【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对适于各种显示装置的自发光电子元件、特别是有机电致发光元件(以下简称为有机el元件)适合的化合物和元件，具体地，涉及具有苯并唑结构的胺化合物、使用了该胺化合物的有机el元件或者电子设备。
技术介绍
1、1987年伊士曼-柯达公司的c.w.tang等通过开发将各种职能分担于各材料的层叠结构元件，使使用了有机材料的有机el元件成为了实用的元件。他们将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠、将两者的电荷注入到荧光体的层中而使其发光，由此用10v以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(参照专利文献1及专利文献2)。
2、到目前为止，为了有机el元件的实用化，进行了大量的改进，在将层叠结构的各种职能进一步细分化而在基板上依次设置了阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的场致发光元件中，利用从底部发光的底部发射结构的发光元件，实现了高效率及耐久性(例如参照非专利文献1)。
3、近年来，使用将具有高功函数的金属用于阳极、从上部发光的顶部发射结构的发光元件。在从具有像素电路的底部将光取出的底部发射结构中，发光部的面积受到限制，与此相对，在顶部发射结构的发光元件中，通过从上部将光取出，像素电路不会遮挡，因此具有使发光部扩大的优点。在顶部发射结构的发光元件中，在阴极使用lif/al/ag(例如参照非专利文献2)、ca/mg(例如参照非专利文献3)、lif/mgag等半透明电极。
4、在这样的发光元件中，在发光层中发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上
5、就顶部发射结构的发光元件中的封盖层的效果而言，在将ir(ppy)3用于发光材料的发光元件中，在无封盖层的情况下电流效率为38cd/a，与此相对，在使用了膜厚60nm的znse作为封盖层的发光元件中，为64cd/a，确认了约1.7倍的效率提高。另外，示出半透明电极与封盖层的透射率的极大点与效率的极大点未必一致，示出光的取出效率的最大点由干涉效应决定(例如参照非专利文献3)。
6、以往，在封盖层的形成中，提出使用精细度高的金属掩模，但在高温条件下的使用中，金属掩模由于热而产生变形，由此具有对位精度降低的问题。因此，就znse而言，熔点高达1100℃以上(例如参照非专利文献3)，在精细度高的金属掩模中，不能在正确的位置进行蒸镀，有可能对发光元件自身也造成影响。进而，即使是采用溅射法的成膜，对发光元件也造成影响，因此以无机物作为构成材料的封盖层不适于使用。
7、此外，作为调整折射率的封盖层，在使用三(8-羟基喹啉)铝(以下简称为alq3)的情况下(例如参照非专利文献2)，已知alq3为一般作为绿色发光材料或者电子传输材料而使用的有机el材料，在用于青色发光材料的450nm附近具有弱吸收，因此在青色发光元件的情况下，也存在色纯度的降低及光的取出效率降低的问题。
8、另外，在用以往的封盖层所制作的元件中，太阳光的波长400nm至410nm的光通过，对元件内部的材料造成影响，也存在色纯度的降低及光的取出效率降低的问题。
9、为了改善有机el元件的元件特性，另外，为了大幅地改善光的取出效率，作为封盖层的材料，需要折射率高、消光系数低、薄膜的稳定性、耐久性优异的材料。
10、现有技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：日本特开平8-048656号公报
13、专利文献2：日本专利第3194657号公报
14、专利文献3：国际公开第2014009310号
15、专利文献4：国际公开第2013/038627号
16、专利文献5：国际公开第2021140896号
17、非专利文献
18、非专利文献1：应用物理学会第9次讲习会预稿集第55～61页(2001)
19、非专利文献2：appl.phys.let.，78，544(2001)
20、非专利文献3：appl.phys.let.，82，466(2003)
21、非专利文献4：j.org.chem.，71，1802(2006)
22、非专利文献5：chem.rev.2016，116，12564
23、非专利文献6：tetrahedron，58，(2002)，9633
24、非专利文献7：appl.phys.lett.，98，083302(2011)
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、本专利技术的目的在于：为了改善有机el元件的元件特性，为了大幅地改善光的取出效率，提供具备封盖层的有机el元件，所述封盖层由(1)折射率高、(2)薄膜的稳定性良好、(3)耐久性优异、(4)耐光性优异、(5)青、绿及红色各自的波长区域中不具有吸收的材料构成。
3、作为适于本专利技术的封盖层的材料中的物理特性，能够列举出(1)折射率高、(2)可蒸镀、(3)薄膜状态稳定、(4)玻璃化转变温度高。另外，作为适于本专利技术的元件的物理特性，能够列举出(1)光的取出效率高、(2)无色纯度的降低、(3)无经时变化地透过光、(4)长寿命。
4、用于解决课题的手段
5、因此，本专利技术人为了实现上述的目的，着眼于芳基胺系材料的薄膜的稳定性、耐久性优异，制作选择折射率高的具有特定的苯并唑结构的胺化合物在浓度10-5mol/l的吸收波谱中波长400nm至410nm处的吸光度高的材料、作为构成封盖层的材料而使用的有机el元件，深入进行了元件的特性评价，结果完成了本专利技术。
6、即，根据本专利技术，提供以下的由下述通式(a)表示的胺化合物及其有机el元件或者电子设备。
7、1)由下述通式(a)表示的胺化合物。
8、[化1]
9、
10、式中，ar1表示取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基，ar2、ar3可相同也可不同，表示取代或未取代的芳族烃基、取代或未取代的芳族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳族基，l1～l3可各自彼此相同也可不同，表示单键、从未取代的苯中去除了2个氢原子的2价基团、从未取代的联苯中去除了2个氢原子的2价基团、或者从未取代的萘中去除了2个氢原子的2价基团，x表示氧原子或者硫原子。
11、2)根据上述1)所述的胺化合物，其由下述通式(b)或者(c)表示，
12、[化2]
13、
14、[化3]
15、
16、上述通式(b)或者(c)中，a本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种由下述通式(A)表示的胺化合物，
2.根据权利要求1所述的胺化合物，其由下述通式(B)或者(C)表示，
3.根据权利要求2所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中的L1～L3为单键、未取代的1，4-亚苯基、未取代的4，4'-亚联苯基、未取代的2，6-亚萘基、或者未取代的2，7-亚萘基。
4.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中的Ar3为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的呋喃基、或者取代或未取代的噻吩基。
5.根据权利要求4所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中的Ar3为未取代的苯基、未取代的联苯基、未取代的萘基、未取代的呋喃基、或者未取代的噻吩基。
6.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中的Ar1为取代或未取代的2-苯并噁唑基、取代或未取代的2-苯并噻唑基、取代或未取代的2-苯并呋喃基、取代或未取代的2-苯并噻吩基、取代或未取代的2-二苯并呋喃基、取代或未取代的2-二苯并
7.根据权利要求6所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中的Ar1为未取代的2-苯并噁唑基、未取代的2-苯并噻唑基、未取代的2-苯并呋喃基、未取代的2-苯并噻吩基、未取代的2-二苯并呋喃基、未取代的2-二苯并噻吩基、未取代的3-二苯并呋喃基、或者未取代的3-二苯并噻吩基。
8.根据权利要求7所述的胺化合物，其中，所述通式(A)、(B)或者(C)中，Ar3为未取代的苯基、未取代的联苯基、未取代的萘基、未取代的呋喃基、或者未取代的噻吩基。
9.一种有机EL元件，为至少依次具有阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极和封盖层的有机EL元件，其中，所述封盖层含有根据权利要求1或者权利要求2所述的胺化合物。
10.根据权利要求9所述的有机EL元件，其特征在于，在所述封盖层中，其消光系数在400nm至410nm的波长范围中为0.2以上，并且浓度10-5mol/L的吸收波谱中的吸光度在400nm至410nm的波长范围中为0.2以上。
11.根据权利要求9所述的有机EL元件，其特征在于，所述封盖层的折射率在透过该封盖层的光的波长为450nm～750nm的范围内，为1.85以上。
12.一种有机EL元件，为至少依次具有阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极和封盖层的有机EL元件，其中，所述封盖层为由2种以上的化合物构成的层叠或者混合层，其中至少一种的化合物为权利要求1或者权利要求2所述的胺化合物。
13.一种电子设备或者电子元件，为具有一对电极和在其间夹持的至少一层的有机层的电子设备或者电子元件，其中，在所述有机层中含有权利要求1或者权利要求2所述的胺化合物。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种由下述通式(a)表示的胺化合物，
2.根据权利要求1所述的胺化合物，其由下述通式(b)或者(c)表示，
3.根据权利要求2所述的胺化合物，其中，所述通式(a)、(b)或者(c)中的l1～l3为单键、未取代的1，4-亚苯基、未取代的4，4'-亚联苯基、未取代的2，6-亚萘基、或者未取代的2，7-亚萘基。
4.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(a)、(b)或者(c)中的ar3为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的呋喃基、或者取代或未取代的噻吩基。
5.根据权利要求4所述的胺化合物，其中，所述通式(a)、(b)或者(c)中的ar3为未取代的苯基、未取代的联苯基、未取代的萘基、未取代的呋喃基、或者未取代的噻吩基。
6.根据权利要求3所述的胺化合物，其中，所述通式(a)、(b)或者(c)中的ar1为取代或未取代的2-苯并噁唑基、取代或未取代的2-苯并噻唑基、取代或未取代的2-苯并呋喃基、取代或未取代的2-苯并噻吩基、取代或未取代的2-二苯并呋喃基、取代或未取代的2-二苯并噻吩基、取代或未取代的3-二苯并呋喃基、或者取代或未取代的3-二苯并噻吩基。
7.根据权利要求6所述的胺化合物，其中，所述通式(a)、(b)或者(c)中的ar1为未取代的2-苯并噁唑基、未取代的2-苯并噻唑基、未取代的2-苯并呋喃基、未取代的2-苯并噻吩基、未取代的2-二苯...
【专利技术属性】
技术研发人员：加濑幸喜，车玹旭，平山雄太，林秀一，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。