面提供一种微型发光元件，所述微型发光元件包括：
3、在第一方向上依次层叠设置的第一半导体层、主动发光层和第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层中其中一层半导体层为n型掺杂，另一层半导体层为p型掺杂；
4、位于所述第一半导体层和所述主动发光层之间，和/或位于所述第二半导体层和所述主动发光层之间的目标外延层；
5、所述目标外延层的边缘区域的电阻率大于所述目标外延层的其它区域的电阻率。
6、优选的，在上述微型发光元件中，所述边缘区域的宽度小于2微米。
7、优选的，在上述微型发光元件中，所述目标外延层的材料为alxin1-xp，0.65＞x＞0.5。
8、优选的，在上述微型发光元件中，所述目标外延层包括在所述第一方向上依次层叠设置的n层子外延层，n≥2，且n为正整数；
9、其中，相邻两层所述子外
10、优选的，在上述微型发光元件中，在所述主动发光层指向半导体层的方向上，所述n层子外延层中，所述边缘区域的宽度逐渐增大或逐渐减小；
11、所述半导体层为所述第一半导体层或所述第二半导体层。
12、优选的，在上述微型发光元件中，在所述主动发光层指向半导体层的方向上，所述n层子外延层中，所述边缘区域的宽度先增大后减小或先减小后增大；
13、所述半导体层为所述第一半导体层或所述第二半导体层。
14、优选的，在上述微型发光元件中，在氢氟酸和磷酸的混合溶液中浸泡所述目标外延层，以使所述目标外延层的边缘区域的电阻率大于所述目标外延层的其它区域的电阻。
15、优选的，在上述微型发光元件中，所述混合溶液中氢氟酸与磷酸的配比为10:1。
16、优选的，在上述微型发光元件中，所述目标外延层在所述混合溶液中浸泡的时间范围为10s-15s。
17、本申请第二方面提供一种发光设备，所述发光设备包括上述任一项所述的微型发光元件。
18、借由上述技术方案，本申请提供了一种微型发光元件及发光设备，在主动发光层的上方和/或下方设置目标外延层，目标外延层的边缘区域的电阻率大于目标外延层的其它区域的电阻率，以有效抑制电流流经微型发光元件的边缘，进而达到限制电流只流经主动发光层中间区域的目的，以此降低微型发光元件的边缘效应，提升微型发光元件的发光性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微型发光元件，其特征在于，所述微型发光元件包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述边缘区域的宽度小于2微米。
3.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述目标外延层的材料为AlxIn1-xP，0.65＞x＞0.5。
4.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述目标外延层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层子外延层，N≥2，且N为正整数；
5.根据权利要求4所述的微型发光元件，其特征在于，在所述主动发光层指向半导体层的方向上，所述N层子外延层中，所述边缘区域的宽度逐渐增大或逐渐减小；
6.根据权利要求4所述的微型发光元件，其特征在于，在所述主动发光层指向半导体层的方向上，所述N层子外延层中，所述边缘区域的宽度先增大后减小或先减小后增大；
7.根据权利要求1-6任一项所述的微型发光元件，其特征在于，在氢氟酸和磷酸的混合溶液中浸泡所述目标外延层，以使所述目标外延层的边缘区域的电阻率大于所述目标外延层的其它区域的电阻。
8.根据权利要求7所述的微型发光元
9.根据权利要求8所述的微型发光元件，其特征在于，所述目标外延层在所述混合溶液中浸泡的时间范围为10s-15s。
10.一种发光设备，其特征在于，所述发光设备包括权利要求1-9任一项所述的微型发光元件。
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光元件，其特征在于，所述微型发光元件包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述边缘区域的宽度小于2微米。
3.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述目标外延层的材料为alxin1-xp，0.65＞x＞0.5。
4.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述目标外延层包括在所述第一方向上依次层叠设置的n层子外延层，n≥2，且n为正整数；
5.根据权利要求4所述的微型发光元件，其特征在于，在所述主动发光层指向半导体层的方向上，所述n层子外延层中，所述边缘区域的宽度逐渐增大或逐渐减小；
6.根据权利要求4所述的微型发光元件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，李敏华，柯志杰，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。