【技术实现步骤摘要】
本专利中公开的技术涉及半导体设计，并且更特别地，涉及用于通过使用可变电阻特性来存储数据的存储器设备以及该存储器设备的操作方法。
技术介绍
1、随着对高容量、低功耗存储器设备的增大的需求，正在对不需要刷新操作的下一代存储器设备(诸如非易失性存储器设备)进行大量研究。这种下一代存储器设备需要具有动态随机存取存储器(dram)设备的高密度、闪存存储器设备的非易失性和静态随机存取存储器(sram)设备的高速度。下一代存储器设备的示例可以包括相变随机存取存储器(pram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物随机存取存储器(poram)、磁性随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(feram)以及电阻式随机存取存储器(rram)。
技术实现思路
1、所公开的技术的各种实施例涉及能够在从被选择的存储器单元读取数据时防止读取错误的存储器设备，以及该存储器设备的操作方法。
2、在一个实施例中，一种存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，该多个存储器单元中的每个存储器单元被配置为存储数据值，数据值对应于要通过多个导电线读出的读取数据；以及读取电路，其耦合到该多个导电线，以基于在单个读取周期期间流过多个存储器单元当中的被选择的存储器单元的单元电流是否存在变化，来生成与存储在被选择的存储器单元中的数据值相对应的读取数据。在一些实现方式中，该多个导电线可以包括字线和位线。
3、在一个实施例中，一种存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，该多
4、在一个实施例中，一种存储器设备的操作方法可以包括：将参考电流设置为：比流过处于低电阻状态的存储器单元的单元电流分布低的水平；或比流过处于高于低电阻状态的高电阻状态的存储器单元的单元电流分布高的水平；执行m个比较操作以将流过存储器单元当中的被选择的存储器单元的单元电流与参考电流进行比较，其中m是大于1的整数；以及响应于比较结果指示单元电流具有振荡水平而生成具有第二数据值的读取数据。
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1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述单个读取周期期间，所述读取电路响应于具有恒定水平的所述单元电流而生成具有第一数据值的所述读取数据，并且响应于具有振荡水平的所述单元电流而生成具有第二数据值的所述读取数据。
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取电路在所述单个读取周期期间执行N个感测操作以检测流过所述被选择的存储器单元的所述单元电流，其中N是大于1的整数。
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中在所述单个读取周期期间对所述被选择的存储器单元执行所述N个感测操作，而不管所述N个感测操作中的至少一个感测操作的感测结果如何。
6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中响应于针对所述N个感测操作的感测结果相同，所述读取数据具
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取电路包括：
9.一种存储器设备，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述感测电路在所述单个读取周期期间执行M个比较操作，以便以预定的时间间隔将所述单元电流与所述参考电流进行比较，其中M是大于1的整数。
11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中根据具有所述振荡水平的所述单元电流的振荡周期来设置所述时间间隔。
12.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述感测电路在所述单个读取周期期间对所述被选择的存储器单元执行M个比较操作，而不管所述M个比较操作中的至少一个比较操作的比较结果如何。
13.根据权利要求10所述的存储器设备，其中响应于针对所述M个比较操作的比较结果相同，所述读取数据具有所述第一数据值，或者响应于针对所述M个比较操作的比较结果不同，所述读取数据具有所述第二数据值。
14.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
15.一种存储器设备的操作方法，包括：
16.根据权利要求15所述的操作方法，其中所述读取数据响应于比较结果指示所述单元电流具有恒定水平而具有第一数据值。
17.根据权利要求16所述的操作方法，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
18.根据权利要求15所述的操作方法，其中在单个读取周期期间以预定的时间间隔执行所述M个比较操作。
19.根据权利要求18所述的操作方法，其中根据具有所述振荡水平的所述单元电流的振荡周期来设置所述时间间隔。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述单个读取周期期间，所述读取电路响应于具有恒定水平的所述单元电流而生成具有第一数据值的所述读取数据，并且响应于具有振荡水平的所述单元电流而生成具有第二数据值的所述读取数据。
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取电路在所述单个读取周期期间执行n个感测操作以检测流过所述被选择的存储器单元的所述单元电流，其中n是大于1的整数。
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中在所述单个读取周期期间对所述被选择的存储器单元执行所述n个感测操作，而不管所述n个感测操作中的至少一个感测操作的感测结果如何。
6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中响应于针对所述n个感测操作的感测结果相同，所述读取数据具有第一数据值，或者响应于针对所述n个感测操作的感测结果不同，所述读取数据具有第二数据值。
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述读取数据对应于所述被选择的存储器单元的电阻状态，其中所述被选择的存储器单元的所述电阻状态包括高电阻状态和低于所述高电阻状态的低电阻状态，其中所述第一数据值对应于所述高电阻状态，并且所述第二数据值对应于所述低电阻状态。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述读取电路包括：
9.一种存储器设备，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述感测电路在所述单个读取周期期间执行m个比较操...
【专利技术属性】
技术研发人员：河泰政，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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