System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器装置和存储器装置的操作方法制造方法及图纸_技高网

存储器装置和存储器装置的操作方法制造方法及图纸

技术编号:44393126 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-25 10:07
公开了存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储器单元阵列、控制读取操作以从每个页读取硬判决数据和软判决数据的控制逻辑、以及包括与硬判决数据的感测有关的第一锁存器和与软判决数据的感测有关的第二锁存器的页缓冲器。控制逻辑控制执行在第一感测时序将基于第一偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第一感测操作、以及在第二感测时序将基于第二偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第二感测操作,并且执行控制操作以在第一感测操作中将设定信号SET提供到第二锁存器,并且在第二感测操作中将重置信号RST提供到第二锁存器。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储器装置和存储器装置的操作方法


技术介绍

1、非易失性存储器装置包括非易失性地存储数据的多个存储器单元。作为非易失性存储器装置的一个示例,闪速存储器装置可以用于移动电话、数码相机、便携式数字助理(pda)、便携式计算机装置、固定计算机装置和各种其它类型的装置中。

2、存储器装置可以以各种方式写入或读取数据。作为一个示例,响应于来自存储器控制器的读取请求,存储器装置可以生成硬判决数据和软判决数据并且输出硬判决数据和软判决数据。硬判决数据可以是使用具有特定电压电平的正常读取电平读取的数据,并且软判决数据可以是使用与正常读取电平相比具有特定偏移的偏移电平读取的数据。存储器控制器可以执行通过一起使用来自存储器装置的硬判决数据和软判决数据来校正数据错误的软判决纠错。

3、为了生成软判决数据,多个锁存器用来基于不同的偏移电平感测数据,并且对基于不同的偏移电平确定的值执行操作。用来生成软判决数据的时间和资源可以是高的。


技术实现思路

1、本公开的一些方面提供存储器装置(和对应的操作方法),在使用硬判决数据和软判决数据的系统中,该存储器装置(和对应的操作方法)可以在改善数据读取速度的同时减少生成软判决数据所需的资源。

2、根据本公开的一些实施方式,提供一种存储器装置。该存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括多个页,每个页包括多个存储器单元;控制逻辑,其控制读取操作以从每个页读取基于正常读取电平的硬判决数据以及基于第一偏移电平和第二偏移电平的软判决数据;以及页缓冲器,其包括与页的多个存储器单元对应的缓冲器单元,每个缓冲器单元包括与硬判决数据的感测有关的第一锁存器和与软判决数据的感测有关的第二锁存器。控制逻辑控制在页的感测持续时间期间执行在第一感测时序将基于第一偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第一感测操作以及在第二感测时序将基于第二偏移电平确定的值存储在第二锁存器中的第二感测操作,并且执行控制操作以在第一感测操作中将设定信号(set)和重置信号(rst)中的任何一个提供到第二锁存器,并且在第二感测操作中将设定信号(set)和重置信号(rst)中的另一个提供到第二锁存器。

3、根据本公开的一些实施方式,提供一种存储器装置的操作方法,其中,存储器装置包括页缓冲器,页缓冲器包括与多个存储器单元对应的缓冲器单元,并且每个缓冲器单元包括与基于正常读取电平的硬判决数据的感测有关的第一锁存器以及与基于第一偏移电平和第二偏移电平的软判决数据的感测有关的第二锁存器,该操作方法包括:将第二锁存器初始化为第一值;在针对任何一个页的感测持续时间的第一感测时序响应于设定信号(set)和重置信号(rst)中的任何一个,将第二锁存器的值改变为第二值,第二锁存器连接到基于第一偏移电平与关断单元对应的存储器单元;以及在感测持续时间的第二感测时序响应于设定信号(set)和重置信号(rst)中的另一个,将第二锁存器的值改变为第一值,第二锁存器连接到基于第二偏移电平与关断单元对应的存储器单元,并且在执行第二感测操作之后,输出具有与存储在第二锁存器中的值或存储在第二锁存器中的值的反相值对应的逻辑状态的软判决数据。

4、根据本公开的一些实施方式,提供一种存储器装置的操作方法,其中,存储器装置包括页缓冲器,页缓冲器包括与多个存储器单元对应的缓冲器单元,并且每个缓冲器单元包括与基于正常读取电平的硬判决数据的感测有关的第一锁存器以及与基于第一偏移电平和第二偏移电平的软判决数据的感测有关的第二锁存器,该操作方法包括:响应于针对存储器装置的第一页的第一读取命令,对缓冲器单元的感测节点执行第一预充电;在第一预充电之后的第一感测持续时间期间,将基于正常读取电平确定的值存储在第一锁存器中;在第一感测持续时间结束之后,对缓冲器单元的感测节点执行第二预充电;响应于设定信号(set)和重置信号(rst)中的任何一个,在第二预充电之后的第二感测持续时间的第一感测时序将与第一值对应的感测结果存储在第二锁存器中,第二锁存器连接到基于第一偏移电平与关断单元对应的存储器单元;以及在第二感测持续时间的第二感测时序响应于设定信号(set)和重置信号(rst)中的另一个,将与第二值对应的感测结果存储在第二锁存器中,第二锁存器连接到基于第二偏移电平与关断单元对应的存储器单元。

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【技术保护点】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑被配置为:在执行所述第二感测操作之后,使作为所述软判决数据的存储在所述第二锁存器中的值或存储在所述第二锁存器中的所述值的反相值输出到存储器控制器。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,

4.根据权利要求1所述的存储器装置,

5.根据权利要求1所述的存储器装置,

6.根据权利要求1所述的存储器装置,

7.根据权利要求6所述的存储器装置,

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述缓冲器单元的第二锁存器包括:

9.根据权利要求8所述的存储器装置,

10.根据权利要求所9述的存储器装置,

11.一种操作存储器装置的方法,

12.根据权利要求11所述的方法,

13.根据权利要求11所述的方法,包括:

14.根据权利要求11所述的方法,包括:

15.根据权利要求11所述的方法,

16.根据权利要求15所述的方法,

17.根据权利要求11所述的方法,包括:

18.一种存储器装置的操作方法,

19.根据权利要求18所述的操作方法,还包括:

20.根据权利要求19所述的操作方法,

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑被配置为:在执行所述第二感测操作之后,使作为所述软判决数据的存储在所述第二锁存器中的值或存储在所述第二锁存器中的所述值的反相值输出到存储器控制器。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,

4.根据权利要求1所述的存储器装置,

5.根据权利要求1所述的存储器装置,

6.根据权利要求1所述的存储器装置,

7.根据权利要求6所述的存储器装置,

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述缓冲器单元的第二锁存器包括:

9....

【专利技术属性】
技术研发人员:朴世桓金真怜李知尚张孝正
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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