【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于封装结构，且特别是有关于具有串接的横向扩散金属氧化物半导体晶体管以及空乏型iii-v族晶体管的封装结构。
技术介绍
1、iii-v族晶体管，例如氮化镓场效晶体管(gan fet)，由于其高效率的特性以及适合高电压操作，常常使用于高功率和高性能的电路应用。此外，iii-v族晶体管往往会与其他晶体管(例如硅场效晶体管)组合而产生高性能的开关装置，例如串接(cascoded)开关。
2、一般的封装设计可以将多个元件放置于相同的支撑表面上，如放置于导线架(lead frame)上的覆铜陶瓷衬底(direct bonding copper，dbc)或陶瓷基板。然而，将多个元件放置于支撑表面上往往会带来许多不可预期的非理想效应，因此需要避免不可预期的非理想效应，以提高开关装置的效能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种封装结构。上述封装结构包括一支架、多个接合导线、一导电衬底、多个接合垫、一晶片、一第一空乏型iii-v族晶体管、一衬底以及一第二空乏型iii-v族晶体管。上述导电衬底设置在上述支架之上。上述接合垫设置在上述支架之上且分离于上述导电衬底。上述晶片设置在上述导电衬底之上。上述晶片包括一第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管、一第一栅极驱动器、一第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管以及一第二栅极驱动器。上述第一栅极驱动器耦接于上述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极。上述第二栅极驱动器耦接于上述第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极。上述一第
2、本专利技术可以避免不可预期的非理想效应，以提高开关装置的效能。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型III-V族晶体管的源极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型III-V族晶体管的漏极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述接合垫的一第一接合垫，以及上述第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一接合垫。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，上述第二空乏型III-V族晶体管的栅极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一接合垫。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型III-V族晶体管以及上述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极是分别经由所对应的上述接合导线而连接于上述接合垫的一第二接合垫。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述导电衬底是由一金属层所形成，上述晶片以及上述第一空乏型III-V族晶体管是黏合于上述金属层。
7.如权利要
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第二空乏型III-V族晶体管的漏极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述接合垫的一第三接合垫，以及上述第二空乏型III-V族晶体管的源极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型III-V族晶体管以及上述第二空乏型III-V族晶体管是氮化镓高电子迁移率场效晶体管。
10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述衬底是覆铜陶瓷衬底。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型iii-v族晶体管的源极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型iii-v族晶体管的漏极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述接合垫的一第一接合垫，以及上述第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一接合垫。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，上述第二空乏型iii-v族晶体管的栅极是经由所对应的上述接合导线而连接于上述第一接合垫。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，上述第一空乏型iii-v族晶体管以及上述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极是分别经由所对应的上述接合导线而连接于上述接合垫的一第二接...
【专利技术属性】
技术研发人员：温文莹，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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