【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种光源掩膜协同优化iro模型的确定方法、装置及设备。
技术介绍
1、随着集成电路工艺的持续进步，尤其是向更高集成度和更小工艺节点迈进，光刻工艺作为核心环节，其精度与效率成为制约芯片性能提升的关键因素。现有的光源掩膜协同优化(illumination and reticle optimization，iro)模型，在应对这些日益复杂的制造工艺时，其局限性逐渐变得明显。特别是对于涉及复杂化学相互作用的制造工艺，如某些特殊显影工艺，传统基于简化光学模型的iro模型方法难以全面捕捉实际过程中的物理和化学变化，导致预测结果与实际光刻效果之间存在显著偏差，从而使得现有的iro模型优化准确性较差。
技术实现思路
1、本申请提供的一种光源掩膜协同优化iro模型的确定方法、装置及设备，能够提高iro模型的优化准确性。
2、第一方面，本申请实施例提供一种光源掩膜协同优化iro模型的确定方法，方法包括：
3、将预获取的测试图形输入至初始iro模型中，得到初始设计版图对应的初始光源，测试图形包括初始设计版图中的关键图形；
4、根据初始光源，使用目标光刻胶对测试掩膜版进行光刻，得到实际曝光能量矩阵fem数据和位于测试掩膜版关键位置处的目标光刻胶的实际截面数据，测试掩膜版根据测试图形确定；
5、根据实际fem数据和实际截面数据，确定光刻胶模型；
6、基于光刻胶模型，对初始iro模型进行优化，得到目标iro模型。
<...【技术保护点】
1.一种光源掩膜协同优化IRO模型的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始光源，使用目标光刻胶对测试掩膜版进行光刻，得到实际曝光能量矩阵FEM数据和位于所述测试掩膜版关键位置处的目标光刻胶的实际截面数据，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述实际FEM数据和所述实际截面数据，确定光刻胶模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述初始光源、所述初始设计版图的曝光信息、所述初始设计版图中每个薄膜层的材料信息、所述测试掩膜版的掩膜信息、所述实际FEM数据和所述实际截面数据输入至预设仿真工具中，通过所述预设仿真工具对光刻过程进行仿真，得到所述目标光刻胶的物理参数，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述光刻胶模型，对所述初始IRO模型进行优化，得到目标IRO模型之后还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标IRO模型，对所述初始设计版图进行优化，得到所述初始设计版图对应的目标工艺
7.一种光源掩膜协同优化IRO模型的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
8.一种电子设备，其特征在于，所述设备包括：处理器以及存储有计算机程序指令的存储器；
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被处理器执行时实现如权利要求1-6任意一项所述的光源掩膜协同优化IRO模型的确定方法。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品中的指令由电子设备的处理器执行时，使得所述电子设备执行如权利要求1-6任意一项所述的光源掩膜协同优化IRO模型的确定方法。
...【技术特征摘要】
1.一种光源掩膜协同优化iro模型的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始光源，使用目标光刻胶对测试掩膜版进行光刻，得到实际曝光能量矩阵fem数据和位于所述测试掩膜版关键位置处的目标光刻胶的实际截面数据，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述实际fem数据和所述实际截面数据，确定光刻胶模型，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述初始光源、所述初始设计版图的曝光信息、所述初始设计版图中每个薄膜层的材料信息、所述测试掩膜版的掩膜信息、所述实际fem数据和所述实际截面数据输入至预设仿真工具中，通过所述预设仿真工具对光刻过程进行仿真，得到所述目标光刻胶的物理参数，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述光刻胶模型，对所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈孔杰，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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