【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光结构及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管结构及其制造方法。
技术介绍
1、现有的白光发光二极管是采用黄色荧光粉覆盖蓝光发光二极管芯片来形成。蓝光发光二极管芯片所发出的蓝光照射至黄色荧光粉后，会有一部分的蓝光激发黄色荧光粉而产生黄光，也就是说，黄色荧光粉把一部分的蓝光转换为黄光。另一部分未被黄色荧光粉转换成黄光的蓝光则与黄光混合而形成白光。
2、然而，当蓝光激发黄色荧光粉而产生黄光时，虽然一部分的黄光会往背对蓝光发光二极管芯片的方向传递而形成有效光，但仍有另一部分的黄光会往朝向蓝光发光二极管芯片的方向传递而造成一部分的光损失。
3、此外，黄色荧光粉是混入封装胶而覆盖于蓝光发光二极管芯片上，因蓝光发光二极管芯片的折射率与封装胶的折射率不同，使得蓝光在传递至蓝光发光二极管芯片与封装胶的接面时会产生菲涅耳损失(fresnel loss)，使得蓝光会被接面反射回蓝光发光二极管芯片的内部而造成光损失。
4、另外，现有的多光源模块的工艺是采用将单颗发光二极管封装后，再进行打件，以将发光二极管摆放于基板上。然而，这样的工艺会使发光二极管无法紧凑摆放，而难以减少相邻的发光二极管的间距及模块整体的制造成本。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种发光二极管结构，其可有效降低光损失及提升光效率，且具有紧凑的结构与较低的制造成本。
2、本专利技术是针对一种发光二极管结构的制造方法，其可制造成具有高光效率、结构紧凑及较低制造成本的发光二极
3、本专利技术的一实施例提出一种发光二极管结构，包括基板、多个发光二极管单元及反射层。这些发光二极管单元在基板上排成阵列，每一发光二极管单元包括发光二极管芯片、波长转换层及短通滤波镀膜。发光二极管芯片以覆晶的方式配置于基板上，且用以发出第一光束。波长转换层配置于发光二极管芯片上，且用以将部分的第一光束转换为第二光束，其中第一光束的波长小于第二光束的波长。短通滤波镀膜配置于波长转换层与发光二极管芯片之间，用以让第一光束穿透，且用以反射第二光束。反射层填充于这些发光二极管单元的多个发光二极管芯片之间的间隙，且配置于这些发光二极管芯片的侧面。
4、本专利技术的一实施例提出一种发光二极管结构的制造方法，包括：提供多个发光二极管芯片，其中每一发光二极管芯片具有电极，且发光二极管芯片在背对电极的一侧设有短通滤波镀膜；将这些发光二极管芯片配置于第一暂时基板上，且使电极背对第一暂时基板；在这些发光二极管芯片之间的间隙与这些发光二极管芯片的侧面填充反射层；使这些发光二极管芯片连同反射层与第一暂时基板分离；将这些发光二极管芯片连同反射层配置于第二暂时基板上，并使电极朝向第二暂时基板；以波长转换层覆盖这些发光二极管芯片；使这些发光二极管芯片连同反射层及波长转换层一起与第二暂时基板分离；以及将这些发光二极管芯片连同反射层及波长转换层一起配置于基板上。
5、本专利技术的一实施例提出一种发光二极管结构的制造方法，包括：提供多个发光二极管芯片，其中每一发光二极管芯片具有电极，且发光二极管芯片在背对电极的一侧设有短通滤波镀膜；将这些发光二极管芯片配置于基板上，且使电极朝向基板；在这些发光二极管芯片之间的间隙与这些发光二极管芯片的侧面填充反射层；以及以波长转换层覆盖这些发光二极管芯片。
6、在本专利技术的实施例的发光二极管结构及其制造方法中，由于采用了短通滤波镀膜以让发光二极管芯片所发出的第一光束穿透，且反射来自波长转换层的第二光束，因此可以有效降低第二光束传递至发光二极管芯片内部的损失，进而提升发光二极管结构的光效率。此外，在本专利技术的实施例的发光二极管结构及其制造方法中，由于采用了反射层填充于这些发光二极管单元的多个发光二极管芯片之间的间隙，且配置于这些发光二极管芯片的侧面，以对这些发光二极管芯片作集成式封装，如此可减少相邻的发光二极管芯片的间距而达到紧凑的结构，且可以有效降低发光二极管结构的制造成本。
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1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层为荧光粉层或量子点层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述短通滤波镀膜配置于所述发光二极管芯片远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层配置于所述短通滤波镀膜远离所述基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述反射层覆盖所述波长转换层的侧面。
6.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层覆盖所述反射层的顶面或配置于所述反射层的顶面的一部分上。
7.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：
8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管单元还包括透镜，配置于所述波长转换层上。
9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括投射透镜，配置于所述多个发光二极管单元上方。
10.根据权利要求9所述
11.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，在将所述多个发光二极管芯片连同所述反射层及所述波长转换层一起配置于基板上时，所述波长转换层整面覆盖所述多个发光二极管芯片及所述反射层。
15.根据权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，还包括：
16.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述波长转换层包括多个彼此分离的波长转换单元，分别覆盖所述多个发光二极管芯片。
18.根据权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述波长转换层呈连续一整片，且整面覆盖所述多个发光二极管芯片及所述反射层。
19.根据权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，还包括：
20.根据权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层为荧光粉层或量子点层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述短通滤波镀膜配置于所述发光二极管芯片远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层配置于所述短通滤波镀膜远离所述基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述反射层覆盖所述波长转换层的侧面。
6.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层覆盖所述反射层的顶面或配置于所述反射层的顶面的一部分上。
7.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：
8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管单元还包括透镜，配置于所述波长转换层上。
9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括投射透镜，配置于所述多个发光二极管单元上方。
10.根据权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：
11.一种发光二极管结...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖奕志，吴维瀚，
申请(专利权)人：广州立景创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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