【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、例如，在包含晶体管等的半导体装置中，正在研究减薄半导体基板的厚度。但是，若半导体基板变薄，则强度有可能降低。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的课题在于提供一种能够提高强度的半导体装置及其制造方法。
2、实施方式的半导体装置包含具有上表面和与所述上表面相反的一侧的下表面的半导体基板。所述半导体基板包含第一端部、第二端部、元件部、第一梁部和第二梁部。所述第一端部在与从所述下表面朝向所述上表面的第一方向垂直的第二方向上位于所述半导体基板的端部。所述第二端部在所述第二方向上与所述第一端部分离。所述元件部位于所述第一端部与所述第二端部之间。在所述元件部形成有半导体元件。所述第一梁部从所述第一端部与所述元件部之间的第一部分向比所述第一端部及所述元件部靠下方的位置突出，并在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上延伸。所述第二梁部从所述第二端部与所述元件部之间的第二部分向比所述第二端部及所述元件部靠下方的位置突出，并在所述第三方向上延伸。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和与所述上表面相反的一侧的下表面，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备半导体基板，该半导体基板具有上表面和与所述上表面相反的一侧的下表面，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥山拓希，大桥健一，森健太郎，野村一城，村吉彬，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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