【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文的描述涉及一种用于优化针对光刻工艺的用于辐射源的光谱的方法和系统。
技术介绍
1、光刻投射设备可以例如被用于集成电路(ic)的制造。图案化装置(例如掩模)可以包含或提供与ic的个体层相对应的图案(“设计布局”)，并且通过诸如穿过图案化装置上的图案来辐照目标部分等方法，可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上，该目标部分已被涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包括多个相邻的目标部分，图案由光刻投射设备连续地转移到该目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投射设备中，整个图案化装置上的图案在一个操作中被转移到一个目标部分上。这种设备一般被称为步进器。在一般称为步进扫描设备的替代设备中，投射束沿着给定参考方向(“扫描”方向)在图案化装置上进行扫描，同时平行于或反平行于该参考方向同步移动衬底。图案化装置上的图案的不同的部分被逐渐转移到一个目标部分。通常，由于光刻投射设备将具有缩小率m(例如4)，并且缩小率可以在x和y方向上不同，所以衬底被移动的速度f将是投射束扫描图案化装置速度的1/m倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以例如从美国专利6,046,792中采集，其通过引用并入本文。
2、在将图案从图案化装置转移到衬底之前，衬底可能会经历各种工序，诸如涂底料(priming)、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光后，衬底可以进行其他工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后烘烤(peb)、显影、硬烘烤以及经转移图案的测量/检查。该工序阵列被用作制造装置(例如ic)的个体层的基础。然后，
3、因此，诸如半导体器件等制造装置通常涉及使用许多制作过程来处理衬底(例如半导体晶片)，以形成装置的各种特征和多层。这种层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。多个装置可以被制作在衬底上的多个管芯上，然后被分离为各个装置。该装置制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备中的图案化装置进行光学和/或纳米压印光刻，以将图案化装置上的图案转移到衬底，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如由显影设备进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具进行衬底的烘烤、使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻等。
4、如所提到的，光刻是诸如ic等装置制造中的中心步骤，其中在衬底上形成的图案定义了诸如微处理器、存储器芯片等装置的功能元件。类似的光刻技术也被用于平板显示器、微机电系统(mems)和其他装置的形成中。
5、随着半导体制造工艺的不断发展，遵循一般称为“摩尔定律”的趋势，功能元件的尺寸被不断减小，而几十年来每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数量却稳定增加。在当前的技术水平下，装置的各层是使用光刻投射设备制造的，该光刻投射设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投射到衬底上，从而创建尺寸远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射波长的一半)的各个功能元件。
6、根据分辨率公式cd＝k1×λ/na，尺寸小于光刻投射设备的经典分辨率极限的特征被印刷的该工艺一般被称为低k1光刻，其中λ是所采用的辐射的波长(当前大多数情况下为248nm或193nm)，na是光刻投射设备中的投射光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”，通常是被印刷的最小特征的大小，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难在衬底上再现与设计者计划的形状和尺寸类似的图案，以实现特定的电气功能性和性能。为了克服这些困难，复杂的微调步骤被应用于光刻投射设备、设计布局或图案化装置。例如，这些包括但不限于na和光学相干设置的优化、定制照射方案、相移图案化装置的使用、设计布局中的光学邻近效应校正(opc，有时也称为“光学和工艺校正”)或通常定义为“分辨率增强技术”(ret)的其他方法。
技术实现思路
1、根据一个实施例，提供了一种方法，用于：由计算机系统，获取表示光刻工艺的特性、设计布局的几何特性或其组合中的至少一者的多个设计变量；以及由计算机系统，基于多个设计变量、光刻工艺的特性、设计布局的几何特性或其组合中的至少一者来确定用于光刻设备的辐射源的光谱。
2、在实施例中，确定包括由计算机系统确定用于辐射源的光谱的一个或多个参数。
3、在实施例中，用于辐射源的光谱的一个或多个参数包括分量数量、两个或多个分量之间的波长间隔、两个或多个分量之间的频率间隔、分量形状、分量分布、分量强度、两个分量的相对强度、分量标称焦点、分量焦点中心、分量位移或其组合中的至少一者。
4、在实施例中，确定包括：由计算机系统，基于多个设计变量中的至少一个设计变量的宽容度(latitude)来确定用于辐射源的光谱。
5、在实施例中，宽容度包括焦深、曝光、公共工艺窗口、图像对比度、图像对数斜率(ils)、归一化图像对数斜率(nils)或其组合中的至少一者的宽容度。
6、在实施例中，确定包括：由计算机系统，基于至少一个光刻度量来确定用于辐射源的光谱。
7、在实施例中，至少一个光刻度量包括边缘放置误差(epe)、临界尺寸(cd)、临界尺寸均匀性(cdu)、局部临界尺寸均匀性(lcdu)、线边缘粗糙度(ler)、线宽粗糙度(lwr)、抗蚀剂轮廓(resist contour)特性、最大缺陷大小、曝光宽容度、图像偏移、掩模误差增强因子、焦点、焦深(dof)、dof宽容度、临界尺寸焦深、工艺窗口宽容度、公共工艺窗口宽容度、图像对数斜率(ils)、归一化图像对数斜率(nils)、图像对比度、图像对比度宽容度、高于具体nils阈值的可用工艺窗口(ndof)或其组合中的至少一者。
8、在实施例中，确定包括：由计算机系统，基于光刻度量、设计变量宽容度或其组合中的至少一者来从多个光谱中确定用于辐射源的光谱；其中多个光谱包括其光刻度量、设计变量宽容度或其组合的至少一个值已被预先计算的光谱。
9、在实施例中，确定包括：由计算机系统，从多个光谱中选择多个光谱；以及基于多个光谱的组合来确定用于辐射源的光谱。
10、在实施例中，确定包括：由计算机系统，基于机器学习模型来确定用于辐射源的光谱，该机器学习模型被训练以根据多个设计变量、光刻工艺的特性、设计布局的几何特性或其组合中的至少一个确定最优光谱。
11、在实施例中，机器学习模型被训练以基于至少一个光刻度量来确定最优光谱。
12、在实施例中，机器学习模型被进一步训练以基于多个贡献分量的组合来生成最优光谱。
13、在实施例中，组合包括线性组合。
14、在实施例中，组合包括多个贡献分量本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述机器学习模型包括神经网络。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述机器学习模型包括卷积神经网络。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括回归模型。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括机器学习模型的系综。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述训练包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述训练包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻度量包括边缘放置误差(EPE)、临界尺寸(CD)、临界尺寸均匀性(CDU)、局部临界尺寸均匀性(LCDU)、线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)、抗蚀剂轮廓特性、最大缺陷大小、曝光宽容度、图像偏移、掩模误差增强因子、焦点、焦深(DOF)、DOF宽容度、临界尺寸焦深、工艺窗口宽容度、公共工艺窗口宽容度、图像对数斜率(ILS)、归一化图像对数斜率(NILS)、高于具体NILS阈值的可用工艺窗口(nDOF)或其组合中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的方法，其中训
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个或多个最优参数包括以下中的至少一者：分量数量、两个或多个分量之间的波长间隔、两个或多个分量之间的频率间隔、分量形状、分量分布、分量强度、两个分量的相对强度、分量标称焦点、分量焦点中心、分量位移或其组合。
11.根据权利要求1所述的方法，其中光刻度量包括性能指标。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述训练包括：训练所述模型以基于输入目标图案类型确定一个或多个最优光谱。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述训练包括：训练所述模型以确定输入目标图案类型。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述机器学习模型包括神经网络。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述机器学习模型包括卷积神经网络。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括回归模型。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括机器学习模型的系综。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述训练包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述训练包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻度量包括边缘放置误差(epe)、临界尺寸(cd)、临界尺寸均匀性(cdu)、局部临界尺寸均匀性(lcdu)、线边缘粗糙度(ler)、线宽粗糙度(lwr)、抗蚀剂轮廓特性、最大缺陷大小、曝光宽容度、图像偏移、掩模误差增强因子、焦点、焦深(dof)、dof宽容度、临界尺寸焦深、工艺窗口宽容度、公共工艺窗口宽容度、图像对数斜率(ils)、归一化图像对数斜...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·E·康利，M·M·克劳斯，C·J·卡普兰，T·L·康特斯，V·E·普拉切基，J·J·索内斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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