【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体，特别涉及一种气相沉积装置和方法。
技术介绍
1、气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，改变工件表面成分，在表面形成具有特殊性能的金属或化合物涂层的技术。普通的气相沉积装置在进行工件沉积时，通常难以同时满足较高的原料利用率和较高的沉积薄膜均匀性。
2、鉴于此，希望提供一种气相沉积装置和方法，能够在满足沉积工件薄膜均匀沉积的同时提高原料利用率。
技术实现思路
1、本说明书一个或多个实施例提供一种气相沉积装置，应用于工件的表面沉积工艺，包括：仿形流场结构，所述仿形流场结构围合出沉积腔，所述沉积腔包括入口流道和出口流道；控温组件，设置于所述仿形流场结构外侧，被配置为控制所述沉积腔内的温度；第一输运组件，与所述入口流道连接，被配置为通过所述入口流道向所述沉积腔内输送原料；流量控制组件，与所述第一输运组件连接，被配置为调控所述第一输运组件输送至所述沉积腔的气体流量；控压组件，被配置为调控所述沉积腔内的气压；所述仿形流场结构的至少部分内壁的形状与工件的待沉积表面的形状匹配，且当所述工件安装于所述沉积腔内时，所述待沉积表面与所述至少部分内壁之间形成沉积流道，所述沉积流道的一端与所述入口流道连通，另一端与所述出口流道连通。
2、本说明书实施例之一提供一种气相沉积方法，应用于所述气相沉积装置，所述方法包括：基于目标沉积物确定沉积腔内的温度信息和压力信息；获取目标沉积参数，所述目标沉积参数包括目标利用率和/或目标均匀性；基于所述目标沉积参数、所述温度信
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1.一种气相沉积装置，应用于工件的表面沉积工艺，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括坩埚，所述坩埚的内壁构成所述仿形流场结构。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括坩埚，所述仿形流程结构与所述坩埚的内壁连接。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积流道的宽度由所述入口流道一端向所述出口流道一端减小。
5.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括四氯化钛(TiCl4)、氢气(H2)与甲烷(CH4)，所述沉积腔的温度为1100℃-1300℃，所述沉积腔内的气压为1-8kPa，所述气体流量为5-30slm，所述沉积流道在所述入口流道一端的宽度为20-40mm，所述沉积流道在所述出口流道一端的宽度为2-10mm。
6.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括三氯氢硅(SiHCl3)、氢气(H2)与乙烯(C2H4)，所述沉积腔的温度为1400℃-1700℃，所述沉积腔内的气压为5-20kPa，
7.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括五氯化钽(TaCl5)、氢气(H2)与乙烯(C2H4)，所述沉积腔的温度为800℃-1300℃，所述沉积腔内的气压为1-10kPa，所述气体流量为5-50slm，所述沉积流道的宽度为2-10mm。
8.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括五氯化钽(TaCl5)、氢气(H2)与乙烯(C2H4)，所述沉积腔的温度为1200℃-1700℃，所述沉积腔内的气压为1-10kPa，所述气体流量为150-300slm，所述沉积流道的宽度为10-40mm。
9.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括五氯化钽(TaCl5)、氢气(H2)与乙烯(C2H4)，所述沉积腔的温度为1100℃-1500℃，所述沉积腔内的气压为1-10kPa，所述气体流量为50-150slm，所述沉积流道的宽度为20-50mm。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二输运组件，所述第二输运组件与所述出口流道连接。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述控压组件设置在所述出口流道和所述第二输运组件之间。
12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积腔内设置有支撑件，所述工件通过所述支撑件安装在所述沉积腔内，所述支撑件包括顶针。
13.一种气相沉积方法，应用于如权利要求1-12任一项所述的装置，其特征在于，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述确定沉积流道的第二参数信息包括：
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述温度信息包括许用温度范围，所述确定原料的第一参数信息和沉积流道的第二参数信息包括：
...【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，应用于工件的表面沉积工艺，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括坩埚，所述坩埚的内壁构成所述仿形流场结构。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括坩埚，所述仿形流程结构与所述坩埚的内壁连接。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述沉积流道的宽度由所述入口流道一端向所述出口流道一端减小。
5.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括四氯化钛(ticl4)、氢气(h2)与甲烷(ch4)，所述沉积腔的温度为1100℃-1300℃，所述沉积腔内的气压为1-8kpa，所述气体流量为5-30slm，所述沉积流道在所述入口流道一端的宽度为20-40mm，所述沉积流道在所述出口流道一端的宽度为2-10mm。
6.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括三氯氢硅(sihcl3)、氢气(h2)与乙烯(c2h4)，所述沉积腔的温度为1400℃-1700℃，所述沉积腔内的气压为5-20kpa，所述气体流量为80-150slm，所述沉积流道的宽度为5-25mm。
7.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第一输运组件输送的原料包括五氯化钽(tacl5)、氢气(h2)与乙烯(c2h4)，所述沉积腔的温度为800℃-1300℃，所述沉积腔内的气压为1-10kpa，所述气体流量为5-50slm，所述沉积流道的宽度为2-10mm。
8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，范小力，顾鹏，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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