System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体模块、电力用半导体装置、半导体模块的制造方法、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置制造方法及图纸_技高网

半导体模块、电力用半导体装置、半导体模块的制造方法、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置制造方法及图纸

技术编号:44397341 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-25 10:10
本发明专利技术得到能够提高半导体模块与冷却器的接合部的可靠性的半导体模块、电力用半导体装置、它们的制造方法以及电力转换装置。绝缘基板具有绝缘板、形成于绝缘板的表面的表面金属图案以及形成于绝缘板的背面的背面金属图案。半导体芯片安装于绝缘基板的表面金属图案。主端子与半导体芯片的上表面的主电极连接。信号端子通过引线与半导体芯片的上表面的控制电极连接。密封树脂密封绝缘基板、半导体芯片、引线、主端子的一部分以及信号端子的一部分。背面金属图案从密封树脂的下表面突出而背面金属图案的侧面和下表面从密封树脂露出。背面金属图案的露出面被改性固化。背面金属图案呈向下方翘曲的凸形状。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体模块、电力用半导体装置、半导体模块的制造方法、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置


技术介绍

1、公开了一种将半导体芯片焊接于绝缘基板,将导线接合于半导体元件的上表面,并通过传递模塑进行了树脂密封的半导体模块(例如,参照专利文献1)。

2、专利文献1:国际公开第2014/006724号

3、由于半导体模块经由散热润滑脂或焊料接合于冷却器,所以需要提高半导体模块与冷却器的接合部的可靠性。


技术实现思路

1、本公开是为了解决上述那样的课题而做出的,其目的在于,提供能够提高半导体模块与冷却器的接合部的可靠性的半导体模块、电力用半导体装置、半导体模块的制造方法、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置。

2、本公开所涉及的半导体模块的特征在于,具备:绝缘基板,具有绝缘板、形成于上述绝缘板的表面的表面金属图案、以及形成于上述绝缘板的背面的背面金属图案;半导体芯片,安装于上述绝缘基板的上述表面金属图案;主端子,与上述半导体芯片的上表面的主电极连接;信号端子,通过引线而与上述半导体芯片的上表面的控制电极连接;以及密封树脂,密封上述绝缘基板、上述半导体芯片、上述引线、上述主端子的一部分以及上述信号端子的一部分,上述背面金属图案从上述密封树脂的下表面突出而上述背面金属图案的侧面和下表面从上述密封树脂露出,上述背面金属图案的露出面被改性固化,上述背面金属图案呈向下方翘曲的凸形状。

3、本公开所涉及的半导体模块的制造方法的特征在于,具备:将半导体芯片安装于具有绝缘板、形成于上述绝缘板的表面的表面金属图案、以及形成于上述绝缘板的背面的背面金属图案的绝缘基板的上述表面金属图案的工序;将主端子与上述半导体芯片的上表面的主电极连接的工序;通过引线将信号端子与上述半导体芯片的上表面的控制电极连接的工序;通过密封树脂密封上述绝缘基板、上述半导体芯片、上述引线、上述主端子的一部分以及上述信号端子的一部分的工序;以及通过对从上述密封树脂的下表面露出的上述背面金属图案的露出面以及上述密封树脂的下表面同时投射粒子而进行喷丸处理的工序,在喷丸处理之前,上述背面金属图案的下表面与上述密封树脂的下表面共面,在喷丸处理之后,上述背面金属图案从上述密封树脂的下表面突出而上述背面金属图案的侧面从上述密封树脂露出,喷丸处理后的上述背面金属图案的露出面被改性固化,喷丸处理后的上述背面金属图案呈向下方翘曲的凸形状。

4、在本公开中,背面金属图案从密封树脂的下表面突出而背面金属图案的侧面和下表面从密封树脂露出,背面金属图案的露出面被改性固化,背面金属图案呈向下方翘曲的凸形状。由此,能够提高半导体模块和冷却器的接合部的可靠性。

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【技术保护点】

1.一种半导体模块,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

5.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

6.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

7.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的半导体模块,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的半导体模块,其特征在于,

10.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

11.一种电力用半导体装置,其特征在于,

12.一种电力用半导体装置,其特征在于,

13.一种电力用半导体装置,其特征在于,

14.根据权利要求11所述的电力用半导体装置,其特征在于,

15.根据权利要求11所述的电力用半导体装置,其特征在于,

16.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,

17.一种电力用半导体装置的制造方法,其特征在于,

18.根据权利要求17所述的电力用半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

19.根据权利要求17所述的电力用半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

20.根据权利要求17~19中任一项所述的电力用半导体装置的制造方法,其特征在于,

21.一种电力转换装置,其特征在于,

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

5.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

6.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

7.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的半导体模块,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的半导体模块,其特征在于,

10.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

11.一种电力用半导体装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:梶山力鹿野武敏西原孝太郎日野泰成小杉祥西村一广新井规由
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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