【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，属于集成电路或分立器件芯片制造。
技术介绍
1、金属化工艺是分立器件制造工艺中的关键工序，包含正面金属化和背面金属化，蒸发镀膜是常用的金属化方式之一。晶圆蒸发镀膜作业完成，需将已完成金属化的晶圆从镀锅上取下，并放于片架内流通至下工序。取片操作过程中，若晶圆放置与片架碰撞产生硬接触，会直接导致晶圆碎片，造成产品报废。
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，结构简单、巧妙，能够有效降低晶圆放置过程与片架碰撞产生硬接触，降低晶圆碎片率，降低生产成本。
2、本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，包括基座，所述基座内腔底部对称开设基座沟槽；所述基座内腔底部设置沿着基座宽度方向布置的缓冲件，所述缓冲件设于两基座沟槽之间，且所述缓冲件超出片架底部。
3、所述缓冲件为中空软管。
4、所述缓冲件的长度与基座宽度相匹配。
5、两所述基座沟槽之间的间距与片架相匹配，使得片架设于两基座沟槽内。
6、与现有技术相比，本技术的优点在于：一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，结构简单、巧妙，晶圆底部与中空软管接触，解决了晶圆与片架的硬接触；降低了晶圆碎片率，降低了成本损失。
【技术保护点】
1.一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：包括基座，所述基座内腔底部对称开设基座沟槽；所述基座内腔底部设置沿着基座宽度方向布置的缓冲件，所述缓冲件设于两基座沟槽之间，且所述缓冲件超出片架底部。
2.根据权利要求1所述的一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：所述缓冲件为中空软管。
3.根据权利要求1所述的一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：所述缓冲件的长度与基座宽度相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：两所述基座沟槽之间的间距与片架相匹配，使得片架设于两基座沟槽内。
【技术特征摘要】
1.一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：包括基座，所述基座内腔底部对称开设基座沟槽；所述基座内腔底部设置沿着基座宽度方向布置的缓冲件，所述缓冲件设于两基座沟槽之间，且所述缓冲件超出片架底部。
2.根据权利要求1所述的一种降低晶圆金属化后手动取片碎片率装置，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱显，丁飞，马金磊，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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