【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管通常包括外延层和电极，外延层的表面具有露出外延层内部的半导体层的凹槽，凹槽用于设置电极，以使得电流能通过电极传输至半导体层。
3、由于在外延层的表面开设凹槽，会导致外延层的发光区域的面积降低，进而影响发光亮度，且导致外延层上不同区域的发光亮度的均一性较差。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法，能提升发光二极管的亮度，改善发光二极管的发光均匀性。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括外延层和第一电极，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面具有多个露出所述第一半导体层的第一凹孔，多个所述第一凹孔间隔排布，所述第一电极与所述第一凹孔一一对应，所述第一电极位于对应的所述第一凹孔内；多个所述第一凹孔的横截面积之和与所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面的面积的比值小于或者等于0.1。
3、可选地，所述发光二极管还包括钝化层和第一连接电极；所述钝化层位于所述第二半
4、可选地，所述第一凹孔位于所述第二半导体层的中央区域，且多个所述第一凹孔沿同一直线间隔排布。
5、可选地，所述发光二极管还包括多个第二电极和第二连接电极，多个所述第二电极间隔排布在所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面上；所述钝化层包覆多个所述第二电极，所述钝化层的远离所述外延层的表面还具有与各所述第二电极一一对应的第二凹孔，所述第二凹孔露出对应的所述第二电极；所述第二连接电极位于所述钝化层的远离所述第一半导体层的表面，且通过各所述第二凹孔与所述第二电极相连。
6、可选地，所述第二凹孔位于所述钝化层的表面的周边边缘。
7、可选地，相邻所述第一凹孔的分布间距大于所述相邻所述第二凹孔的分布间距。
8、可选地，相邻所述第一凹孔的分布间距与所述相邻所述第二凹孔的分布间距的比值大于或者等于1.5。
9、可选地，所述钝化层的远离所述外延层的表面为矩形面，位于所述矩形面的角部区域的所述第二凹孔的横截面积，大于所述矩形面上除所述角部区域之外的区域内的所述第二凹孔的横截面积。
10、另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：制作外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；在所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面形成多个露出所述第一半导体层的第一凹孔，多个所述第一凹孔间隔排布，多个所述第一凹孔的横截面积之和与所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面的面积的比值小于或者等于0.1；在各所述第一凹孔内形成第一电极。
11、可选地，在各所述第一凹孔内形成第一电极之后，还包括：在所述第二半导体层的远离所述第一半导体层的表面形成钝化层和多个第二电极，多个所述第二电极间隔排布，所述钝化层包覆多个所述第二电极；在所述钝化层的远离所述外延层的表面形成与各所述第二电极一一对应的第二凹孔，所述第二凹孔露出对应的所述第二电极，所述第二凹孔位于所述第二半导体层的表面的周边边缘。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管中的外延层在第二半导体层的表面设置有多个露出第一半导体层的第一凹孔，多个第一凹孔间隔排布在第二半导体层上，每个第一凹孔内都设置有第一电极，以便于通过第一凹孔内的第一电极向第一半导体层通电。其中，多个第一凹孔的横截面积之和与第二半导体层的远离第一半导体层的表面的面积的比值小于或者等于0.1。也即是将第一凹孔的尺寸设计得较小，以避免在外延层上挖开较大面积的发光区域，从而保证外延层的发光面积足够大。
14、同时，相比于相关技术在外延层的表面开设单个尺寸较大的凹槽，本公开实施例将集中式的凹槽优化为多个分散开的第一凹孔。经过这样优化，能让电流通过第一凹孔注入到外延层的不同区域，使得电流注入更加均匀，改善发光二极管的发光亮度的均匀性。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)和第一电极(31)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的远离所述第一半导体层(21)的表面具有多个露出所述第一半导体层(21)的第一凹孔(201)，多个所述第一凹孔(201)间隔排布，所述第一电极(31)与所述第一凹孔(201)一一对应，所述第一电极(31)位于对应的所述第一凹孔(201)内；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括钝化层(40)和第一连接电极(51)；
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹孔(201)位于所述第二半导体层(23)的中央区域，且多个所述第一凹孔(201)沿同一直线间隔排布。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括多个第二电极(32)和第二连接电极(52)，多个所述第二电极(32)间隔排布在所述第二半导体层(23)的远离所述第一半导体层(21)的表面上；
5.根据权利要求4所
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述第一凹孔(201)的分布间距大于所述相邻所述第二凹孔(41)的分布间距。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述第一凹孔(201)的分布间距与所述相邻所述第二凹孔(41)的分布间距的比值大于或者等于1.5。
8.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层(40)的远离所述外延层(20)的表面为矩形面，位于所述矩形面的角部区域的所述第二凹孔(41)的横截面积，大于所述矩形面上除所述角部区域之外的区域内的所述第二凹孔(41)的横截面积。
9.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在各所述第一凹孔内形成第一电极之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)和第一电极(31)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的远离所述第一半导体层(21)的表面具有多个露出所述第一半导体层(21)的第一凹孔(201)，多个所述第一凹孔(201)间隔排布，所述第一电极(31)与所述第一凹孔(201)一一对应，所述第一电极(31)位于对应的所述第一凹孔(201)内；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括钝化层(40)和第一连接电极(51)；
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹孔(201)位于所述第二半导体层(23)的中央区域，且多个所述第一凹孔(201)沿同一直线间隔排布。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括多个第二电极(32)和第二连接电极(52)，多个所述第二电极(32)间隔排布在所述第二半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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