System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置制造方法及图纸_技高网

光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置制造方法及图纸

技术编号:44389704 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-25 10:05
本发明专利技术涉及光刻技术领域,具体涉及光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置,包括以下步骤:步骤1:固定待测光掩模版;步骤2:获取待测光掩模版的贴合胶宽红外扫描影像;步骤3:对获取到的贴合胶宽红外扫描影像进行影像分析;步骤4:根据影像分析结果,运算贴合胶宽量测值及找出最大或最小值,判断贴合胶宽是否合格。本发明专利技术的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置能够快速判定贴合胶宽是否合格,测量值准确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻,具体涉及一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置


技术介绍

1、光掩模,又称光罩、光刻掩模版、掩模版等,是在含有铬等金属薄膜的玻璃基板(或树脂基板)上,形成复杂几何图形的图形转移母板,是光刻工艺中复印光致抗蚀掩蔽层的“印相底片”。

2、光掩模保护膜是蒙贴在铝合金框架上的一层透明薄膜,其主要功能是防止灰尘或其他微小颗粒掉落在光掩模上有图形的一侧。对于光掩模保护膜贴合胶宽的测量在半导体制造过程中具有极其重要的意义,主要表现在:1、保证光刻精度;2、防止污染物进入;3、延长光掩模使用寿命;4、提高生产效率和良品率;5、推动技术进步和创新。

3、现有对光掩模保护膜贴合胶宽的测量方法一般为采用强光灯或光学显微镜检验胶宽,这种测量方式存在以下问题:1、检测速度慢,无法明确检测出异常胶宽位置;2、使用光学显微镜目检扫描无法自动正确检出保护膜贴合最大线径及最小线径胶宽;3、掩模版粘着剂溢胶或贴着密合不良处无法自动检出,容易造成误判,造成芯片厂曝光时掩模版图形区无规则性污染以造成芯片报废良率损失。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本专利技术提供一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置,通过影像自动扫描量测检出最小及最大值胶宽,并进行合格或不合格判定,可避免人员目检不易寻找最小及最大值胶宽造成判定错误,更快速得到品质正常与异常的判定结果。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:提供一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法及装置。

3、本专利技术的一种技术方案:提供一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,包括以下步骤:

4、步骤1:固定待测光掩模版;

5、步骤2:获取待测光掩模版的贴合胶宽红外扫描影像;

6、步骤3:对获取到的贴合胶宽红外扫描影像进行影像分析;

7、步骤4:根据影像分析结果,运算贴合胶宽量测值及找出最大和最小值,判断贴合胶宽是否合格。

8、进一步地,所述步骤1中,对待测光掩模版的具体固定方式为:将待测光掩模版嵌入掩模版移动单元的凹槽内,所述掩模版移动单元上设有在水平面内互相垂直的x轴滑轨和y轴滑轨,嵌有所述待测光掩模版的凹槽沿x轴滑轨或y轴滑轨移动,以便于将所述待测光掩模版在红外扫描区域内调整到需要位置。

9、进一步地,所述步骤2的具体方式为:利用红外波光源对待测光掩模版表面进行照射,照射至所述待测光掩模版上的红外波光源经待测光掩模版表面反射后经过反射单元捕捉,影像聚焦到感光耦合元件后得到红外扫描影像。

10、进一步地,所述步骤3的具体方式为:影像处理单元接收来自感光耦合元件的红外扫描影像,红外波光源会在光掩模保护膜贴合胶的边缘形成明暗影像,在贴合胶的宽度方向两侧各形成一条影像明暗分界线,对胶宽进行测量时,在这两条影像明暗分界线上分别做好胶宽标记点,测量两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离。

11、进一步地,所述步骤4的具体方式为:将步骤3中测量得到的两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离进行汇总,计算得到直线距离中的最小值和最大值,即得到最小胶宽值和最大胶宽值,将计算得到的最小胶宽值和最大胶宽值通过胶宽判读单元进行判定,判定胶宽是否在合格值范围内。

12、本专利技术还提供另一种技术方案:提供一种光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,包括红外波光源单元、掩模版移动单元、反射单元、感光耦合元件、影像处理单元、影像显示器和胶宽判读单元,所述掩模版移动单元用于承载待测光掩模版,所述反射单元置于所述待测光掩模版正上方,所述红外波光源单元设置在所述发射单元下表面,所述反射单元、感光耦合元件、影像处理单元、影像显示器依次信号连接,所述影像处理单元与所述胶宽判读单元信号连接,所述胶宽判读单元与所述影像显示器信号连接;

13、所述红外波光源单元用于向待测掩模版表面发射红外光源;

14、所述反射单元用于接收待测光掩模版表面反射的红外光源并将红外影像传输至感光耦合元件进行影像聚焦;

15、所述感光耦合元件用于将所述反射单元获取到的贴合胶宽影像进行聚焦扫描;

16、所述影像处理单元用于进行贴合胶宽影像分析及产生胶宽标记点;

17、所述影像显示器用于呈现所述影像处理单元的影像分析图及显示胶宽标记点;

18、所述胶宽判读单元用于接收所述影像处理单元的影像分析图及胶宽标记点或接收经影像显示器显示后的影像分析图及胶宽标记点,运算胶宽量测值及找出贴合胶宽最大和最小值,判断贴合胶宽是否合格。

19、进一步地,所述反射单元包括上下连接的第一圆柱体和第二圆柱体,所述第一圆柱体与所述第二圆柱体之间通过螺纹连接,通过旋转第二圆柱体上下调整所述反射单元的高度,以调整所述反射单元与所述待测光掩模版之间的距离,从而调整红外光源反射距离以获得清晰影像。

20、进一步地,所述掩模版移动单元上设有x轴和y轴方向上的滑轨,所述x轴和y轴在同一水平面内互相垂直。

21、进一步地,所述掩模版移动单元上设有凹槽,所述凹槽用于嵌入待测光掩模版,所述掩模版移动单元上设有在水平面内互相垂直的x轴滑轨和y轴滑轨,嵌有所述待测光掩模版的凹槽沿x轴滑轨或y轴滑轨移动,以便于将所述待测光掩模版在红外扫描区域内调整到需要位置,所述凹槽表面设有铁氟龙涂层,所述掩模版移动单元表面以不锈钢阳极处理。

22、进一步地,所述感光耦合元件为ccd感光耦合元件影像感测器,所述影像处理单元为pci图像处理单元。

23、本专利技术技术方案,具有以下优点:

24、1、本专利技术能够让光掩模版厂快速及正确量测及判定掩模版保护膜贴合胶宽(贴合胶掩模版贴合线径)检取最大线径及最小线径胶宽值及位置以确定掩模版及保护膜粘着品质状况避免贴合胶溢胶造成掩模版污染或贴合胶缩胶,脱胶,断胶造成污染物进入掩模版图型区而造成芯片厂良率严重损失。

25、2、在半导体制造过程中,任何微小的偏差都可能导致产品缺陷或报废,光掩模保护膜贴合胶宽的测量作为质量控制的一部分,有助于及时发现并纠正生产过程中可能存在的问题,从而提高生产效率和良率。通过精确控制贴合胶宽,可以确保每片光掩模在光刻过程中都能达到最佳性能,减少因光刻精度不足或污染导致的废品率。

26、应当理解,前述构思以及在下面更加详细地描述的额外构思的所有组合只要在这样的构思不相互矛盾的情况下都可以被视为本公开的专利技术主题的一部分。

27、结合附图从下面的描述中可以更加全面地理解本专利技术教导的前述和其他方面、实施例和特征。本专利技术的其他附加方面例如示例性实施方式的特征和/或有益效果将在下面的描述中显见,或通过根据本专利技术教导的具体实施方式的实践中得知。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤1中,对待测光掩模版的具体固定方式为:将待测光掩模版嵌入掩模版移动单元的凹槽内,所述掩模版移动单元上设有在水平面内互相垂直的X轴滑轨和Y轴滑轨,嵌有所述待测光掩模版的凹槽沿X轴滑轨或Y轴滑轨移动,以便于将所述待测光掩模版在红外扫描区域内调整到需要位置。

3.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤2的具体方式为:利用红外波光源对待测光掩模版表面进行照射,照射至所述待测光掩模版上的红外波光源经待测光掩模版表面反射后经过反射单元捕捉,影像聚焦到感光耦合元件后得到红外扫描影像。

4.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤3的具体方式为:影像处理单元接收来自感光耦合元件的红外扫描影像,红外波光源会在光掩模保护膜贴合胶的边缘形成明暗影像,在贴合胶的宽度方向两侧各形成一条影像明暗分界线,对胶宽进行测量时,在这两条影像明暗分界线上分别做好胶宽标记点,测量两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离。

5.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤4的具体方式为:将步骤3中测量得到的两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离进行汇总,计算得到直线距离中的最小值和最大值,即得到最小胶宽值和最大胶宽值,将计算得到的最小胶宽值和最大胶宽值通过胶宽判读单元进行判定,判定胶宽是否在合格值范围内。

6.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,其特征在于,包括红外波光源单元、掩模版移动单元、反射单元、感光耦合元件、影像处理单元、影像显示器和胶宽判读单元,所述掩模版移动单元用于承载待测光掩模版,所述反射单元置于所述待测光掩模版正上方,所述红外波光源单元设置在所述发射单元下表面,所述反射单元、感光耦合元件、影像处理单元、影像显示器依次信号连接,所述影像处理单元与所述胶宽判读单元信号连接,所述胶宽判读单元与所述影像显示器信号连接;

7.根据权利要求6所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,其特征在于,所述反射单元包括上下连接的第一圆柱体和第二圆柱体,所述第一圆柱体与所述第二圆柱体之间通过螺纹连接,通过旋转第二圆柱体上下调整所述反射单元的高度,以调整所述反射单元与所述待测光掩模版之间的距离,从而调整红外光源反射距离以获得清晰影像。

8.根据权利要求6所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,其特征在于,所述掩模版移动单元上设有X轴和Y轴方向上的滑轨,所述X轴和Y轴在同一水平面内互相垂直。

9.根据权利要求6所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,其特征在于,所述掩模版移动单元上设有凹槽,所述凹槽用于嵌入待测光掩模版,所述掩模版移动单元上设有在水平面内互相垂直的X轴滑轨和Y轴滑轨,嵌有所述待测光掩模版的凹槽沿X轴滑轨或Y轴滑轨移动,以便于将所述待测光掩模版在红外扫描区域内调整到需要位置,所述凹槽表面设有铁氟龙涂层,所述掩模版移动单元表面以不锈钢阳极处理。

10.根据权利要求6所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量装置,其特征在于,所述感光耦合元件为CCD感光耦合元件影像感测器,所述影像处理单元为PCI图像处理单元。

...

【技术特征摘要】

1.一种光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤1中,对待测光掩模版的具体固定方式为:将待测光掩模版嵌入掩模版移动单元的凹槽内,所述掩模版移动单元上设有在水平面内互相垂直的x轴滑轨和y轴滑轨,嵌有所述待测光掩模版的凹槽沿x轴滑轨或y轴滑轨移动,以便于将所述待测光掩模版在红外扫描区域内调整到需要位置。

3.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤2的具体方式为:利用红外波光源对待测光掩模版表面进行照射,照射至所述待测光掩模版上的红外波光源经待测光掩模版表面反射后经过反射单元捕捉,影像聚焦到感光耦合元件后得到红外扫描影像。

4.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤3的具体方式为:影像处理单元接收来自感光耦合元件的红外扫描影像,红外波光源会在光掩模保护膜贴合胶的边缘形成明暗影像,在贴合胶的宽度方向两侧各形成一条影像明暗分界线,对胶宽进行测量时,在这两条影像明暗分界线上分别做好胶宽标记点,测量两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离。

5.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量方法,其特征在于,所述步骤4的具体方式为:将步骤3中测量得到的两条分界线上两个胶宽标记点之间的直线距离进行汇总,计算得到直线距离中的最小值和最大值,即得到最小胶宽值和最大胶宽值,将计算得到的最小胶宽值和最大胶宽值通过胶宽判读单元进行判定,判定胶宽是否在合格值范围内。

6.根据权利要求1所述的光掩模保护膜贴合胶宽测量...

【专利技术属性】
技术研发人员:高丁山
申请(专利权)人:宁波冠石半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1