【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法和设备。
技术介绍
1、出于晶圆的设计需求，常需要对晶圆进行缓冲层溅射，以达到缓冲、增加膜层间黏附、隔离等作用。缓冲层根据材料的不同也可以称为绝缘层或隔离层。在晶圆的边缘(bevel)部分，由于晶圆的边缘区域不平整，缓冲层的绝缘材料在晶圆边缘区域因附着力较弱、热应力、背面清洗或干法刻蚀等原因，容易剥落或产生颗粒污染，降低了晶圆的良率，因此需要对缓冲层进行边缘清洗。
2、在缓冲层进行边缘去除的过程中，由于化学反应多样，反应方向较多，在晶圆高速旋转时，缓冲层边缘区域与清洗液产生的副产物被清洗液溢流而带向晶圆内并且聚集产生了异常印记。副产物聚集产生的异常印记和晶圆表面的结合性相对薄弱，在晶圆传送或运输过程中可能会出现脱落污染，从而降低晶圆的产品良率。
3、如何清洗晶圆缓冲层边缘清洗过程中产生的副产物印记，避免出现脱落而对晶圆造成污染，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本申请提供一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，包括：
2、旋转晶圆，向晶圆表面喷洒第一清洗液，以去除所述晶圆边缘的缓冲层，所述晶圆表面形成副产物印记；
3、获取所述副产物印记的位置，记为标记位置；
4、保持晶圆旋转，向所述标记位置喷洒第二清洗液，以去除所述晶圆表面的副产物印记；
5、向所述晶圆表面喷洒冲洗液，以对所述晶圆进行冲洗。
6、根据本
7、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述标记位置是通过所述副产物印记内圈与所述晶圆边缘之间的距离确定的。
8、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液的着液点在所述晶圆的清洗线上，所述清洗线与所述晶圆边缘的距离为所述晶圆的斜边宽度。
9、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述向所述标记位置喷洒第二清洗液通过移动喷嘴实现，在移动所述喷嘴的过程中，将所述第一清洗液切换为所述第二清洗液。
10、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述向晶圆表面喷洒第一清洗液时和所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述晶圆的转速不变。
11、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液的流量与所述第二清洗液的流量相同。
12、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液为dhf、hf、sc1、sc2或hf与hno3混合液中的任意一种，所述第二清洗液为dhf、hf、sc1、sc2或hf与hno3混合液中的任意一种。
13、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液与所述第二清洗液为相同的化学液。
14、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述冲洗液为去离子水。
15、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述第一清洗液和/或所述第二清洗液的着液点比所述喷嘴在所述晶圆上的正投影更靠近所述晶圆的边缘。
16、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述向晶圆表面喷洒第一清洗液和/或所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述喷嘴与所述晶圆表面形成小于90度的倾斜夹角。
17、根据本申请提供的一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，所述向晶圆表面喷洒第一清洗液前，在所述晶圆以外的位置预喷预设时间的第一清洗液。
18、本申请还提供一种晶圆缓冲层边缘的清洗设备，包括：
19、卡盘，用于承载并旋转晶圆；
20、喷嘴，与外部供液装置连接，用于向所述晶圆喷洒化学液；
21、获取单元，用于获取晶圆表面副产物印记的位置并记为标记位置；
22、控制器，被配置为：控制所述喷嘴向所述晶圆的清洗线喷洒第一清洗液以去除所述晶圆边缘的缓冲层，控制所述获取单元获取晶圆表面副产物印记的位置，并根据获取到的标记位置控制所述喷嘴移动，使得所述喷嘴喷洒的第二清洗液的着液点位于所述标记位置，以及控制所述喷嘴移动至冲洗位置，冲洗所述晶圆的表面。
23、本申请提供的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，首先旋转晶圆，向晶圆表面喷洒第一清洗液，以去除所述晶圆边缘的缓冲层，在晶圆表面形成一圈副产物印记；然后获取副产物印记的位置并记为标记位置，保持晶圆旋转，向标记位置喷洒第二清洗液以去除标记位置的副产物印记，最后向晶圆表面喷洒冲洗液，以对晶圆进行冲洗。
24、针对副产物印记进行了精确冲洗，有效解决了缓冲层边缘清洗过程中产生副产物印记的问题，提升了晶圆的良率。
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1.一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述标记位置是通过所述副产物印记与所述晶圆边缘之间的距离确定的。
3.根据权利要求2所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述标记位置是通过所述副产物印记内圈与所述晶圆边缘之间的距离确定的。
4.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的着液点在所述晶圆的清洗线上，所述清洗线与所述晶圆边缘的距离为所述晶圆的斜边宽度。
5.根据权利要求3所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述向所述标记位置喷洒第二清洗液通过移动喷嘴实现，在移动所述喷嘴的过程中，将所述第一清洗液切换为所述第二清洗液。
6.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述向晶圆表面喷洒第一清洗液时和所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述晶圆的转速不变。
7.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的流量与所述第二清洗液的流量相同。
<...【技术特征摘要】
1.一种晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述标记位置是通过所述副产物印记与所述晶圆边缘之间的距离确定的。
3.根据权利要求2所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述标记位置是通过所述副产物印记内圈与所述晶圆边缘之间的距离确定的。
4.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的着液点在所述晶圆的清洗线上，所述清洗线与所述晶圆边缘的距离为所述晶圆的斜边宽度。
5.根据权利要求3所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述向所述标记位置喷洒第二清洗液通过移动喷嘴实现，在移动所述喷嘴的过程中，将所述第一清洗液切换为所述第二清洗液。
6.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述向晶圆表面喷洒第一清洗液时和所述向所述标记位置喷洒第二清洗液时，所述晶圆的转速不变。
7.根据权利要求1所述的晶圆缓冲层边缘的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的流量与所述第二清洗液的流量相同。
8.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴奔，刘畅，仰庶，张晓燕，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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