【技术实现步骤摘要】
本申请涉及覆铜陶瓷基板制备，具体涉及一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法。
技术介绍
1、目前现行业的覆铜陶瓷基板(dcb和amb)，都有选用氮化铝陶瓷基板作为基材。但因氮化铝特有的化学特性，在潮湿环境下会发生吸潮水解，aln+h2o→al(oh)3+nh3，从而使覆铜陶瓷基板中进行蚀刻后外露的氮化铝陶瓷基板发生水解反应，从而会破坏整个覆铜陶瓷基板的结构，使其力学性能下降，最终影响覆铜陶瓷基板的可靠性。
2、同时覆铜陶瓷基板在运输、储存和使用过程中，难免会有潮湿情况，若外露的氮化铝陶瓷基板长期处于潮湿环境下，其必然会出现吸潮水解，使产品性能及可靠性下降。
3、现有技术中常对氮化铝的粉末进行防水解处理，氮化铝粉末制成的氮化铝陶瓷基板用作覆铜陶瓷基板的基材时，经过烧结、前处理清洗、图形转移、蚀刻工艺等，氮化铝粉末制成的氮化铝陶瓷基板防吸潮水解性能下降，也未对覆铜陶瓷基板整体作防吸潮水解处理，仅有对铜面进行的防氧化保护。覆铜陶瓷基板蚀刻后，其内部的氮化铝陶瓷基板进行外露，从而发生吸潮水解反应，目前仅是在包装中通过密封等基础手段进行防潮保护，防潮效果较差，无法从氮化铝陶瓷基板的表面进行防水解处理。
4、鉴于此，提出本申请。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，将蚀刻后的覆铜陶瓷基板浸泡于特定配制体系的正十二烷基三甲氧基烷硅溶液与纯水混合的浸泡溶液内，使外露的氮化铝陶瓷基板
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用了以下方案：
3、一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，对覆铜陶瓷基板进行烧结、前处理清洗、图形转移、蚀刻，蚀刻后进行防水解处理，所述防水解处理包括以下步骤：
4、步骤一：配制正十二烷基三甲氧基硅烷溶液并静置充分预水解；
5、步骤二：将预水解后的正十二烷基三甲氧基硅烷溶液加入纯水中，得到浸泡溶液；
6、步骤三：将蚀刻后的覆铜陶瓷基板置于浸泡溶液中浸泡；
7、步骤四：将步骤三中浸泡后的覆铜陶瓷基板进行加热烘干，覆铜陶瓷基板中外露的氮化铝陶瓷基板表面形成共价键结合的正十二烷基硅氧烷包覆层。
8、本申请的技术构思为：
9、覆铜陶瓷基板在蚀刻后，其内层的氮化铝陶瓷基板将出现外露，此时外露的氮化铝陶瓷基板浸泡于正十二烷基三甲氧基硅烷溶液与纯水配制而成的浸泡溶液内，经加热处理后形成共价键的正十二烷基硅氧烷包覆层，从而对覆铜陶瓷基板中蚀刻后外露的氮化铝陶瓷基板起到防吸潮水解作用。
10、首先正十二烷基三甲氧基硅烷、纯水和甲醇进行混合，得到正十二烷基三甲氧基硅烷溶液，正十二烷基三甲氧基硅烷与硅原子相连的 six 甲氧基水解，生成正十二烷基硅醇。
11、其次硅氧烷中的si-oh与覆铜陶瓷基板中外露的氮化铝陶瓷基板表面的-oh形成氢键。
12、最后将浸泡完毕的覆铜陶瓷基板处于氮气条件加热烘干，烘干过程中，正十二烷基硅醇的si-oh与外露的氮化铝陶瓷基板表面的-oh发生脱水反应，使正十二烷基硅醇中与覆铜陶瓷基板中外露的氮化铝陶瓷基板形成共价键连接，同时正十二烷基硅醇之间的si-oh也发生脱水缩合相互交联，两者反应同时进行，最后在基材表面形成致密的正十二烷基硅氧烷包覆层，从而对氮化铝陶瓷基板起到防吸潮防水解的作用。
13、脱水反应中，界面上正十二烷基三甲氧基硅烷水解生成的硅醇含有3个硅羟基，只有1个硅羟基与氮化铝陶瓷基板表面的-oh进行共价键键合；剩下的2个si-oh，与其他水解产生正十二烷基硅醇中的其他si-oh 缩合相互交连，最终在氮化铝陶瓷基板表面形成一层致密的正十二烷基硅氧烷包覆层，起到防水解吸潮的目的。
14、进一步优选地，所述步骤一中，所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液的质量分数为15%~20%。
15、进一步优选地，将质量分数为15%~35%的正十二烷基三甲氧基硅烷、5%~8%纯水，其余为甲醇，混合均匀得到正十二烷基三甲氧基硅烷溶液。
16、具体地，水与甲醇均为硅烷水解剂，调节两者比例可以控制正十二烷基三甲氧基硅烷的水解速率，并使其水解更充分。
17、进一步优选地，调节所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液ph至3.5~5.5。
18、进一步优选地，所述步骤一中的静置时间为10min~20min。
19、进一步优选地，所述步骤二中，所述预水解后的正十二烷基三甲氧基硅烷溶液与纯水之间的比例为1~2:18~19。
20、进一步优选地，所述步骤三中，浸泡时间为15min~25min。
21、进一步优选地，所述步骤四中，在氮气保护条件下进行加热烘干。氮气保护条件防止铜氧化。
22、进一步优选地，烘干温度为90℃~150℃。
23、进一步优选地，烘干时间为45min~60min。
24、本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，通过基于特定正十二烷基三甲氧基硅烷溶液的配置体系，再将一定比例的正十二烷基三甲氧基硅烷溶液与纯水混合得到浸泡溶液，将蚀刻后的覆铜陶瓷基板中外露的氮化铝陶瓷基板进行浸泡处理，使正十二烷基三甲氧基硅水解生成正十二烷基硅醇，正十二烷基硅醇在加热烘干中发生脱水反应，生成的其中一个硅羟基与氮化铝陶瓷基板表面的羟基发生共价键连接，从而在覆铜陶瓷基板蚀刻后外露的氮化铝陶瓷基板表面形成一层致密的正十二烷基硅氧烷包覆层，起到防吸潮防水解的作用，防潮效果好，提高覆铜陶瓷基板产品性能和可靠性。
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1.一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，对覆铜陶瓷基板进行烧结、前处理清洗、图形转移、蚀刻，蚀刻后进行防水解处理，所述防水解处理包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，所述步骤一中，所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液的质量分数为15%~20%。
3.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，将质量分数为15%~35%的正十二烷基三甲氧基硅烷、5%~8%纯水，其余为甲醇，混合均匀得到正十二烷基三甲氧基硅烷溶液。
4.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，调节所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液pH至3.5~5.5。
5.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，所述步骤一中的静置时间为10min~20min。
6.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的
7.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，所述步骤三中，浸泡时间为15min~25min。
8.根据权利要求1所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，所述步骤四中，在氮气保护条件下进行加热烘干。
9.根据权利要求8所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，烘干温度为90℃~150℃。
10.根据权利要求8所述的一种用于DCB和AMB中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，烘干时间为45min~60min。
...【技术特征摘要】
1.一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，对覆铜陶瓷基板进行烧结、前处理清洗、图形转移、蚀刻，蚀刻后进行防水解处理，所述防水解处理包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，所述步骤一中，所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液的质量分数为15%~20%。
3.根据权利要求1所述的一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，将质量分数为15%~35%的正十二烷基三甲氧基硅烷、5%~8%纯水，其余为甲醇，混合均匀得到正十二烷基三甲氧基硅烷溶液。
4.根据权利要求1所述的一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其特征在于，调节所述正十二烷基三甲氧基硅烷溶液ph至3.5~5.5。
5.根据权利要求1所述的一种用于dcb和amb中防止氮化铝陶瓷基板吸潮水解的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：帅豪，李沛阳，王红颖，丁勤，涂俸文，万豪杰，胡琳，杨世兵，
申请(专利权)人：四川富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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