System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种栅极控制的像素驱动电路及其Vth补偿方法技术_技高网

一种栅极控制的像素驱动电路及其Vth补偿方法技术

技术编号:44360008 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-25 09:42
本发明专利技术公开了一种栅极控制的像素驱动电路,包括:第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,其中,所述第一晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线,第二源漏极耦接至预存储电容和第二晶体管的栅极,栅极耦接至控制信号线;所述第二晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线,第二源漏极耦接至所述第三晶体管的第一源漏极;所述第三晶体管的栅极耦接至转移信号线,第二源漏极耦接至像素电容和保持电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及像素驱动,具体涉及一种栅极控制的像素驱动电路及其vth补偿方法。


技术介绍

1、在传统的场序(field sequential)或者色序法(color sequential)显示驱动技术中,需在所有画面data数据写入完成,并在液晶偏转到稳定状态后才可开启背光,否则会有画面混乱的现象发生,因此数据写入及液晶偏转时间会极大压缩背光开启时间,导致显示屏亮度提升困难,以及刷新率和分辨率提升困难、功耗增加和背光材料成本增加等问题。因此如何加快液晶驱动时间,增加背光开启时间,是很重要的课题。

2、以传统的利用电荷分享的预存储驱动电路为例,预存储电容cst至少为像素电容clc的同一数量级,在部分高刷新产品中,甚至为clc的几十倍,极大地降低了像素开口率。由于clc的大小与液晶偏转有关,而液晶偏转与电压相关,且液晶的响应需要时间,因此充电时间越短的情况下,clc来不及反应至目标电位电容,需要cst为其持续供电。

3、综上所述,传统的预存储像素驱动电路存在开口率低的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供一种栅极控制的像素驱动电路,通过改进电路结构及驱动时序,解决了传统的预存储像素驱动电路存在开口率低的问题。

2、为解决以上问题,本专利技术的技术方案为采用一种栅极控制的像素驱动电路,包括:第一晶体管(m1)、第二晶体管(m2)和第三晶体管(m3),其中,所述第一晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线,第二源漏极耦接至预存储电容和第二晶体管的栅极,栅极耦接至控制信号线;所述第二晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线,第二源漏极耦接至所述第三晶体管的第一源漏极;所述第三晶体管的栅极耦接至转移信号线,第二源漏极耦接至像素电容和保持电容。

3、可选地,所述像素驱动电路的驱动时序被配置为:在背光开启阶段,控制信号跳变为高电位,所述第一晶体管打开,数据信号存储至所述预存储电容后,控制信号跳变回低电位;在背光关闭阶段,转移信号跳变为高电位、参考信号跳变为低电位,所述第二晶体管、所述第三晶体管打开,所述第二晶体管工作在线性区且基于参考信号将像素电容复位后,参考信号跳变为高电位,所述第二晶体管工作在饱和区且将数据信号传输至所述像素电容,转移信号跳变为低电位、参考信号二次跳变为低电位,所述第二晶体管工作在线性区、所述第三晶体管关断,所述第二晶体管基于参考信号将所述第二晶体管的第二源漏极处的电位进行二次复位后,所述参考信号跳变为正常电位。

4、可选地,设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路还包括检测信号线,所述检测信号线耦接至所述第二晶体管的第二源漏极和所述第三晶体管的第一源漏极。

5、可选地,设置于像素显示区域内的所述像素驱动电路还包括第四晶体管,所述第四晶体管的栅极耦接至复位信号线,第一源漏极耦接至全局信号线,第二源漏极耦接至所述像素电容和所述保持电容。

6、可选地,所述预存储电容、所述像素电容和所述保持电容远离晶体管的一端耦接至公共信号。

7、相应地,本专利技术提供,一种栅极控制的像素驱动电路的vth补偿方法,应用于上述的像素驱动电路,包括:在所述像素驱动电路的预标定工作阶段,获取影响液晶灰阶电压的所述第三晶体管的阈值电压变化数据;基于所述阈值电压变化数据生成随时间变化的电压补偿曲线;基于所述电压补偿曲线和目标灰阶电压生成数据信号。

8、可选地,在设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路包括检测信号线的情况下,所述补偿方法还包括:基于所述阈值电压变化数据生成阈值电压变化率;基于所述阈值电压变化率生成时间间隔变化的多个监测时间点;在所述监测时间点,通过所述检测信号线获取所述第三晶体管的实测阈值电压;基于所述实测阈值电压对所述电压补偿曲线进行修正。

9、可选地,在所述监测时间点,通过所述检测信号线获取所述第三晶体管的实测阈值电压,包括:在所述监测时间点的前一帧,设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路通过数据信号线将测试电压写入预存储电容,此时,设置于像素显示区域内的所述像素驱动电路正常进行用于显示的数据信号的写入;在所述检测时间点的当前帧,当转移信号跳变为高电位时,基于所述检测信号线获取实测电压;基于所述实测电压和所述测试电压生成实测阈值电压。

10、可选地,所述测试电压被配置为:设置于像素显示区域外的相邻列的所述像素驱动电路的测试电压的绝对值相同且极性相反。

11、本专利技术的首要改进之处为提供的栅极控制的像素驱动电路,通过设置预存储电容与晶体管配合,使得在当前帧的背光发光时间内,利用预存储电容存储下一帧的灰阶电压,实现在背光关闭时全部像素同步实现灰阶电压,极大减小了像素电压的写入时间,相对地增加背光发光时间,且由于本像素驱动电路无需预存储电容进行电荷分享,仅需利用其存储的电位作为栅极控制信号,因此其电容值很小,无需占用过多开口率,解决了传统的预存储像素驱动电路存在开口率低的问题。

12、同时本专利技术通过线性区复位,饱和区写入的驱动时序实现了液晶电容两端电压随帧反转,避免了液晶极化问题,以及通过第一次复位消除上帧数据残留,且保证极性反转的像素电压写入,再通过二次复位降低驱动晶体管栅极-源漏极压差,增加了器件的稳定性,降低vth漂移,提高灰阶电压准确性,提升画面灰阶显示准确性。

13、并且本专利技术通过构建电压补偿曲线,实现通过外围处理单元对灰阶电压进一步补偿,进一步提高灰阶电压准确性,提升画面灰阶显示准确性。

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【技术保护点】

1.一种栅极控制的像素驱动电路,其特征在于,包括:第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3),其中,

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路的驱动时序被配置为:

3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路还包括检测信号线(Signal),所述检测信号线(Signal)耦接至所述第二晶体管(M2)的第二源漏极和所述第三晶体管(M3)的第一源漏极。

4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,设置于像素显示区域内的所述像素驱动电路还包括第四晶体管(M4),所述第四晶体管(M4)的栅极耦接至复位信号线(Reset),第一源漏极耦接至全局信号线(Ref),第二源漏极耦接至所述像素电容(Clc)和所述保持电容(Cst2)。

5.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述预存储电容(Cst1)、所述像素电容(Clc)和所述保持电容(Cst2)远离晶体管的一端耦接至公共信号(Com)。

6.一种栅极控制的像素驱动电路的Vth补偿方法,应用于权利要求1-5中的任一的像素驱动电路,其特征在于,包括:

7.据权利要求6所述的Vth补偿方法,其特征在于,在设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路包括检测信号线(Signal)的情况下,所述补偿方法还包括:

8.据权利要求7所述的Vth补偿方法,其特征在于,在所述监测时间点,通过所述检测信号线(Signal)获取所述第三晶体管(M3)的实测阈值电压,包括:

9.据权利要求8所述的Vth补偿方法,其特征在于,所述测试电压被配置为:

...

【技术特征摘要】

1.一种栅极控制的像素驱动电路,其特征在于,包括:第一晶体管(m1)、第二晶体管(m2)和第三晶体管(m3),其中,

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路的驱动时序被配置为:

3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,设置于像素显示区域外的所述像素驱动电路还包括检测信号线(signal),所述检测信号线(signal)耦接至所述第二晶体管(m2)的第二源漏极和所述第三晶体管(m3)的第一源漏极。

4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,设置于像素显示区域内的所述像素驱动电路还包括第四晶体管(m4),所述第四晶体管(m4)的栅极耦接至复位信号线(reset),第一源漏极耦接至全局信号线(ref),第二源漏极耦接至所述像素电容(clc)和所述保持电...

【专利技术属性】
技术研发人员:张锦任浩
申请(专利权)人:成都九天画芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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