【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，尤其涉及一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统。
技术介绍
1、在存储器中，信息可存储在存储单元中，这些存储单元可组织成行(字线)和列(位线)。在存储器的制造和使用中的各种时刻，一个或多个存储单元可能失效(例如变得不能存储信息，不可由存储器存取等)且可能需要修复。
技术实现思路
1、本申请构思的一些实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统。
2、一方面，本申请实施例提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括多个存储单元行；所述方法包括：
3、在封装后修复ppr模式下，响应于所述多个存储单元行中的第一缺陷存储单元行在封装前已经被修复，使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效；
4、配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略。
5、在上述方案中，所述存储器还包括只读存储器件rom；所述使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效，包括：
6、获取所述rom中存储的第一记录信息；所述第一记录信息包括所述第一修复策略；
7、将所述第一记录信息中的第一控制位置为第一预设数值；
8、其中，在所述第一控制位为所述第一预设数值时，所述第一修复策略处于失效状态。
9、在上述方案中，所述存储器还包括与所述多个存储单元行耦接的内容寻址存储器件cam；所述方法还包括：
10、获取所述第一缺陷存储单元行的第一地址信
11、将所述第一地址信息与所述cam中存储的地址信息进行比对；
12、响应于比对结果包括所述cam中存储有与所述第一地址信息相同的地址信息，生成指示信息，其中，所述指示信息用于指示所述第一缺陷存储单元行已被修复。
13、在上述方案中，所述获取所述rom中存储的第一记录信息，包括：
14、响应于指示信息，根据所述第一缺陷存储单元行的第一地址信息和第一映射关系获得所述第一记录信息存储的第二地址信息；所述第一映射关系包括缺陷存储单元行的地址信息与对应的记录信息存储的地址信息之间的对应关系；
15、根据所述第二地址信息从所述rom中获取所述第一记录信息；
16、其中，所述指示信息用于指示所述第一缺陷存储单元行已被修复。
17、在上述方案中，所述存储器还包括多个第一冗余单元行；所述配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略，包括：
18、从所述多个第一冗余单元行中选择一个第一冗余单元行与所述第一缺陷存储单元行建立第二映射关系；所述第二映射关系为所述第二修复策略；
19、根据所述第二修复策略生成第二记录信息；
20、将所述第二记录信息存储到所述rom；
21、其中，所述第二记录信息中的所述第一控制位为第二预设数值；在所述第一控制位为第二预设数值时，所述第二修复策略处于有效状态。
22、在上述方案中，所述方法还包括：
23、对所述存储器执行操作时，确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效；
24、响应于所述第一修复策略有效，加载所述第一修复策略，使用所述第一修复策略对所述第一缺陷存储单元行进行修复；
25、响应于所述第二修复策略有效，加载所述第二修复策略，使用所述第二修复策略对所述第一缺陷存储单元行进行修复。
26、在上述方案中，所述确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效，包括：
27、获取所述第一记录信息和所述第二记录信息；
28、根据所述第一记录信息中的所述第一控制位和所述第二记录信息中的所述第一控制位确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效；
29、其中，第一修复策略对应的所述第一控制位与所述第二修复策略对应的所述第一控制位置为的数值始终不同。
30、在上述方案中，所述存储器还包括与所述多个第一冗余单元行不同的多个第二冗余单元行；所述第一修复策略包括所述第一缺陷存储单元行与所述多个第二冗余单元行中的一个第二冗余单元行之间的映射关系。
31、在上述方案中，所述第一记录信息还包括第二控制位；所述第二控制位用于指示所述第一修复策略是否要被启用。
32、在上述方案中，所述操作包括对所述存储器进行上电操作。
33、另一方面，本申请实施例还提供一种存储器，包括：
34、存储阵列，包括：多个存储单元行；
35、外围电路，与所述存储阵列耦接，被配置为：
36、在封装后修复ppr模式下，响应于所述多个存储单元行中的第一缺陷存储单元行在封装前已经被修复，使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效；
37、配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略。
38、在上述方案中，所述存储器还包括只读存储器件rom；所述外围电路，还被配置为：
39、获取所述rom中存储的第一记录信息；所述第一记录信息包括所述第一修复策略；
40、将所述第一记录信息中的第一控制位置为第一预设数值；
41、其中，在所述第一控制位为所述第一预设数值时，所述第一修复策略处于失效状态。
42、在上述方案中，所述存储器还包括与所述多个存储单元行耦接的内容寻址存储器件cam，所述外围电路，还被配置为：
43、获取所述第一缺陷存储单元行的第一地址信息；并传输给所述cam；
44、所述cam，被配置为：将所述第一地址信息与所述cam中存储的地址信息进行比对；并且响应于比对结果包括所述cam中存储有与所述第一地址信息相同的地址信息，生成指示信息，其中，所述指示信息用于指示所述第一缺陷存储单元行已被修复。
45、在上述方案中，所述外围电路，还被配置为：
46、响应于指示信息，根据所述第一缺陷存储单元行的第一地址信息和第一映射关系获得所述第一记录信息存储的第二地址信息；所述第一映射关系包括缺陷存储单元行的地址信息与对应的记录信息存储的地址信息之间的对应关系；
47、根据所述第二地址信息从所述rom中获取所述第一记录信息；
48、其中，所述指示信息用于指示所述第一缺陷存储单元行已被修复。
49、在上述方案中，所述存储阵列还包括多个第一冗余单元行；所述外围电路，还被配置为：
50、从所述多个第一冗余单元行中选择一个第一冗余单元行与所述第一缺陷存储单元行建立第二映射关系；所述第二映射关系为所述第二修复策略；
51、根据所述第二修复策略生成第二记录信息；
52、将所述第二记录信息存储到所述rom；
53、其中，所述第二记录信息中的所述第一控制位为第二预设数值；在所述第一控制位为第二预设数值时，所述第二修复本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元行；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括只读存储器件ROM；所述使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效，包括：
3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与所述多个存储单元行耦接的内容寻址存储器件CAM；所述方法还包括：
4.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述获取所述ROM中存储的第一记录信息，包括：
5.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括多个第一冗余单元行；所述配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略，包括：
6.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其特征在于，所述确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效，包括：
8.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与所述多个第一冗余单元行不同的多个第二冗余单元
9.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述第一记录信息还包括第二控制位；所述第二控制位用于指示所述第一修复策略是否要被启用。
10.根据权利要求6所述的操作方法，其特征在于，所述操作包括对所述存储器进行上电操作。
11.一种存储器，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括只读存储器件ROM；所述外围电路，还被配置为：
13.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括与所述多个存储单元行耦接的内容寻址存储器件CAM，所述外围电路，还被配置为：
14.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为：
15.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述存储阵列还包括多个第一冗余单元行；所述外围电路，还被配置为：
16.根据权利要求15所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为：对所述存储器执行操作时，确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效；
17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述外围电路，还被配置为：获取所述第一记录信息和所述第二记录信息；
18.根据权利要求15所述存储器，其特征在于，所述存储阵列还包括与所述多个第一冗余单元行不同的多个第二冗余单元行；所述第一修复策略包括所述第一缺陷存储单元行与所述多个第二冗余单元行中的一个第二冗余单元行之间的映射关系。
19.一种存储器系统，其特征在于，包括：
20.一种计算机系统，其特征在于，包括：权利要求19所述的存储器系统；以及图像处理器，其与所述存储器系统耦接并控制所述存储器系统。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元行；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括只读存储器件rom；所述使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效，包括：
3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与所述多个存储单元行耦接的内容寻址存储器件cam；所述方法还包括：
4.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述获取所述rom中存储的第一记录信息，包括：
5.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括多个第一冗余单元行；所述配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略，包括：
6.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其特征在于，所述确定所述第一修复策略有效还是所述第二修复策略有效，包括：
8.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与所述多个第一冗余单元行不同的多个第二冗余单元行；所述第一修复策略包括所述第一缺陷存储单元行与所述多个第二冗余单元行中的一个第二冗余单元行之间的映射关系。
9.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述第一记录信息还包括第二控制位；所述第二控制位用于指示所述第一修复策略是否要被启用。
10.根据权利要求6所述的操作方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李哲凡，梅笑冬，张黄鹏，王瑜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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