【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及用于支撑显示单元的支撑件以及包括显示单元和支撑件的显示装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种微型发光元件。该微型发光元件包括堆叠在驱动电路板上的化合物半导体。化合物半导体通过在驱动电路板上依次堆叠p型层、发光层和n型层而形成。p型层电耦接到p电极，并且n型层电耦接到n电极。
2、以这种方式配置的微型发光元件使来自发光层的光通过n型层出射，从而构成图像显示元件。
3、引用列表
4、专利文献
5、专利文献1：日本未经审查专利申请公开第2019-204823号
技术实现思路
1、上述微型发光元件包括形成于化合物半导体的p型层的面向驱动电路板的整个表面上的透明电极，并且p型层经由此透明电极电耦接至p电极。在p型层的整个表面的大部分上形成p电极。
2、然而，对于上述微型发光元件，没有考虑从发光层发出的光泄漏到驱动电路板。因此，随着发光装置的进一步小型化，期望改善光提取效率并且实现具有较高图像质量的图像显示装置。
3、根据本公开的第一实施方式的发光装置包括：具有第一导电类型的第一化合物半导体层；有源层，堆叠在第一化合物半导体层上；第二化合物半导体层，在有源层上，堆叠在与第一化合物半导体层相反的一侧上，第二化合物半导体层具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第一反射层，布置为在与有源层相反的一侧上远离第二化合物半导体层的表面，第一反射层反射从有源层发射的光；以及第一电极，设置在第二化合物半导体层与第一反射层之间
4、在根据第一实施方式的发光装置中，根据本公开的第二实施方式的发光装置还包括在第二化合物半导体层与第一反射层之间的绝缘体，绝缘体是光透射的并且绝缘的。
5、在根据本公开的第三实施方式的发光装置中，在根据第一实施方式或第二实施方式的发光装置中，第一化合物半导体层、有源层以及第二化合物半导体层的至少一部分具有台面形状，并且发光装置还包括沿着台面形状的侧面设置的第二反射层，第二反射层将从有源层发射的光和从第一反射层反射的光向第一化合物半导体层反射。
6、根据本公开的第四实施方式的发光装置还包括：在根据第一实施方式至第三实施方式中的任意一个的发光装置中，在与第二化合物半导体层相反的一侧上的第一反射层上的第二电极，第二电极包括顺序堆叠的势垒金属层、al合金层和势垒金属层的叠层。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射层包括从Al、Al合金、Ag和Ag合金中选择的一种或多种材料。
3.根据权利要求2所述的发光装置，还包括：透明电极，在所述第二化合物半导体层与所述第一电极之间，其中
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述第一电极包括Ti或Ti合金。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述第一电极包括Ni、Pd或Cr。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极包括多个所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述第一电极具有从所述第一电极的厚度方向看的面积小于所述第一反射层的从相同方向看的面积。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一电极的总面积为所述第一反射层的面积的1％以上且30％以下。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射层对于蓝光具有75％以上的反射率。
10.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：绝缘体，在所述第二化合物半导体层与所述第一反射
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，绝缘体包括AlO、SiO或SiN。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二化合物半导体层具有放大光提取效率的厚度。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一化合物半导体层的至少一部分、所述有源层和所述第二化合物半导体层具有台面形状，并且
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二反射层与所述第一反射层位于同一层并包括与所述第一反射层相同的材料。
15.根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二反射层与所述第一反射层一体地形成。
16.根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二反射层与所述第一反射层电隔离。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，所述第二反射层包括与所述第一反射层的材料不同的材料。
18.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：第二电极，在所述第一反射层上，在与所述第二化合物半导体层相反的一侧上，所述第二电极包括顺序堆叠的势垒金属层、Al合金层、以及势垒金属层的叠层。
19.根据权利要求18所述的发光装置，还包括：布线，利用插入所述布线之间的插头布线电耦接至所述第二电极。
20.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一化合物半导体层、所述有源层和所述第二化合物半导体层构成发光元件，以及
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光装置，包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射层包括从al、al合金、ag和ag合金中选择的一种或多种材料。
3.根据权利要求2所述的发光装置，还包括：透明电极，在所述第二化合物半导体层与所述第一电极之间，其中
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述第一电极包括ti或ti合金。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述第一电极包括ni、pd或cr。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极包括多个所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述第一电极具有从所述第一电极的厚度方向看的面积小于所述第一反射层的从相同方向看的面积。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一电极的总面积为所述第一反射层的面积的1％以上且30％以下。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射层对于蓝光具有75％以上的反射率。
10.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：绝缘体，在所述第二化合物半导体层与所述第一反射层之间，所述绝缘体是光透射的且绝缘的。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，绝缘体包括alo、sio或sin。
【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川利昭，三浦利仁，柏原博之，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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