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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料,特别是涉及一种非晶态薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、非晶态薄膜是由无序排列的原子组成的薄膜,这种无序性导致了其内部键合结构呈长程无序、近程有序的状态,从而使得非晶态薄膜具有很高的硬度和强度,但同时也带来了韧性低的问题,在实际应用中,当非晶态薄膜受到载荷作用时,由于其韧性不足,容易发生脆性断裂,缩短其使用寿命。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述问题,提供一种非晶态薄膜及其制备方法和应用,所述非晶态薄膜兼具高强度、高硬度和高韧性,作为表面防护材料使用时使用寿命更久。
2、一种非晶态薄膜,所述非晶态薄膜为alsic非晶态薄膜,由al、si以及c组成。
3、在其中一个实施例中,以原子分数计,所述非晶态薄膜由20.6%-22.8%的al、33.1%-34.7%的si和42.5%-46.3%的c组成。
4、在其中一个实施例中,所述非晶态薄膜的厚度为800nm-2μm。
5、一种所述的非晶态薄膜的制备方法,包括以下步骤:
6、提供靶材;
7、采用磁控溅射的方法在基体上沉积所述非晶态薄膜。
8、在其中一个实施例中,所述靶材选自al和sic的复合材料。
9、在其中一个实施例中,所述al和sic的复合材料中,al和sic的质量比为3:7。
10、在其中一个实施例中,磁控溅射的步骤中,沉积时所施加的射频功率为500w-600w。
11、在其中一个实施
12、在其中一个实施例中,磁控溅射的步骤中,沉积时间为7200秒-18000秒。
13、一种所述的非晶态薄膜用作表面防护材料。
14、本专利技术通过采用al、si和c三种原子无序排列成alsic非晶态薄膜,使得alsic非晶态薄膜兼具高强度、高硬度和高韧性,使非晶态薄膜实现了强韧一体化,进而,将本专利技术的alsic非晶态薄膜作为表面防护材料使用时,防护效果好,使用寿命更久。
15、同时,本专利技术采用磁控溅射的方法制备alsic非晶态薄膜,沉积速率稳定,沉积得到的alsic非晶态薄膜成分均匀、组织致密、缺陷少,且同基体结合良好,附着力强,进而,将本专利技术的alsic非晶态薄膜作为表面防护材料使用并采用磁控溅射的方法形成于待防护件表面时,alsic非晶态薄膜与待防护件结合效果好,不易剥离,且alsic非晶态薄膜兼具高强度、高硬度和高韧性,防护效果好,使用寿命久。
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1.一种非晶态薄膜,其特征在于,所述非晶态薄膜为AlSiC非晶态薄膜,由Al、Si以及C组成。
2.根据权利要求1所述的非晶态薄膜,其特征在于,以原子分数计,所述非晶态薄膜由20.6%-22.8%的Al、33.1%-34.7%的Si和42.5%-46.3%的C组成。
3.根据权利要求1所述的非晶态薄膜,其特征在于,所述非晶态薄膜的厚度为800nm-2μm。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
5.根据权利要求4所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,所述靶材选自Al和SiC的复合材料。
6.根据权利要求5所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,所述Al和SiC的复合材料中,Al和SiC的质量比为3:7。
7.根据权利要求4所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,磁控溅射的步骤中,沉积时所施加的射频功率为500W-600W。
8.根据权利要求4所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,磁控溅射的步骤中,沉积气压为0.32Pa-0.36Pa。
10.一种如权利要求1-3任一项所述的非晶态薄膜用作表面防护材料。
...【技术特征摘要】
1.一种非晶态薄膜,其特征在于,所述非晶态薄膜为alsic非晶态薄膜,由al、si以及c组成。
2.根据权利要求1所述的非晶态薄膜,其特征在于,以原子分数计,所述非晶态薄膜由20.6%-22.8%的al、33.1%-34.7%的si和42.5%-46.3%的c组成。
3.根据权利要求1所述的非晶态薄膜,其特征在于,所述非晶态薄膜的厚度为800nm-2μm。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
5.根据权利要求4所述的非晶态薄膜的制备方法,其特征在于,所述靶材选自al和sic的复合材料。
【专利技术属性】
技术研发人员:党超群,经佩佩,杨琛,居冰峰,
申请(专利权)人:浙江大学杭州国际科创中心,
类型:发明
国别省市:
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